都是IGBT吸收電容惹的禍
最近用上 單管的 IGBT 并聯(lián)來代替 IGBT模塊，結(jié)構(gòu)為全橋結(jié)構(gòu)。原來在模塊上用的吸收電容(兩個電容串聯(lián)在一起，引出頭，尾，公共端的) MKPH-SO IGBT吸收保護電容器。 單管電路的吸收電容也用這個電容來做吸收，發(fā)現(xiàn)，即使是空載，IGBT 也會發(fā)熱很大?？蛰d時候，散熱器溫度也上到65度。而我用RC吸收電路的話，散熱器溫度 幾乎是接近常溫的，也就是說 RC吸收，機器空載時候，流過IGBT電流很小。用專業(yè)的電容吸收，IGBT發(fā)熱大。經(jīng)分析是過吸收現(xiàn)象。 后來才去 把吸收電容 從 0.022uf 減為 0.01uf，今天裝機，上電到200VDC時候，發(fā)現(xiàn)IGBT驅(qū)動波形極為不正常，震蕩。初級過流保護也會動作?？刂品绞绞?UC3846 電流峰值型反饋加上諧波補償。請賜教，這個是什么問題，我不想用RC吸收了，電阻發(fā)熱很大。
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