MOSFET 工作頻率高一般可以做到400-500K 而IGBT最多做到100K

IGBT流過(guò)的電流大,耐壓比較高,就是應(yīng)用的頻率較低.

IGBT電流大,是因?yàn)樗荕OS管和晶體管的復(fù)合體,
同時(shí)由于三極管的原因,所以它的工作頻率會(huì)受到限制

IGBT是電力MOSFET與GTR的復(fù)合型器件.電力MOS是單極型電壓驅(qū)動(dòng)器件,開(kāi)關(guān)速度快,輸入阻抗高,熱穩(wěn)定性好,所需驅(qū)動(dòng)功率小且驅(qū)動(dòng)電路簡(jiǎn)單.GTR是雙極型電流驅(qū)動(dòng)器件,具有電導(dǎo)調(diào)制效應(yīng),故流通能力很強(qiáng),但開(kāi)關(guān)速度較低,驅(qū)動(dòng)功率大切驅(qū)動(dòng)電路復(fù)雜.MOS與GTR按達(dá)林頓結(jié)構(gòu)組成IGBT,實(shí)際上是用MOS去驅(qū)動(dòng)GTR,所以IGBT綜合了兩者的優(yōu)點(diǎn).

樓上說(shuō)的非常對(duì),不過(guò)文“電力”不太合適,應(yīng)該改成“功率”.英文為Power MOSFET,在這里不是電力,應(yīng)該解釋為功率

POWER譯成電力也是對(duì)的,比如,power electronics譯為電力電子,這種說(shuō)法在國(guó)內(nèi)比較通行,但我覺(jué)得,譯為功率電子更為貼切.

謝謝大家指正.

看來(lái)我錯(cuò)了

學(xué)習(xí)了！

"電力電子"屬按用途來(lái)譯的，比一般“意譯”更意譯，但更容易理解。