升降壓電路 高壓輸入時(shí) MOS 擊穿
如圖,電路輸入10V-30V ,輸出12V 8A,在輸入29V, 輸出短路測(cè)試時(shí),如果Q2 MOS 為STP75NF75,則 負(fù)載正常,過(guò)流保護(hù)正常,短路保護(hù)正常,只是MOS熱量稍大一些.
如果Q2改用IPA028N08N3G,則 負(fù)載正常,過(guò)流保護(hù)正常,短路保護(hù)時(shí)燒MOS IPA028N08N3G(三腳擊穿),看PDF參數(shù)IPA028N08N3G都比STP75NF75強(qiáng)很多,實(shí)際測(cè)試,MOS的熱量也少一些,效果是不錯(cuò),但是如果做短路測(cè)試,就掛了,本人不解,特來(lái)求問(wèn).為什么IPA028N08N3G會(huì)擊穿? 加大MOS驅(qū)動(dòng)電流, 降低驅(qū)動(dòng)電壓,加上消尖鋒電容等.都無(wú)作用,MOS IPA028N08N3G還是擊穿了. PDF如下.
