漏氣狀態(tài)下，電路有可能進(jìn)入諧振狀態(tài)，導(dǎo)致電感上電壓增大，燒毀MOS.

可以用示波器測試一下。

你好，我今天用示波器測試MOS  GS兩級，發(fā)現(xiàn)當(dāng)可控硅導(dǎo)通時，仍然存在驅(qū)動波形。

只不過脈沖方波幅值變小了點(diǎn)，（正常為近似方波脈沖），MOS管D級測試，仍然有電流，有點(diǎn)像尖刺。頻率也比較高。

我覺得可能可控硅導(dǎo)通未能徹底關(guān)斷下管，導(dǎo)致仍然存在震蕩。

我想用小三極管9013之類去拉下管。

首先確認(rèn)可控硅是否是觸發(fā)導(dǎo)通，GS電壓時多少？確診之后再去做其他的。

觸發(fā)保護(hù)后，可控規(guī)是否有維持電流？

可控硅導(dǎo)通的時候，壓降有一伏多，而二極管導(dǎo)通壓降也有0.7V以上，遇到通過二極管的電流比較大的時候，壓降更高，那就有2伏多的電壓了。所以，當(dāng)使用開通電壓比較低的MOS時，MOS有可能不能很好地被關(guān)斷。整個線路的頻率會比較高，破壞了原來軟開關(guān)的條件，造成開關(guān)管的硬開關(guān)，出現(xiàn)了你所說的尖刺電流，最終開關(guān)管損壞。

大哥，你好，我現(xiàn)在改用9013去拉MOS下管柵極，通過測試電流波形消失，應(yīng)該是可靠拉到地了。

現(xiàn)在實(shí)驗(yàn)一晚上暫時沒有出現(xiàn)問題。

繼續(xù)實(shí)驗(yàn)中。

另外問一下，前級APFC 芯片8腳供電，在異常狀態(tài)時，不用處理沒有問題吧。

是否需要將其也拉到地？

未將VCC拉到地時，電解兩端萬用表測試398V~403V跳動。

呵呵，我現(xiàn)在已經(jīng)改為單啟動電容，加分流二極管。圖中未改過來。

可以利用半橋給前面APFC供電,這樣,當(dāng)半橋這保護(hù)后,APFC也停止工作了.

這是個好方案，但是當(dāng)此電容加上有發(fā)現(xiàn)MOS管漏極電流出現(xiàn)一個小的毛刺，

估計是加上此電容對于開關(guān)狀態(tài)存在影響。此電容使用1n 出現(xiàn)毛刺，太小，芯片供電有出現(xiàn)問題。

這個我倒是沒有嘗試過。等我試試。

試過了，半橋中點(diǎn)電容使用1n  ，C9直接不能加，加上一個非常小的電容例如681J之類，MOS漏極出現(xiàn)電流毛刺。

半橋中點(diǎn)電容改變了功率管電壓、電流相位？

采用半橋供電，發(fā)現(xiàn)芯片8腳電壓不是很高，測試12.7V  剛剛夠芯片工作的。而且有時候啟動時出現(xiàn)閃爍，芯片8腳測試11.8V  芯片不能啟動。

這個是不是與后級電路開關(guān)頻率有關(guān)系，開關(guān)頻率現(xiàn)在28KHZ  應(yīng)該也可以了。

半橋供電電容用1N  剛剛夠。使用821J  經(jīng)常出現(xiàn)閃爍。

你可以不用可控硅，用兩個三極管做成復(fù)合管代替可控硅，可控硅在保護(hù)電路中我個人認(rèn)為不太靈敏，我以前也是遇到過類似的情況。

大哥，如何用2個三極管搞，能否給個圖紙看看

不知結(jié)果怎樣？有用嗎？還是因?yàn)槲沂桥辉复罾恚?/p>

我個人意思是改用磁環(huán)驅(qū)動三極管的線路,很成熟可靠!比磁環(huán)驅(qū)動MOSFET省成本.

感謝關(guān)注！鄙人向來堅(jiān)信女性占據(jù)50%以上蔚藍(lán)天空。