現(xiàn)在還搞它干嘛,進(jìn)口的有EXB841,國(guó)產(chǎn)的有KA841,直接用多省事!

對(duì),用EXB840/841是個(gè)好辦法,如果要自己做的話,我以前做過的一個(gè)驅(qū)動(dòng)器,可以供你參考:
500) {this.resized=true; this.width=500; this.alt='這是一張縮略圖，點(diǎn)擊可放大。\n按住CTRL，滾動(dòng)鼠標(biāo)滾輪可自由縮放';this.style.cursor='hand'}" onclick="if(!this.resized) {return true;} else {window.open('http://u.dianyuan.com/bbs/u/38/1140794150.jpg');}" onmousewheel="return imgzoom(this);">

后面的那部分,IBGT 是怎么接的?為什么 mosfet S 要抬高 5.1V, 為什么 mosfet D 不直接連接電源而是要通過 R61 和 穩(wěn)壓二極管呢?

是這樣的:+20V和COM是一個(gè)輔助電源.S抬高5.1伏,在驅(qū)動(dòng)管Q6導(dǎo)通時(shí),可以讓IGBT有一個(gè)反偏壓以可靠截止.
U14導(dǎo)通時(shí),顯然IGBT會(huì)立即開通,同時(shí)Q9截止.此時(shí),如果IGBT的導(dǎo)通電壓為0,則D17負(fù)極的電位就是5.1伏,只要IGBT壓降不大于7伏,D19就不會(huì)導(dǎo)通,Q8就會(huì)維持關(guān)斷,IGBT就會(huì)持續(xù)導(dǎo)通.
如果輸出過載,或者電感性負(fù)載的電流過大,IGBT壓降就會(huì)增大,當(dāng)其大于7伏以上時(shí),D19上端電位跟著提高,并開始導(dǎo)通,大約過5uS的時(shí)間,Q8就會(huì)導(dǎo)通,然后IGBT被關(guān)斷,這是一個(gè)保護(hù)性的切斷.
哪怕負(fù)載處于短路狀態(tài),IGBT也會(huì)有至少5uS的導(dǎo)通時(shí)間.C37的作用是為了防止IGBT的突然關(guān)斷,這種情況對(duì)于MOS管來講是允許的,但是對(duì)于IGBT是不允許的.
對(duì)了,這個(gè)電路不是用于驅(qū)動(dòng)MOSFET的,而是用于驅(qū)動(dòng)IGBT電路的.
這個(gè)電路是我自己設(shè)計(jì)的,不足之處還望指正.還有一點(diǎn),這個(gè)電路因?yàn)轫?xiàng)目中途擱淺,所以并未實(shí)施,僅供參考.

多些大蝦指導(dǎo)!
我終于看到反偏壓的設(shè)計(jì)實(shí)例了.

1,只是這樣的的反偏壓,電源就要多出一個(gè)偏壓的負(fù)擔(dān).
也就是說,如果不設(shè)計(jì)反偏壓,則電源可以少掉那個(gè) 5.1V.不知道業(yè)界有沒有不給電源
增加負(fù)擔(dān)的設(shè)計(jì)方法?

2,經(jīng)過你的解釋我明白了,MD 不是給漏極供電的,而是一個(gè)過載的保護(hù)措施.不知道 IGBT
應(yīng)該怎么接,還請(qǐng)大蝦貼出圖來指導(dǎo)我們.

3,9013 系列的晶體管能產(chǎn)生足夠的推動(dòng)電流嗎?對(duì)于推動(dòng)管應(yīng)該如何考慮它的功耗、截止頻率
以及各極限參數(shù)呢?

4,用了很多穩(wěn)壓二極管,會(huì)不會(huì)消耗不少電流啊?造成的效率問題是否比較大?

5,另外,G 的靜電電荷是否也應(yīng)該有一個(gè)保護(hù)電路?

20伏電源是一個(gè)單獨(dú)供電的輔助電源,IGBT工作頻率通常在幾十KHz,這對(duì)于小功率晶體管來講,低頻三極管的頻率就已經(jīng)足夠.
再次提醒,這個(gè)電路沒有經(jīng)過實(shí)施,所以只能供參考而已.

請(qǐng)問D17在這里有什么作用呢?