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單片機(jī)的PWM驅(qū)動(dòng)功率MOSFET的問(wèn)題

  我計(jì)劃用單片機(jī)輸出的50K PWM脈沖來(lái)驅(qū)動(dòng)MOSFET調(diào)節(jié)負(fù)載的功率,現(xiàn)在的問(wèn)題是:
1,單片機(jī)的工作電壓為5V,所以PWM輸出的幅值也為5V,但我選用的功率MOSFET,需要至少3V的電壓才導(dǎo)通,實(shí)際使用表示,如果用單片機(jī)的輸出直接驅(qū)動(dòng)MOSFET,MOSFET會(huì)很熱。
2,基于1,我設(shè)計(jì)了圖A與圖B兩種電路,不知道圖A中的圖騰柱是否需要。

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hechaocao
LV.5
2
2011-08-20 00:08

感覺(jué)    把圖騰接到mos管更近為好

先電平轉(zhuǎn)換  再圖騰  

就是B加圖騰驅(qū)動(dòng)

還請(qǐng)老師些來(lái)指正

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midway
LV.3
3
2011-08-20 06:06

感覺(jué)把圖二中的Q4改為小功率MOSFET更好, 既不需要圖騰柱,速度也比較快。

這個(gè)電路要考慮的是R10電阻值1k會(huì)讓MOSFET導(dǎo)通延遲增加,尤其是在輸入只有9伏的時(shí)候更嚴(yán)重。如果影響不大則沒(méi)問(wèn)題。 

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hour
LV.6
4
2011-08-20 08:59
@midway
感覺(jué)把圖二中的Q4改為小功率MOSFET更好,既不需要圖騰柱,速度也比較快。這個(gè)電路要考慮的是R10電阻值1k會(huì)讓MOSFET導(dǎo)通延遲增加,尤其是在輸入只有9伏的時(shí)候更嚴(yán)重。如果影響不大則沒(méi)問(wèn)題。 

感覺(jué)hechaocao說(shuō)的很有道理,所以我改成圖C與圖D,請(qǐng)大家再指正,

 

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2011-08-20 10:04
@hour
感覺(jué)hechaocao說(shuō)的很有道理,所以我改成圖C與圖D,請(qǐng)大家再指正,[圖片] 
D中MOS發(fā)熱還是會(huì)很?chē)?yán)重哦
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2011-08-20 10:27

用TLP250吧 隔離驅(qū)動(dòng)簡(jiǎn)單 我前不久也是用8050和8550搭的圖騰柱電路 結(jié)果不小心把同學(xué)的DSP給燒了 所以建議用快速光耦吧

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hour
LV.6
7
2011-08-20 14:26
@qinzhendong
用TLP250吧 隔離驅(qū)動(dòng)簡(jiǎn)單 我前不久也是用8050和8550搭的圖騰柱電路 結(jié)果不小心把同學(xué)的DSP給燒了所以建議用快速光耦吧

不想用TLP250,基于成本考慮啊,大家有更好的驅(qū)動(dòng)嗎?


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GunGp
LV.2
8
2011-08-21 16:40

圖A方案有點(diǎn)不通,圖B方案驅(qū)動(dòng)不對(duì)稱(chēng)。

將A中的電平轉(zhuǎn)換級(jí)拿掉,VGS有4點(diǎn)幾伏還可以啊

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zhxhui
LV.5
9
2011-08-21 17:19

加個(gè)運(yùn)放或比較器,簡(jiǎn)單又方便

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xcyycx
LV.1
10
2011-11-22 09:02

我的個(gè)人感覺(jué):

1.  50K的頻率,用三極管時(shí)導(dǎo)通速度太慢,后級(jí)MOS管容易工作在放大區(qū),所以發(fā)熱會(huì)厲害!建議MCU直接推后級(jí)(MOS G極限流電阻和對(duì)地電阻可適當(dāng)調(diào)整)。

2.  直接用低導(dǎo)通電阻和低開(kāi)啟電壓的MOS,根本不用考慮圖騰啥的。如電腦主板上用的MOS開(kāi)關(guān)管,便宜(幾毛錢(qián)),導(dǎo)通電阻小,發(fā)熱低。(我公司的產(chǎn)品有用3V來(lái)直推MOS,都可以達(dá)到3A以上電流,也不會(huì)過(guò)熱。)

    以上供參考!

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