請問下
片內(nèi)MOS管,峰值電流控制的IC,做成的反激電源。工作在斷續(xù)模式。
當負載越來越大,大到MOS管的峰值電流到極限時(即峰值控制電流保持此值不會再變大了)
此時負載繼續(xù)加大,請問輔助繞組上的電壓是如何變化的, 謝謝。
請問下
片內(nèi)MOS管,峰值電流控制的IC,做成的反激電源。工作在斷續(xù)模式。
當負載越來越大,大到MOS管的峰值電流到極限時(即峰值控制電流保持此值不會再變大了)
此時負載繼續(xù)加大,請問輔助繞組上的電壓是如何變化的, 謝謝。
我覺得輔助繞組的電壓是根據(jù)芯片的頻率設(shè)置而決定 因為輔助繞組的電壓取決于次級輸出電壓 當在初級的峰值電流達到最大時 加大次級負載時 TOFF會減小 工作頻率會增大 根據(jù)伏秒平衡 VIN*TON=VO*TOFF,次級輸出電壓VO會變大,那么輔助繞組電壓也會變大 ;當芯片頻率是固定的一個值時,受前段功率的限制,可能會出現(xiàn)帶載能力不行,也就是說負載會斷續(xù)工作,輔助繞組電壓的有效值會減小