頂!
建議老兄你出本書(shū)算了,我第一個(gè)來(lái)買(mǎi).

頂
對(duì),大家都來(lái)學(xué)習(xí)學(xué)習(xí)

頂
我也認(rèn)同,出本書(shū)我也買(mǎi).

同意
對(duì)我們新手很有幫助哦!

我也頂!
很好的一些問(wèn)題,新手們等待大俠們多多發(fā)文,讓我們采鳥(niǎo)們多些學(xué)習(xí)機(jī)會(huì)!

嘻嘻
我是低手,所以等著看文章

都是好題目
關(guān)注第四點(diǎn)

我頂!
急盼老兄跟劉勝利樣,出本書(shū)來(lái),學(xué)習(xí)學(xué)習(xí).純粹的理論和應(yīng)用工程技術(shù)畢竟有很大的差別!

反激電源多路輸出交叉調(diào)整率的產(chǎn)生原因和改進(jìn)方法.
理論上反激電源比正激電源更使用于多路輸出,但實(shí)際上反擊電源的多路輸出交叉調(diào)整率比正激電源更難做,這主要是正激后面加了個(gè)偶合電感,而反激的漏感不是零.
很多人做反激電源時(shí)都遇到這個(gè)問(wèn)題,一路輸出穩(wěn)定性非常好,但多路輸出時(shí)沒(méi)有直接取反饋的路的電壓會(huì)隨其他路的負(fù)載變化而劇烈變化,這是什么原因呢?
  原來(lái),在MOS關(guān)斷,次級(jí)輸出時(shí)能量的分配是有規(guī)律的,它是按漏感的大小來(lái)分配,具體是按匝比的平方來(lái)分配(這個(gè)可以證明,把其他路等效到一路就可得出結(jié)果)如:5V 3匝,漏感1uH,12V 7匝,如果漏感為(7/3)(平方)*1=5.4uH,則兩路輸出的電流變化率是一樣的,沒(méi)有交叉調(diào)整率的問(wèn)題,但如果漏感不匹配時(shí),就會(huì)有很多方面影響到輸出調(diào)整率:1.次級(jí)漏感,這是明顯的; 2,輸入電壓,如果設(shè)計(jì)不是很連續(xù),則在高壓時(shí)進(jìn)入DCM狀態(tài),DCM時(shí)由于電流沒(méi)有后面的平臺(tái),漏感影響更顯著.
改進(jìn)方法:1,變壓器工藝,讓功率比較大,電壓比較低的繞組最靠近初級(jí),其漏感最小,電壓比較高,功率比較小的遠(yuǎn)離初級(jí),這樣就增加了其漏感.2,電路方法,電壓輸出較高的繞組在整流管前面加一個(gè)小的磁珠或一個(gè)小的電感,人為增加其漏感,這樣電流的變化率就接近于主輸出,電壓就穩(wěn)定.3,電壓相近的輸出,如:3.3V 5V,按我們的解釋其漏感應(yīng)該差別很小,這時(shí)就要把這兩個(gè)繞組繞在同一層里面,甚至有時(shí)候5V要借用3.3的繞組,也就是所謂的堆疊繞法,來(lái)保證其漏感比.
另外有時(shí)候電壓不平衡是由于算出的匝數(shù)不為整數(shù)造成的,如半匝,當(dāng)然半匝是有辦法繞的,但半匝的繞法也是很危險(xiǎn)的(可參考其他資料),這是我們可以通過(guò)二極管的壓降來(lái)調(diào)整,如12V用7匝,5V用3匝,如果發(fā)現(xiàn)12V偏高,則12V借用5V的3匝,但剩下的4匝的起點(diǎn)從5V輸出的整流管后面連接,則12V的整流管的壓降為兩組輸出整流管的壓降和,如:0.5(5V)+0.7(12V)=1.2V,另外12V輸出負(fù)載變化時(shí),其電流必然引起5V整流管的壓降變化,也就是5V輸出變化,而5V的變化會(huì)通過(guò)反饋調(diào)整,這樣也間接控制了12V.

反激好處也很明顯
除了反沖續(xù)流不用加,假負(fù)荷也可以不加吧!

不解渴!
1、關(guān)于匝比平方的問(wèn)題是這樣的:電感值L=匝數(shù)的平方*AL(磁芯的電感因子).本質(zhì)上還是電感量的問(wèn)題.能量:P=1/2LI^2.
2、漏感隨便怎么調(diào),如果不采取穩(wěn)壓措施一個(gè)繞組的負(fù)載狀態(tài)(I)都會(huì)影響另一繞組.(個(gè)人觀(guān)點(diǎn))

千萬(wàn)不要忽視理論!
理論是指導(dǎo)實(shí)踐的,這是真理,如果沒(méi)有理論,當(dāng)你有問(wèn)題時(shí)就無(wú)處下手,有的人就到處改,到處試,改好了也不知道其所以然.要知道,電源設(shè)計(jì)應(yīng)該是一個(gè)嚴(yán)格的數(shù)學(xué)過(guò)程,如果不能做到這一點(diǎn),說(shuō)明還有很多東西需要學(xué)習(xí).
   如果我真寫(xiě)書(shū)的話(huà),每一點(diǎn)都會(huì)有理論解釋,只是在BBS上,畫(huà)圖,寫(xiě)公式都很麻煩(實(shí)際上我根本就不知道怎么弄),所以只能寫(xiě)幾句.
   劉勝利很熟悉,還送了我一本書(shū),他的書(shū)基本上是實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)堆起來(lái)的,很佩服老劉的精神,很大年紀(jì)了還在做實(shí)驗(yàn)研究.不過(guò)老人家很好玩:你跟他講話(huà)一定要先讓他講完,否則插不進(jìn)嘴.

回答.
1.你說(shuō)的問(wèn)題是電感的電感量,而漏感是不遵守這個(gè)規(guī)律的,你可以把其他組的電壓,電流,漏感等效到一組,然后
就看到我的結(jié)論,只有每個(gè)繞組的電流上升率一樣時(shí),理論上電壓就不會(huì)再隨負(fù)載而變化.
2.因?yàn)槁└惺芎芏嘁蛩氐挠绊?不可能完全調(diào)整到理想狀態(tài),所以實(shí)際上一個(gè)繞組還會(huì)影響另一個(gè)繞組,但可以把這個(gè)影響減到實(shí)際產(chǎn)品可應(yīng)用的水平,而不需要加二次穩(wěn)壓.

有點(diǎn)糊涂
1.繞組的漏感和它的輸出電流有關(guān)嗎?
2.如果沒(méi)有關(guān)系(或關(guān)系不大),根據(jù)上面講的(在MOS關(guān)斷,次級(jí)輸出時(shí)能量的分配是有規(guī)律的,它是按漏感的大小來(lái)分配,具體是按匝比的平方來(lái)分配),該繞組分配所得的能量豈不是與輸出負(fù)載無(wú)關(guān)?

有點(diǎn)問(wèn)題請(qǐng)教!
如果是兩路,一路功率大輸出電壓高,另一路功率小,輸出電壓低,則那一路靠近初級(jí)?
多路輸出是用夾層饒法,還是普通饒法?
謝謝!

活學(xué)活用一回,不知CMG給我打幾分(就算滿(mǎn)分100吧)
根據(jù)CMG的方法,可能是這樣:
1、靠近磁芯的應(yīng)該是N*I值大的那路.
2、至于是夾層饒法還是順序饒法要看你關(guān)注電源的什么性能(參數(shù)).

大家不要錯(cuò)過(guò)學(xué)習(xí)的機(jī)會(huì)啊
這么多人看了,為什么不發(fā)言呢?搞懂了的再解釋的通俗點(diǎn),不清楚的不妨再來(lái)點(diǎn)疑問(wèn).

各位,實(shí)際問(wèn)題請(qǐng)教
小弟,電源行業(yè)入行兩年,經(jīng)驗(yàn)和理論都不足,不久前才發(fā)現(xiàn)這么個(gè)好地方,目前在上海工作,以后要想各位多多請(qǐng)教,
  目前正經(jīng)手一背投電視上用的開(kāi)關(guān)電源,具體情況是100-240Vac in先PFC然后反激PWM,都是硬開(kāi)關(guān),PFC出來(lái)要有380V,0.4A去點(diǎn)燈,然后pwm輸出有5V,4A\\3.3V,2A
\\12V,1A\\-12V,1A\\ 隔離地21V,1-3.5A\\,我現(xiàn)在功能方面的問(wèn)題主要是3.3v的問(wèn)題,我把5V做主控回路,3.3V上用的LDO,但是要損耗3.4W,發(fā)熱兩太大,不知道各位有什么妙招可以不用加LDO讓3.3V很穩(wěn)壓呢,因?yàn)檫@個(gè)是個(gè)數(shù)字電視的主芯片供電,要求精度很高!

問(wèn)題?
LDO 是啥東東?????

LDO
LOW DROPOUT REGULATOR

沒(méi)有不要錢(qián)的方案.
如果有又不花錢(qián)又性能好的方案,早就滿(mǎn)街都是了.
你的3.3V要求的精度是多少? 5%? 3%?

是啊!
3%,所以現(xiàn)在比較 困難啊,!

磁放如何?
不嫌復(fù)雜的話(huà)用磁放.

是啊
磁飽和放大反饋嗎?這方面的我沒(méi)有經(jīng)歷過(guò),所以沒(méi)什么經(jīng)驗(yàn)和資料,還望各位對(duì)對(duì)指點(diǎn),說(shuō)的仔細(xì)點(diǎn)啊

磁放
如果想精度高而又損耗小,磁放是一個(gè)選擇.具體內(nèi)容前面有個(gè)帖子說(shuō)得很清楚,可以去看看,不是很復(fù)雜.

reply
我從來(lái)沒(méi)有在反擊上用過(guò)磁放,理論上沒(méi)有問(wèn)題,但實(shí)際中我卻從來(lái)沒(méi)有看到有人這樣做.小心小心.
我認(rèn)為自己用mosfet做線(xiàn)性穩(wěn)壓比用LDO好一些, 這樣加在穩(wěn)壓電路上的壓降可以小一些,當(dāng)然,變壓器中的圈數(shù)要少一些.用Rdson小一點(diǎn)的管子(如50mR),整流出來(lái)的電壓達(dá)到3.4V(最差條件)就完全可以了.

請(qǐng)問(wèn):環(huán)路、漏感與占空比的關(guān)系
FLYBACK或FORWARD電路,我曾經(jīng)有一些電路,設(shè)計(jì)和實(shí)際調(diào)試值有比較大的區(qū)別,比如:做寬電壓,高壓正常,低壓時(shí)占空比上不去.一般只能到45%左右.但我有一次做一個(gè)5V/20A時(shí),芯片是3842,僅調(diào)試環(huán)路參數(shù)(原來(lái)扳子是5V/15A,實(shí)際只能工作在5V12A左右),加了兩個(gè)小電容,電阻就輕松解決.占空比能上到65%以上,主電路一樣.花了我一禮拜的時(shí)間.不過(guò)我現(xiàn)在還是不太明白.

用MOSFET改善效果不理想
要考慮主控回路空載,線(xiàn)性穩(wěn)壓這一路滿(mǎn)載的情況,在這個(gè)時(shí)候?qū)⒆儔浩鞯娜?shù)調(diào)整到合乎要求的話(huà),在主控回路滿(mǎn)載時(shí),MOSFET上的壓降就基本與Rdson無(wú)關(guān)了.

解決方案
請(qǐng)參考我以前發(fā)的貼,原題好象是\"~{Hg:N=55M~}FORWARD~{<99~}變換~{Fw~}儲(chǔ)~{D~}電~{8P5D~}臨~{=g~}電

對(duì)改進(jìn)方法的疑惑(未完,待續(xù))
疑惑1:這樣做的目的是使大功率繞組與變壓器成緊偶合,小功率繞組松偶合.我們可以這樣理解,變壓器的B的變化主要取決于大功率繞組的電流I1.由于小功率繞組(V2,I2)是松偶合,故而I1的變化導(dǎo)致的B的變化,對(duì)V2影響不大.但是,V2畢竟是B的變化產(chǎn)生,即使是松偶合,I1的變化也將導(dǎo)致V2的變化.這樣做還有個(gè)問(wèn)題,就是白白浪費(fèi)了N2的匝數(shù),實(shí)際承擔(dān)分壓比的匝數(shù)小于實(shí)際的匝數(shù).