對(duì)，支持，一般就取七八十伏。

謝謝分享與總結(jié)。

恩，贊同！

能問問樓主，變壓器的實(shí)際設(shè)計(jì)怎么做？比如：Ac 85V-265V   out: 50V/4A   ETD 39磁芯  Ae：125MM平方   繞線匝數(shù)及感量怎么算呀？

edie兄的意思是說(shuō) 200W 的電源功率太大了，不太適合用反激了 ~    一般的說(shuō)法是 - 反激適合做150W以下電源。 

至于反激變壓器的設(shè)計(jì)，你可以參看下面這幾位大蝦的總結(jié) - 這幾篇相對(duì)比較簡(jiǎn)潔一些。萬(wàn)先生的版本圖文并茂， 容易理解，好看一些。不過(guò) ， 第7點(diǎn) - 初級(jí)匝數(shù)的計(jì)算公式有小小錯(cuò)誤。（請(qǐng)參看別人的公式）。陳先生和 evdi 的總結(jié)很精簡(jiǎn) - 公式居多方便查閱。 其中，Vor反激電壓的計(jì)算部分可跳過(guò)，直接定 Dmax 。 另外，如果不介意讀英文的話，F(xiàn)airchild 的 application note寫的也相對(duì)簡(jiǎn)明 - 其中第 1 頁(yè) 的磁芯選擇對(duì)照表對(duì)初學(xué)者來(lái)說(shuō)應(yīng)該很有用。

連續(xù)電流模式反激變壓器的設(shè)計(jì)-萬(wàn)必明 反激變壓器的設(shè)計(jì) - 陳小平 反激式開關(guān)電源變壓器的設(shè)計(jì)(evdi) FairChild 反激變壓器設(shè)計(jì) AN-4140 

謝謝mko145，我的條件有限，最大功率到200W，大部分時(shí)間用到120W左右

7.變壓器初級(jí)匝數(shù)及氣隙長(zhǎng)度的計(jì)算.

1).由Np=Lp*(Ip₁-Ip₂)/[Ae*Bm]

我感覺算匝數(shù)，公式是沒有錯(cuò)，NP=LP*△I/(Ae*BM),個(gè)人認(rèn)為作者考慮了這個(gè)問題所以選擇了0.15。

寫法不嚴(yán)謹(jǐn)，Bm應(yīng)該寫成△B就對(duì)了。 △B是一定要驗(yàn)證的，它是直接和鐵損、銅損相關(guān)的，而不是Bmax。在沒有磁飽和的風(fēng)險(xiǎn)時(shí)，Bmax越高越好。

還有圈數(shù)、電感、電流、氣隙這幾個(gè)東西是相關(guān)的，而不是孤立的。輸出功率相同時(shí)：圈數(shù)不變而增大氣隙，那么電感減小，電流增加，磁感應(yīng)強(qiáng)度降低； 圈數(shù)不變而減小氣隙，那么電感增大，電流減小，磁感應(yīng)強(qiáng)度增加； 圈數(shù)減少同時(shí)減小氣隙以保持電感不變，那么電流不變，磁感應(yīng)強(qiáng)度增加；圈數(shù)增加同時(shí)增大氣隙以保持電感不變，那么電流不變，磁感應(yīng)強(qiáng)度降低。

要不是 amonson兄指出來(lái)我還沒注意到，作者的寫的Bm原意想必是△B，而非Bmax。這樣似乎還說(shuō)的過(guò)去。如果△B選的合適，也能算出差不太遠(yuǎn)的結(jié)果。但理論上講還是錯(cuò)的。
首先，反映連續(xù)深度的 K 取值不同，對(duì)應(yīng)的△B是不同的。而設(shè)計(jì)者必須先估算出一個(gè)合適的△B。這個(gè)估算的值要隨 K  值不同而不同。假設(shè)K=0.1，△B要取2700高斯；而K=0.9， 那這個(gè)△B就要取300高斯了。這根本不是一個(gè)合理的計(jì)算方法。
其次，用△B來(lái)算圈數(shù)理論上是不對(duì)的。我在15帖中已經(jīng)有講，計(jì)算出的初級(jí)圈數(shù)是最大占空比時(shí)變壓器不飽和（如果不考慮鐵損）的最小圈數(shù) ，和△B無(wú)關(guān)。在圈數(shù)的計(jì)算上DCM 和 CCM是沒有區(qū)別的 ~

原作者表示的應(yīng)該是△B，只是沒表述清楚.

△B和Bmax也不是孤立的，公式里Bmax=Lp*Ip/[Ae*Np]，一旦Po和Ip、Lp確定了，那么對(duì)應(yīng)的 △B就在那里了。所以你用Bmax算還是要先假定一個(gè)Ip或者K（Po、Lp和K確定了，Ip也就確定了），Ip和K也不是孤立的，這些變量都是相互關(guān)聯(lián)并影響的。 △B越大鐵損越大， △B越小銅損越大，對(duì)于反激變壓器而言初級(jí)圈數(shù)并不要求十分精確（正激就更別說(shuō)了，那圈數(shù)增減10來(lái)匝都沒問題），調(diào)試時(shí)對(duì)圈數(shù)和氣隙進(jìn)行調(diào)整是常有的事（尤其是RCC，其實(shí)IC控制的變壓器有時(shí)候?yàn)榱烁玫鸟詈希訙p個(gè)幾圈也是很常見的做法），所以用哪個(gè)算都可以。

如果已經(jīng)選定了磁芯，我個(gè)人還更傾向于 △B一些。 J版更蠻干，根本不理會(huì)什么 △B和Bmax，直接從漏感入手，把工藝處理漂亮了回頭再磨氣隙到不飽和即可。參見：http://bbs.dianyuan.com/topic/671166 

工作中的Bm是由工作電流Ip和等效磁路長(zhǎng)度 l 決定的，而Ip是由Lp決定的，l 是由磁芯大小和氣隙長(zhǎng)度決定的，Np不是直接決定因素，同樣的Np不同的氣隙長(zhǎng)度，Bm是不一樣的。Bs是磁性材料的固有屬性，所以只要Bm

你回的那個(gè)貼也沒說(shuō)到點(diǎn)子上，J版都說(shuō)了感量大概在2mH左右，無(wú)論是100圈還是240圈，所以初級(jí)電流是不變的。他只是為了更低的Vf，所以用了高匝比，因?yàn)楹芏嘈酒圃焐淘趦?nèi)置MOS的耐壓上摻了水。銅損肯定是增加了，不過(guò)為了安全工作不得已犧牲效率，好在功率不大，效率損失不嚴(yán)重。

原作者因考慮連續(xù)模式所以要用△B ，斷續(xù)的△B 也就是等于Bmax。

頻率80K，還有點(diǎn)問題就是反激感量和磁芯的選取有關(guān)系沒，比如同樣功率情況下，磁芯大的感量比磁芯小的感量是偏小，對(duì)嗎？

我明白--- 原作者因考慮連續(xù)模式所以要用△B。但在CCM模式下這是不對(duì)的。

我上面已經(jīng)解釋了原因。你可以參看好版在 "【原創(chuàng)】跟我學(xué)系列之四，反激電源及變壓器的設(shè)計(jì)" 里的有關(guān)解釋 ~  有些書中在計(jì)算Np的公式里也用△B，但作者又沒有注明只適用于DCM?？赡苓@就是造成很多人誤解的原因吧。

//如何知道是工作在ccm還是dcm？計(jì)算之前肯定要定一個(gè)工作模式，然后推出Ip和Lp，如果用Bm算Np，那么△B還是需要回頭驗(yàn)算。用△B算Np也需要回頭驗(yàn)算Bm，沒有哪個(gè)一定對(duì)或者錯(cuò)，二者都需要兼顧。但對(duì)于實(shí)際工作來(lái)說(shuō)△B更重要，Bm只要滿足不飽和就可以了，而△B則需要根據(jù)損耗來(lái)調(diào)整。

2. J 版在帖子里沒有說(shuō)感量是2mH，而只是拿2mH來(lái)舉例說(shuō)變壓器的參數(shù)。請(qǐng)參看原文。實(shí)際上他用了多大電感我不知道。但以描述的情況看不像2mH 。因?yàn)槿绻?mH來(lái)計(jì)算，DCM模式，工作在的65KHz時(shí)，Bmax = 0.2T左右， 工作在的50KHz時(shí)，Bmax也大不了太多。磁芯再差也不可能飽和，與文中的描述不符。

//這個(gè)我倒沒看太仔細(xì)，我只理解了大概思路。先考慮工藝，確保最佳偶合，然后再調(diào)整匝數(shù)和電感量，使電路工作在安全范圍內(nèi)。因?yàn)楣β市。运选鰾取得很大，從0到略小于Bs，不管圈數(shù)多少，他都是把磁芯磨到接近飽和的狀態(tài)。

3. 至于我的帖子分析的對(duì)不對(duì)暫且不說(shuō)，amonson 兄講的 “只是為了更低的 Vf，所以用了高匝比” 卻是完全的錯(cuò)了。因?yàn)樵驯仍礁?，則 Vf 越大。

//對(duì)你帖子的分析看你怎么理解了，我盡量避免用對(duì)錯(cuò)這樣的字眼，就是因?yàn)檫@些東西都是相互制約的，很難說(shuō)怎么就錯(cuò)了。再?gòu)?qiáng)調(diào)一下：不要輕易的講用△B算就是錯(cuò)的，用Bs算完還是一樣要回來(lái)驗(yàn)算 △B（當(dāng)然用 △B算了也要驗(yàn)算Bm），這兩個(gè)東西不是只管一個(gè)就可以的。 

Vf這個(gè)問題是我說(shuō)錯(cuò)了，你是對(duì)的，呵呵，你及時(shí)指出來(lái)很好，希望不要誤導(dǎo)其他人。

如果頻率，占空比功率等參數(shù)都一樣的情況下，不管用多大的磁芯,電感量都要取一樣大。換句話說(shuō)，功率的大小和電感有關(guān)，與磁芯的無(wú)關(guān)（不考慮銅損，鐵損）。 電感越小則功率越大。 按你現(xiàn)在的磁芯算了一下 ....... 

輸入電壓（V） Vacmin　　      85 ~ 265 　　

電源功率（W） Pout                  200.0　　

預(yù)設(shè)效率（%）η                   0.86 　　

工作頻率（KHz） f 　　             80 　　

MOS耐壓（V） Vmosmax           600

連續(xù)模式輸入 (K)                    0.60  　　

最大占空比 Dmax　　                0.45　　

磁芯型號(hào)　                           ETD39

磁芯截面（mm2） Ae                 125.0 　　

磁感應(yīng)強(qiáng)度（T） Bm　　          0.29  

DC輸入電壓（V） Vdc                 90.0 ~ 371.0 　　

反射電壓（V） Vf             　　   73.3 　　

周期    (μs) T 　　          　　　　12.50　　

最大導(dǎo)通時(shí)間( μs) t　　　　　　 5.61　　

輸入功率（W） Pin          　　　　   232.56 　　 

初級(jí)電流最大值(A) Ip 　　     　　    8.22 　　

初級(jí)電流最小值(A) IR 　　     　　   3.29 　　

初級(jí)電感量（mH） Lp 　　   　　   0.102  　　

初級(jí)次級(jí)匝數(shù)比 n　　              　　  1.44 　　

初級(jí)匝數(shù)（Turn） Np　　   　　　　   23 　　

次級(jí)匝數(shù)（Turn） Ns　　       　　　　16