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低電壓小電流的電機(jī)控制，采用IGBT的效果要差于MOSFET，為何呢？ 加入收藏

做一個(gè)伺服電機(jī)驅(qū)動(dòng)器，48V，電機(jī)額定功率大概200W.

剛開(kāi)始由于沒(méi)有現(xiàn)成的硬件平臺(tái)，就借用空調(diào)控制器硬件作為開(kāi)發(fā)平臺(tái)，功率器件使用的是IPM，光電編碼器接口外接。

調(diào)試中發(fā)現(xiàn)電流波形不是很好，正弦波峰值處會(huì)出現(xiàn)下凹?，F(xiàn)在換做MOSFET作為功率器件(Layout基本相同)，相同的代碼，正弦波要好很多（下凹減弱）。

哪位能解釋一下，為什么呢？是否是因?yàn)镮GBT和MOSFET本身的特性引起的？是如何影響的呢？

謝謝

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hms_ok
LV.6
2
2011-11-23 08:17

低壓方案用IGBT本來(lái)就不好！因?yàn)镮GBT正常導(dǎo)通的時(shí)候，有2-3V的降壓，最低也有1V左右，哪怕電流小也一樣。而MOSFET導(dǎo)通的時(shí)候體現(xiàn)出來(lái)的是電阻，它的降壓與電流成正比，正常選擇的管子降壓只有零點(diǎn)幾伏。

當(dāng)然你的問(wèn)題還與其他很多因素有關(guān)，我只是建議低壓驅(qū)動(dòng)最好不要用IGBT。

0
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xzszrs
LV.11
3
2012-02-08 15:59
可以把調(diào)制度減小一點(diǎn)兒解決正弦波峰值處會(huì)出現(xiàn)下凹的問(wèn)題。
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btma
LV.8
4
2012-02-08 21:37
還是兩者導(dǎo)通機(jī)制不同造成的。IGBT高壓應(yīng)用比較好。
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2012-05-13 04:39
@btma
還是兩者導(dǎo)通機(jī)制不同造成的。IGBT高壓應(yīng)用比較好。
說(shuō)的很好
0
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play_tem
LV.3
6
2012-06-09 13:21
IGBT做低壓驅(qū)動(dòng)？為什么？
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