大家好！我想和大家討論一下反激中mosfet關(guān)斷時(shí)結(jié)合RCD吸收電路Vds的波形！
我的理解：當(dāng)mos關(guān)斷后，漏感電流給mos漏源電容充電，當(dāng)Vds電壓上升到Vin+Vc時(shí)，RCD電路導(dǎo)通，漏感電流給電容C充電。此時(shí)Vds波形電壓就被鉗位在Vin+Vc。
這只是我很粗略的理解。我觀測(cè)Vds波形，還會(huì)有 一個(gè)振蕩。對(duì)于其中的過程，真的不太理解。希望前輩們可以詳細(xì)的講解一下。非常感謝！
實(shí)際上，RCD就是為了吸收Vpeak的過高尖峰，當(dāng)然它的缺點(diǎn)就是會(huì)影響機(jī)子的整體效率（又吸收就有功率損耗嘛?。?。
至于你提到的問題，不妨用簡(jiǎn)單的邏輯式表達(dá)：f=1/2pie*根號(hào)(L*C);
其中的f就是你所提及的前面多個(gè)振蕩的平均頻率；L就是你圖示的漏感；C近視為你RCD中的電容。所以你就可以不難理解他們之間的關(guān)系了。
我前面提到的RCD功耗可以表達(dá)為：P=1/2*C*V^2*F,了解這點(diǎn)，對(duì)你以后如何提高機(jī)子效率有一丁點(diǎn)的幫助。
再想想：RCD中的R，C和f會(huì)是什么關(guān)系呢？
呵呵～
我以前一直認(rèn)為那個(gè)振蕩是L跟開關(guān)管的Cds之間振蕩的呢？
