前段時(shí)間搞了好久70的產(chǎn)品，試驗(yàn)了不同變壓器繞法產(chǎn)品的EMI和輻射，現(xiàn)總結(jié)如下，發(fā)出來一起探討：

使用主IC   LD7750產(chǎn)品輸入電壓90-264輸出24V 3A使用變壓器PQ3220（有點(diǎn)浪費(fèi)）；

變壓器采用三明治繞法主要測(cè)試不同屏蔽的時(shí)候EMI效果：

Ns次級(jí)，Np初級(jí),Nvcc輔助繞組，E1屏蔽

1.1/2Np-E1-NS-Nvcc-1/2Np;

2.E1-1/2Np-E1-Ns-Nvcc-1/2Np;

3.1/2Np-E1-NS-1/4NP-NS-NVCC-1/4NP

變壓器繞組圈；數(shù)：NP:NS:NVCC=31:8:7主感量580  ，漏感  12uH以下；

經(jīng)過測(cè)試：

1。經(jīng)測(cè)試主感量在580  漏感在11.5u  在150K-5M段有12DB余量，在5-30有20DB余量；

      輻射在68M的時(shí)115V-230V都是只有6DB余量，應(yīng)該是IC主頻的倍頻干擾吧好像沒有很好的消除辦法；

2。經(jīng)測(cè)試主感量在585u，漏感在12u，在150K-5M段有20DB余量，在5-30DB也有20DB余量；

       輻射和1沒有差別；

3。主感量在580，漏感在7.5u    在150K-5M段只有5-8DB余量，在5-30M有23DB左右。

     輻射和1也沒有多少差別。

總結(jié)：經(jīng)過測(cè)試總結(jié)到屏蔽繞組對(duì)傳導(dǎo)挺有用的，加的越多好像越管用（對(duì)低頻段）；貌似對(duì)輻射沒有多大作用；

待解決的問題：經(jīng)過測(cè)試輻射發(fā)現(xiàn)輻射不過大概由下邊三個(gè)地方發(fā)出：

1。MOS的D極發(fā)出的干擾貌似在30-60M左右不知道對(duì)不對(duì)；改善RCD可以解決可是可能不會(huì)有很好的效果；

2。IC本身發(fā)出的主頻倍頻干擾，比如主頻68K 的IC 在64-72MHz輻射出現(xiàn)尖峰；還沒有很好的解決辦法；是不是加大驅(qū)動(dòng)電阻會(huì)有效果，還是因?yàn)椴季€不好造成IC主頻倍頻出現(xiàn)干擾；

3。肖特基反向恢復(fù)電流引起的尖峰干擾，主要在40-100M左右吧，解決的方法很多改變產(chǎn)品工作模式；加大RC吸收，加磁珠都可以。

傳導(dǎo)出現(xiàn)的問題以后再發(fā)，貌似也挺復(fù)雜；

最近在調(diào)試一款70W   12V  6A的產(chǎn)品  客戶要求使用1.8M的線材能耗過CEC5，哎怎么調(diào)都不行啊，

其實(shí)CEC說白了就是玩半載和25%負(fù)載時(shí)候的效率，能達(dá)到90以上，平均效率就好過了。呵呵。。