3875死區(qū)設置

我用UC3875N做25KW加熱電源,一點點加載,上到5KW時還算正常,可是改用200GB的IGBT IGBT很快被擊穿,初步認定是IGBT電流拖尾,死區(qū)時間不夠造成的,請問UC3875N死區(qū)最大可調到多少?

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LV.1

2006-04-21 20:24

你的電源擊穿IGBT應和死區(qū)時間關系不大,IGBT的頻率應小于25KHZ左右.(當然也有100KHZ的,但各就相指標會大大降.)死區(qū)時間應大于0.1uS.
UC3875N死區(qū)時間最大限度為0.4uS.一般地說死區(qū)時間自己用硬件設計.
電源擊穿IGBT應和驅動有關.

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北方人

LV.4

2006-04-22 19:10

@chenzz

你的電源擊穿IGBT應和死區(qū)時間關系不大,IGBT的頻率應小于25KHZ左右.(當然也有100KHZ的,但各就相指標會大大降.)死區(qū)時間應大于0.1uS. UC3875N死區(qū)時間最大限度為0.4uS.一般地說死區(qū)時間自己用硬件設計. 電源擊穿IGBT應和驅動有關.

我用的是57962厚膜進行的驅動,在10KW時用的是50GB的IGBT還算正常,只不過用200GB的IGBT時才發(fā)生的擊穿,連5KW都沒有過去,驅動電路是一樣的,死區(qū)時間在3875輸出測量為2uS,過厚膜為1.4uS,查資料200GB的IGBT開啟關斷時間之和為920(最大)nS,以前同類產品的死區(qū)都在3uS以上,開關頻率在19KHZ--20KHZ,57962厚膜電路具有過零電壓檢測功能,在用200GB時,3875移相很大所以認為是有拖尾電流的存在.

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