你要的答案參考,旅長最近的所講的貼子：http://bbs.dianyuan.com/topic/734778

看了下，對于損耗的理論計算 很多文獻(xiàn)給出的公式都不一樣。雖然用的導(dǎo)通關(guān)斷的模型時一樣的，方法也一樣。但是出來的結(jié)果不一樣。

我一直認(rèn)為DCM的損耗小，現(xiàn)在也是這樣。

 

FET的電流應(yīng)力大，導(dǎo)通損耗大

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在DCM模式中，MOS管的導(dǎo)通時的開關(guān)損耗基本為0.不能單看一個的。

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這個要看開關(guān)頻率和連續(xù)深度。小功率應(yīng)用場合由于初級電流很小，因此導(dǎo)通損耗也很小，開關(guān)損耗為主要部分。那么如果工作在DCM方式，F(xiàn)ET零電流開通，開通損耗會大幅減小，但關(guān)斷時電流變化更大，關(guān)斷損耗會小幅增加。綜合來看，在頻率不很低且功率很小時，DCM模式下的FET損耗未必一定大于CCM模式。不過隨著功率的增加，DCM模式的各種損耗也隨之大幅增加，而且會帶來EMI方面的麻煩，這時CCM就更具有優(yōu)勢了。

所以在小功率小電流的場合一般都是用DCM模式，而不是是用CCM模式。