84點(diǎn)多已經(jīng)比較高啦，你的設(shè)計要求是多少？

圈比減小一點(diǎn)點(diǎn)試一下，加粗次級的三重絕緣線試一下，改用大電流一點(diǎn)的開關(guān)管試一下。

要求過能效5的，能效5的標(biāo)準(zhǔn)就要84.6了，最低也要保證有2個點(diǎn)的余量。我的次級現(xiàn)在是3支.035的三重絕緣線并繞的。肖特基現(xiàn)在是10A 100V的。用20A 100V的會高一點(diǎn)點(diǎn)，還是不夠。

你的電流密度到10A了 至少0.45mm

變壓器改為次夾初的繞法，次級為6支0.35MM的三重絕緣線，初級0.45的線。肖特基用兩個10A 100V的并聯(lián)。效率還是只有0.8個點(diǎn)的余量。是不是高手今天都休息啦？調(diào)試中。。。

肖特基改用60V 20A的管子 效率會上1到2個點(diǎn)

調(diào)整一下咂比和電感量看看,還有就是你的D3換成FR107看看，你的MOS 7N60是用的什么品牌的，內(nèi)阻多少，可以換換其他家的MOS看看，每一家的MOS內(nèi)阻都是有差別的

最好用20A/100V的,你有snubber吸收太重了,啟動電阻也太小,為了啟動時間的話建議用AC啟動+二極啟動.變壓器CCM深度設(shè)計的深一點(diǎn),OB2273的OCP補(bǔ)償做的很好不用再接電阻去補(bǔ)的了,然后就是MOS管了如樓上所說.電路的一些固定損耗盡量小一點(diǎn),效率是一點(diǎn)一點(diǎn)摳出來的

 曾經(jīng)用OB2263和GR8835 + MOS 3562 做過12V/3.0A電源，變壓器是EFD30 60：9：10(VCC) 三明治繞法 電感量1.2mH 效率89%

具體是60：7：10 還是60：9：10記不大清了。

你是吳中貴吧，我認(rèn)識你，以前我和你是同一個廠的，現(xiàn)在你在哪高就了

可以試一下賽威科技的高效率PWM控制器SF5545。 SF5545采用賽威科技專利的“優(yōu)化降頻”和“效率均衡”技術(shù)，效率比OB2273高。

針對這種情況，賽威科技在業(yè)內(nèi)首創(chuàng)“優(yōu)化降頻”和“效率均衡”技術(shù)，大大挖掘提升了PWM控制技術(shù)在輕載時的能效，使之接近PWM控制技術(shù)的理論能效極限。優(yōu)化全電壓全負(fù)載范圍內(nèi)的效率，需要處理兩個方面的難題：(1) 需要一種優(yōu)化的降頻方式。(2)需要補(bǔ)償高低壓能效的差異。賽威科技首創(chuàng)的“優(yōu)化降頻”和“效率均衡”技術(shù)應(yīng)對了這兩個方面的挑戰(zhàn)。賽威科技IC研發(fā)總監(jiān)林官秋指出：理論分析證明存在一條非線性的優(yōu)化降頻曲線，使得單電壓下能效測試中的四點(diǎn)(25%, 50%, 75%, 100%)效率曲線趨于平坦，從而提升了輕載能效。同時“效率均衡”技術(shù)相當(dāng)于設(shè)定了不同負(fù)載在優(yōu)化的降頻曲線的相對位置，并且補(bǔ)償了高低壓效率在輕載時的差異，所以“優(yōu)化降頻”技術(shù)和“效率均衡”技術(shù)的結(jié)合能夠優(yōu)化全電壓全負(fù)載范圍的能效，是滿足“能源之星”EPS2.0 和五級能效標(biāo)準(zhǔn)的最佳技術(shù)選擇。

呵呵！！貴哥

學(xué)習(xí)一下,沒有用過OB2273

統(tǒng)統(tǒng)看了一遍！

你可否知道誰是現(xiàn)在耗能最大的？第二是誰？第三？你把前三名任意解決兩個，或第一個解決，那就達(dá)標(biāo)了！

1 找熱點(diǎn)

2 該變壓器

NE1102

個人覺得，EFD25做12V3A，明顯變壓器功率不足，建意換PQ2620試試

出于成本考慮，EFD25做36W差不多了。

板端效率還拿出來炫耀.

一般線端都能達(dá)到平均88%

你把整流管換幾個品牌的試一下，會提升2個點(diǎn)左右。

變壓器再設(shè)計一下，次級尖峰電壓不超過60V。選用60V的整流管，效率就上來了

別用肖特基了，還是用同步整流器吧！

這個同步整流是怎么處理的