同步整流MOS管發(fā)熱很大
最近做了一個(gè)100W電源，輸入AC100-AC240V,輸出18V5.5A,由于外殼為塑料殼且空間有限，輸出采用同步整流。用了銳駿的MOS管，RU80N15R,內(nèi)阻才30mR，為何MOS管很燙。散熱片的尺寸為110mmX25mmXT3。搞了好久一直沒弄明白。換了RU190N15R,內(nèi)阻才15mR,可是發(fā)熱還是很大，不知道是啥原因。
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@grace.don
那個(gè)是參考地的問題。VGS電壓是12V，今天在同步整流MOS管上并了個(gè)肖特基，MOS管還是那么熱，肖特基不怎么發(fā)熱。會(huì)不會(huì)是我的散熱不夠，同步整流的MOS峰值電流較大，來不及散熱導(dǎo)致內(nèi)阻加大，從而越來越熱？
你這個(gè)SR1的驅(qū)動(dòng)輸出口是什么結(jié)構(gòu)？ 4腳是地嗎？ S和GND內(nèi)部是連著的嗎？ 還是隔離的？ 我不知道這是什么芯片，不好說。 不過 從你的現(xiàn)象來看 我覺得是驅(qū)動(dòng)電壓不夠，導(dǎo)致MOS工作在線性區(qū)，MOS開關(guān)不完全，才會(huì)這么熱的！ 估計(jì)你用導(dǎo)通電壓較低的二極管整都沒這么燙，因?yàn)槟愕碾娏鞑凰愦蟆?nbsp; 你是怎么測試Q7驅(qū)動(dòng)波形的？ 探頭地線是夾在Q7的S？
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@NATE007
[圖片] 你這個(gè)SR1的驅(qū)動(dòng)輸出口是什么結(jié)構(gòu)？ 4腳是地嗎？S和GND內(nèi)部是連著的嗎？還是隔離的？ 我不知道這是什么芯片，不好說。 不過從你的現(xiàn)象來看 我覺得是驅(qū)動(dòng)電壓不夠，導(dǎo)致MOS工作在線性區(qū)，MOS開關(guān)不完全，才會(huì)這么熱的！ 估計(jì)你用導(dǎo)通電壓較低的二極管整都沒這么燙，因?yàn)槟愕碾娏鞑凰愦蟆?nbsp;你是怎么測試Q7驅(qū)動(dòng)波形的？探頭地線是夾在Q7的S？
那個(gè)就是同步整流的部分電路，板面畫不上了，只好畫一小板。探頭接的是輸出地上。如果接在S腳上，輸出是12V。我那MOS管接的是高壓側(cè)，有另外一個(gè)繞組供電。由于滿載時(shí)電壓較高，所以才加一三極管穩(wěn)壓電路。
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@NATE007
[圖片] 你這個(gè)SR1的驅(qū)動(dòng)輸出口是什么結(jié)構(gòu)？ 4腳是地嗎？S和GND內(nèi)部是連著的嗎？還是隔離的？ 我不知道這是什么芯片，不好說。 不過從你的現(xiàn)象來看 我覺得是驅(qū)動(dòng)電壓不夠，導(dǎo)致MOS工作在線性區(qū)，MOS開關(guān)不完全，才會(huì)這么熱的！ 估計(jì)你用導(dǎo)通電壓較低的二極管整都沒這么燙，因?yàn)槟愕碾娏鞑凰愦蟆?nbsp;你是怎么測試Q7驅(qū)動(dòng)波形的？探頭地線是夾在Q7的S？
肖特基的會(huì)更燙，耐壓在100V以上的管子，一般管壓降會(huì)在0.65V左右。單這個(gè)就要耗掉3W了，還有反壓的損耗，那個(gè)溫度會(huì)上110度。殼子是塑料的，不敢這么搞啊。目前變壓器及PFC的電感溫度降下來了，85度。但是PFC之后的那個(gè)電容、原邊MOS及PFC的MOS以及同步整流MOS還是比較燙
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@NATE007
[圖片] 你這個(gè)SR1的驅(qū)動(dòng)輸出口是什么結(jié)構(gòu)？ 4腳是地嗎？S和GND內(nèi)部是連著的嗎？還是隔離的？ 我不知道這是什么芯片，不好說。 不過從你的現(xiàn)象來看 我覺得是驅(qū)動(dòng)電壓不夠，導(dǎo)致MOS工作在線性區(qū)，MOS開關(guān)不完全，才會(huì)這么熱的！ 估計(jì)你用導(dǎo)通電壓較低的二極管整都沒這么燙，因?yàn)槟愕碾娏鞑凰愦蟆?nbsp;你是怎么測試Q7驅(qū)動(dòng)波形的？探頭地線是夾在Q7的S？
對(duì)了，一般來說，你設(shè)計(jì)的變壓器反射電壓VOR會(huì)設(shè)計(jì)在幾伏？我一般是設(shè)計(jì)在100－120V，設(shè)計(jì)得高了MOS耐壓經(jīng)常會(huì)頂不住；可是設(shè)計(jì)得低了，MOS的電流就大，發(fā)熱也大，變壓器也燙。真的不是很好做啊
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@NATE007
[圖片] 你這個(gè)SR1的驅(qū)動(dòng)輸出口是什么結(jié)構(gòu)？ 4腳是地嗎？S和GND內(nèi)部是連著的嗎？還是隔離的？ 我不知道這是什么芯片，不好說。 不過從你的現(xiàn)象來看 我覺得是驅(qū)動(dòng)電壓不夠，導(dǎo)致MOS工作在線性區(qū)，MOS開關(guān)不完全，才會(huì)這么熱的！ 估計(jì)你用導(dǎo)通電壓較低的二極管整都沒這么燙，因?yàn)槟愕碾娏鞑凰愦蟆?nbsp;你是怎么測試Q7驅(qū)動(dòng)波形的？探頭地線是夾在Q7的S？
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@grtang
有可能是兩個(gè)探頭的地線相互干擾。把通道1去掉，單獨(dú)測試通道2，看看還有沒有雜訊。另外可以測試次級(jí)繞組的電壓波形，也可以判斷時(shí)序同步。此時(shí)兩個(gè)探頭的地線是連接在一起的。最好是測MOSFET的Id和Vgs，精確觀察時(shí)序的同步問題。
確實(shí)是探頭引入的干擾，我把通信2的地線也接到S腳波形就基本正常了。從波形來看，同步整流DRIVER確實(shí)關(guān)斷的早了，開啟倒是正常的。
從上圖可以看出同步整流的DRIVER腳輸出提前關(guān)斷了1.5uS
上圖是我關(guān)斷時(shí)下拉電阻加大到47歐的后到MOS管G腳的VGS波形，雖然減緩了關(guān)斷時(shí)間，由于MOS管G腳的電壓下降了，可能損耗還是會(huì)比較大。
上圖是與原邊VDS比較的波形，只能說工作是比較正常了，不過還是比較燙。
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@grace.don
最近拿了幾個(gè)N3870樣片，N3870與N3867一個(gè)樣，波形提前關(guān)斷了整整2uS，比我現(xiàn)在用的還糟糕?。?！溫度也高了25度,散熱片都達(dá)到110度了。[圖片] 波形展開如下： [圖片]
從波形上看就能看出來你的波形不對(duì)，沒有調(diào)好。同步整流如果沒調(diào)好，會(huì)比肖特基整流的效率還要低的。如果你相信我的話，請(qǐng)聯(lián)絡(luò)我，我會(huì)負(fù)責(zé)幫你調(diào)好的。13927409969 JEFF200505@163.COM
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@NATE007
[圖片] 你這個(gè)SR1的驅(qū)動(dòng)輸出口是什么結(jié)構(gòu)？ 4腳是地嗎？S和GND內(nèi)部是連著的嗎？還是隔離的？ 我不知道這是什么芯片，不好說。 不過從你的現(xiàn)象來看 我覺得是驅(qū)動(dòng)電壓不夠，導(dǎo)致MOS工作在線性區(qū)，MOS開關(guān)不完全，才會(huì)這么熱的！ 估計(jì)你用導(dǎo)通電壓較低的二極管整都沒這么燙，因?yàn)槟愕碾娏鞑凰愦蟆?nbsp;你是怎么測試Q7驅(qū)動(dòng)波形的？探頭地線是夾在Q7的S？
您的場管DS極調(diào)過來就可以了
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