看來是碰到行家了，是3862.明天我試試吧印制板割斷接到輸出端看看。

還有個問題：輸入電壓在25V以下時，紋波波形正常，25V以上開始振了，漏極波形類似與“打嗝”。是不是因為輸入與輸出電業(yè)接近造成的？有沒有什么號的辦法解決？

3782是2相的，但不是交錯的，

3862沒整過

按常理信號地應該是在輸入地吧？我也有點迷惘，信號地到底應該接在哪里

我明天先試試接到輸出端看看

我一般都是接輸入地

今天試了改變信號地接地點，沒什么變化，還是接到輸入地了。 

漏極波形不穩(wěn)倒是不影響紋波，但是輸入電壓升高到26V時，漏極波形出現(xiàn)類似“打嗝”現(xiàn)象，紋波也出現(xiàn)振蕩。

是不是輸入接近輸出造成的？有什么辦法解決？

下面是正常時候的波形：

展開：

大家?guī)兔υ\斷診斷啊

既然你設計的是4層板，如果只是將TOP層、BOT層斷開接到輸出地，那內(nèi)層的地還是沒有改變地線的位置啊，這樣改動只會造成接地的混亂，一般的說，無論是BOOST還是BUCK電路，輸出肯定經(jīng)過整流濾波，同時，為了達到濾波的效果，都會有較輸入濾波大得多的電容平滑紋波，而且我們測量紋波的時候也是同時夾到輸出的2端的，沒有任何測量紋波范例是將參考地接到輸入地與輸出+端的（如果輸入端還有共模濾波呢，那地是接到共模的入端還是出端？），所以輸出的地應該是作為參考地的。

輸入輸出相差1V的BOOST，我沒有做過，應該是很難的，如果除去整流管的壓降，只有0.5V左右，按輸出精度+-1%，都有0.27V了，0.5-0.27=0.23V，還怎么穩(wěn)壓？DC-DC不是LDO呀。

最后的辦法，請LT的技術(shù)支持幫你。

把你電路圖弄出來大家分析分析呀！之前我們也遇到過這種情況，是在驅(qū)動一塊參數(shù)有問題。

 我斷開地線的時候中間層是斷開的，量過了

原理圖如下：

問題解決了。

ttkx365是對的。我把輸出采樣的地接到輸入地了，剛才改到輸出地上，問題解決了。雖然還是有一點點，但是已經(jīng)不影響我的指標了。

附上兩者對比圖片：

采樣地接到輸入端：

接到輸出地：

整流管是STPS30H60，30A/60V的，D2PAK封裝，昨天加電滿載工作一小時，沒有任何額外散熱措施，二極管是有點燙手，不過還能接受。但是密閉環(huán)境中肯定不行了，所以后面還得想辦法加強散熱。

倒是MOS和電流采樣電阻在低壓輸入的時候發(fā)熱嚴重，時間一長手就不敢摸了，不能長時間工作。目前用的MOS管RDS是17毫歐，準備換為7毫歐的再試試。電流采樣電阻5毫歐，恐怕不能再小了?，F(xiàn)在正在考慮怎么額外增加散熱呢。

你有什么好的辦法嗎？你的散熱器是怎么貼的？我實際的板子可能會比目前的大一點

我板子的頂層（還得調(diào)整，散熱面積還得加大）：

MOSFET最熱的情況是在25V輸入的時候還是15V的時候還是全都這么熱？理論上，BOOST電路損耗最大的應該是整流管，開關(guān)管上的損耗是很少的，而且SI7852的封裝散熱應該很好的，3862沒有接觸過，不知道驅(qū)動電壓是不是5V的，如果是5V的，SI7852的驅(qū)動就有點不匹配，換個5V驅(qū)動的MOSFET試一試，而且用這么好的MOSFET，1只就足夠應付了，不需要2只并聯(lián)的，并聯(lián)后不單增加了排版的復雜性，分布電容也同時增大，反而會降低性能。你可以去掉1只試驗一下。

我的散熱辦法是用3M的導熱雙面膠粘貼鋁散熱器15（長）*10*10到整流管旁邊，協(xié)助散熱，但即使這樣，也需要有良好的散熱通道才行，在封閉的情況下（滿負荷運行），時間長了還是會燒。

采樣電阻我用威世的3W合金金屬箔電阻，1只搞定，溫度都在75~80度（25度環(huán)境下），不怕它損壞，嘿嘿。

1.低壓輸入的時候熱，應該是因為輸入電流大，MOS和電阻上損耗增大，二極管溫度倒還可以

2.3862出來的驅(qū)動我測過，是10V的，并聯(lián)主要是想盡量減小RDS，而且兩個MOS分擔一下也踏實點

3.至于散熱，照你說的先試試

下來準備換成這個管子，RDS更小，只有7毫歐

如果只是低壓輸入的時候MOSFET較熱那還是可以理解的。

只是PCB上怎么多的焊盤（看上去應該不是過孔吧？當然焊盤一定程度也是一樣的）是什么作用？過到其它層幫助散熱？

是的，充分利用其它層。

另外，有一部分是焊盤，原來打算用立式骨架繞電感，后來直接用鐵硅鋁磁環(huán)了，那些焊盤沒用了

這個值得研究，是否必須使用4層板或者是6層板呢