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LM2576 LM2577升降壓電路

想用個LM2576或者是LM2577做個一升降壓電路,輸入3V--25,輸出1.5V--30V可調(diào),哪位大師可以幫忙給個圖,在網(wǎng)上找到一個,但是感覺不對 ,大師們可以看看?。?!
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2011-12-21 10:51
看不懂。我想要12V變220V的,不知道有沒有??
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IGBT2010
LV.8
3
2011-12-21 11:24
這個圖是我把上面的圖整理過的,看著更清晰一些!??! 
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tby2008
LV.9
4
2011-12-26 14:21
@IGBT2010
這個圖是我把上面的圖整理過的,看著更清晰一些?。?![圖片] 
SEPIC拓撲電路 SEPIC主要參數(shù)設(shè)計軟件 隨便上次個SEPIC拓撲電路參數(shù)計算軟件
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s70008
LV.5
5
2012-01-14 12:58

看人家成品板升降壓都是用LM2576+LM2577,兩片組合完成的。一個lM2577 估計比較困難吧,不敢去想。

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IGBT2010
LV.8
6
2012-01-14 13:10
@s70008
看人家成品板升降壓都是用LM2576+LM2577,兩片組合完成的。一個lM2577估計比較困難吧,不敢去想。
我看過了那種LM2576+LM2577,實際上就是一級升壓串一級降壓,效率太低,前級升壓到30V左右 后級再從30V降到需要的電壓,感覺效率很低,發(fā)熱也很大?。‰娏魃喜蝗ィ?!
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s70008
LV.5
7
2012-01-14 19:27
@IGBT2010
我看過了那種LM2576+LM2577,實際上就是一級升壓串一級降壓,效率太低,前級升壓到30V左右后級再從30V降到需要的電壓,感覺效率很低,發(fā)熱也很大??!電流上不去?。?/span>

應(yīng)該是簡單的電子開關(guān)使工作模式在2576和2577之間進行切換,如果是你說的那種,確實效率太低,先什后降的電路意義不大。

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小礦石
LV.10
8
2012-01-14 19:30
@s70008
看人家成品板升降壓都是用LM2576+LM2577,兩片組合完成的。一個lM2577估計比較困難吧,不敢去想。
一個LM2576或者2577都可以完成升降壓,我試驗過了,絕對沒有問題
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小礦石
LV.10
9
2012-01-14 19:32
@小礦石
一個LM2576或者2577都可以完成升降壓,我試驗過了,絕對沒有問題
不能用buck或者boost拓撲,將拓撲改為sepic或者zeta拓撲就OK了,都加個電感而已
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小礦石
LV.10
10
2012-01-14 19:33
@IGBT2010
我看過了那種LM2576+LM2577,實際上就是一級升壓串一級降壓,效率太低,前級升壓到30V左右后級再從30V降到需要的電壓,感覺效率很低,發(fā)熱也很大!!電流上不去?。?/span>
變換次數(shù)越多,效率越低,要考慮改變拓撲
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s70008
LV.5
11
2012-01-14 20:27
@小礦石
不能用buck或者boost拓撲,將拓撲改為sepic或者zeta拓撲就OK了,都加個電感而已

看了別人測試了輸出能力,升降壓電路,輸出能力還是低很多啊。

LM2577負載電流=VIN X 2.1 /vout

實際測試時,輸入12V,輸出12V時候,正常情況下可以做到輸出兩A,看淘寶上的那個兩個電感的升降壓電路,輸入12V,最大才輸出1.2A.

普通LM2577,輸入18V時候,輸出36V,電流至少可以達到,1.05A以上,但看淘寶那個東東,怎么可以達到呢,就拿上面這個電路圖來說,稍微沒有搞好,LM2577立即報銷。

原因仍然是達到了精典毀損原因之一條件。

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s70008
LV.5
12
2012-01-14 20:29
@IGBT2010
這個圖是我把上面的圖整理過的,看著更清晰一些?。?![圖片] 

lm2577精典的毀損原因是由于儲能電感感生電壓超過65V ,芯片立即毀損。

使儲能電感感生電壓超過65V有下列原因(過程)。

1:肖特基管先擊穿,導(dǎo)致芯片2腳檢測不到1.23V 電壓,這個時候芯片內(nèi)部強力驅(qū)動,導(dǎo)致瞬間高壓,擊穿內(nèi)部功率管。

2:肖特基管脫焊。脫焊后過程與上述一樣。

3:2腳上拉電阻虛焊,導(dǎo)致電阻變大,或接觸不良,虛焊后,儲能電感升壓過程一樣。

4:2腳下拉電阻,電阻變小,變小的原因可以是潮濕,或者電路板設(shè)計不合理?;蛘呷藶闄z修時候,通電時候,將二腳部小心直接對地接觸,接觸瞬間,2腳電壓降低為零。芯片內(nèi)部瞬間加強驅(qū)動,來滿足輸出要求,內(nèi)部三極管耐用金65V,瞬間擊穿。

5:輸出短路.原則上輸出短路,芯片因為5腳電壓減低到很低,低于3V 情況下,芯片是不會啟動的,不會毀損,但如果輸入電流特別大,例如蓄電瓶,而輸入又無保險情況下,仍然有可能損壞芯片。

這樣幾條原因,也讓我非常惱火,做出去的板子,并不是板子問題,很多是愛好者,亂測量,導(dǎo)致瞬間損壞芯片。例如只要將上啦電阻焊開,立即報廢芯片。6元錢就徹底報銷了。2 腳對地短路,芯片立即燒壞。

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IGBT2010
LV.8
13
2012-01-15 17:06
@小礦石
一個LM2576或者2577都可以完成升降壓,我試驗過了,絕對沒有問題
您好,可以給一份一個LM2576或者是LM2577實現(xiàn)升降壓的電路嗎?小弟在此謝謝您了?。?!
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小礦石
LV.10
14
2012-01-15 18:25
@IGBT2010
您好,可以給一份一個LM2576或者是LM2577實現(xiàn)升降壓的電路嗎?小弟在此謝謝您了?。。?/span>
之前只是給朋友做一個太陽能充電器的時候搞了一個,我自己啥都沒有保留下,現(xiàn)在拿不出來任何電子版的資料,抱歉啊
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IGBT2010
LV.8
15
2012-01-15 20:24
@小礦石
之前只是給朋友做一個太陽能充電器的時候搞了一個,我自己啥都沒有保留下,現(xiàn)在拿不出來任何電子版的資料,抱歉啊
呵呵,不客氣!!我再找找資料看吧?。?!
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s70008
LV.5
16
2012-01-15 21:46
@IGBT2010
我看過了那種LM2576+LM2577,實際上就是一級升壓串一級降壓,效率太低,前級升壓到30V左右后級再從30V降到需要的電壓,感覺效率很低,發(fā)熱也很大??!電流上不去??!

今天還真做了一下前級lm2577升壓,后極LM2576降壓,8-16伏波動直流電壓輸入,經(jīng)過2577升壓到20V ,然后由LM2576降壓到12V ,前級升壓很類似開關(guān)電源中的PFC電路。

總體效率比一個芯片lm2577升降要強,但板子成本顯然增加了。但也增加不了幾個錢。

樓上說板子發(fā)熱,那是因為2577和2576都沒有散熱片的緣故,兩塊芯片的溫度都靠那么小的板材散熱,當(dāng)然會發(fā)熱,兩個芯片隨便加個小型散熱器,工作在1.5A左右,完全沒有多大問題。

 

 

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s70008
LV.5
17
2012-01-15 21:53
@IGBT2010
這個圖是我把上面的圖整理過的,看著更清晰一些?。?![圖片] 
照圖接上通電,2577立即報廢!
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s70008
LV.5
18
2012-01-15 21:56
@小礦石
之前只是給朋友做一個太陽能充電器的時候搞了一個,我自己啥都沒有保留下,現(xiàn)在拿不出來任何電子版的資料,抱歉啊
很多給太陽能充電,用2577升壓充電,然后用LM2576降壓給不同的設(shè)備供電哦。
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s70008
LV.5
19
2012-01-15 22:03
原則上4腳振蕩電壓非常高,通過C5,必須是高頻10uf電容,電解電容會導(dǎo)致高頻電壓耦合失敗,導(dǎo)致芯片內(nèi)部三極管超過65V立即毀損。感覺分析原理上可行,但今天C5用電解電容芯片全部燒毀了,沒有芯片了,不能做下去了,誰有芯片繼續(xù)做做。
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IGBT2010
LV.8
20
2012-01-16 09:47
@s70008
原則上4腳振蕩電壓非常高,通過C5,必須是高頻10uf電容,電解電容會導(dǎo)致高頻電壓耦合失敗,導(dǎo)致芯片內(nèi)部三極管超過65V立即毀損。感覺分析原理上可行,但今天C5用電解電容芯片全部燒毀了,沒有芯片了,不能做下去了,誰有芯片繼續(xù)做做。
你使用的是和上面一樣的圖?期待你的驗證結(jié)果,呵呵?。?!
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308577224
LV.4
21
2012-03-17 14:15
@IGBT2010
你使用的是和上面一樣的圖?期待你的驗證結(jié)果,呵呵?。?!
**此帖已被管理員刪除**
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wangshujun
LV.8
22
2012-03-18 17:41
@IGBT2010
這個圖是我把上面的圖整理過的,看著更清晰一些!??![圖片] 

這個圖工作起來沒問題

但是要注意,這個拓撲對管子耐壓要求高一點,至少要達到輸入和輸出電壓的和,也就是說輸入30輸出30就注定要燒掉芯片的,因為內(nèi)部開關(guān)只有60v耐壓,另外輸入電壓很低的時候帶載能力非常有限,而且這個電路加過流保護比較困難,當(dāng)然boost本身對過流也沒什么保護能力




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wangshujun
LV.8
23
2012-03-18 17:45
@s70008
lm2577精典的毀損原因是由于儲能電感感生電壓超過65V,芯片立即毀損。使儲能電感感生電壓超過65V有下列原因(過程)。1:肖特基管先擊穿,導(dǎo)致芯片2腳檢測不到1.23V電壓,這個時候芯片內(nèi)部強力驅(qū)動,導(dǎo)致瞬間高壓,擊穿內(nèi)部功率管。2:肖特基管脫焊。脫焊后過程與上述一樣。3:2腳上拉電阻虛焊,導(dǎo)致電阻變大,或接觸不良,虛焊后,儲能電感升壓過程一樣。4:2腳下拉電阻,電阻變小,變小的原因可以是潮濕,或者電路板設(shè)計不合理?;蛘呷藶闄z修時候,通電時候,將二腳部小心直接對地接觸,接觸瞬間,2腳電壓降低為零。芯片內(nèi)部瞬間加強驅(qū)動,來滿足輸出要求,內(nèi)部三極管耐用金65V,瞬間擊穿。5:輸出短路.原則上輸出短路,芯片因為5腳電壓減低到很低,低于3V情況下,芯片是不會啟動的,不會毀損,但如果輸入電流特別大,例如蓄電瓶,而輸入又無保險情況下,仍然有可能損壞芯片。這樣幾條原因,也讓我非常惱火,做出去的板子,并不是板子問題,很多是愛好者,亂測量,導(dǎo)致瞬間損壞芯片。例如只要將上啦電阻焊開,立即報廢芯片。6元錢就徹底報銷了。2腳對地短路,芯片立即燒壞。

1和5應(yīng)該是過電流燒毀,不是過電壓燒毀的


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lstoryend
LV.4
24
2012-07-12 17:45
@小礦石
一個LM2576或者2577都可以完成升降壓,我試驗過了,絕對沒有問題
輸出能到36V3A不?
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qinglong68
LV.1
25
2013-03-25 20:50
@s70008
lm2577精典的毀損原因是由于儲能電感感生電壓超過65V,芯片立即毀損。使儲能電感感生電壓超過65V有下列原因(過程)。1:肖特基管先擊穿,導(dǎo)致芯片2腳檢測不到1.23V電壓,這個時候芯片內(nèi)部強力驅(qū)動,導(dǎo)致瞬間高壓,擊穿內(nèi)部功率管。2:肖特基管脫焊。脫焊后過程與上述一樣。3:2腳上拉電阻虛焊,導(dǎo)致電阻變大,或接觸不良,虛焊后,儲能電感升壓過程一樣。4:2腳下拉電阻,電阻變小,變小的原因可以是潮濕,或者電路板設(shè)計不合理?;蛘呷藶闄z修時候,通電時候,將二腳部小心直接對地接觸,接觸瞬間,2腳電壓降低為零。芯片內(nèi)部瞬間加強驅(qū)動,來滿足輸出要求,內(nèi)部三極管耐用金65V,瞬間擊穿。5:輸出短路.原則上輸出短路,芯片因為5腳電壓減低到很低,低于3V情況下,芯片是不會啟動的,不會毀損,但如果輸入電流特別大,例如蓄電瓶,而輸入又無保險情況下,仍然有可能損壞芯片。這樣幾條原因,也讓我非常惱火,做出去的板子,并不是板子問題,很多是愛好者,亂測量,導(dǎo)致瞬間損壞芯片。例如只要將上啦電阻焊開,立即報廢芯片。6元錢就徹底報銷了。2腳對地短路,芯片立即燒壞。

我根據(jù)這圖,自己設(shè)計了一個電源,電感用的10MH,470歐姆用的倆1.2電阻并聯(lián)得580歐姆的電阻,其他與原圖一樣??墒菫槭裁摧敵鲭妷赫?烧{(diào)(輸入7.2直流電池),就是沒有輸出電流,帶負載電壓迅速沒有了,電感發(fā)熱

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2013-05-06 14:53
@tby2008
SEPIC拓撲電路 [圖片]SEPIC主要參數(shù)設(shè)計軟件 隨便上次個SEPIC拓撲電路參數(shù)計算軟件
好東東,頂一個
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2013-05-06 15:21
@逆變專家
看不懂。我想要12V變220V的,不知道有沒有??
都有點看不懂!要琢磨琢磨!
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2013-08-15 16:05
@電子元件技術(shù)
都有點看不懂!要琢磨琢磨!
那個圖  你做出效果來沒有
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2013-08-28 15:52
@308577224
**此帖已被管理員刪除**
學(xué)習(xí)
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2014-05-19 16:33
@IGBT2010
這個圖是我把上面的圖整理過的,看著更清晰一些?。。圖片] 
請問這個LM2577的仿真怎么做?我在multisim上找不到元件。
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