MOS 耐壓200V  9A

這樣做的，高人

能給點(diǎn)意見(jiàn)嗎

這樣的線路沒(méi)做過(guò)呀。

1.ne555工作溫度在0~70度。

2.看驅(qū)動(dòng)是否滿足，實(shí)在不行用推挽。

是沒(méi)注意到NE555工作溫度問(wèn)題

回去做做試驗(yàn)加溫試試

SE555 和 NE555 應(yīng)該是完全通用的吧，SE555  -55~125度

因?yàn)閯傞_(kāi)始接觸電子鎮(zhèn)流器，對(duì)這塊不熟，以前只搞過(guò)小功率開(kāi)關(guān)電源

此產(chǎn)品是以前工程師留下的，現(xiàn)在改電路周期會(huì)很長(zhǎng)，而且成本還不能加

所以還是看能不能查明原因，改推挽也不太在行

看此電路像是正激，可參數(shù)好像又有點(diǎn)違背

也不太搞懂它是哪類

這個(gè)電路，有正激部分，也有反擊部分。

反激的時(shí)候，要查看漏感是否會(huì)在MOS上產(chǎn)生高壓。

反激，正激是要靠占空比來(lái)調(diào)整的。

所以，要根據(jù)負(fù)載來(lái)確定電感量和占空比。

算起來(lái)比較麻煩，可以通過(guò)輸出波形來(lái)看，占空比是否可行。

此電路沒(méi)有磁復(fù)位器件

開(kāi)關(guān)管關(guān)斷瞬間VDS有一個(gè)120V左右的尖峰再降到2倍多VIN左右，并且波形平臺(tái)成上升形直到下一周期，而不是下降

一開(kāi)始懷疑沒(méi)有磁復(fù)位而出現(xiàn)磁飽和

試了在初級(jí)并加電容 ，也試了增加RDC 測(cè)試VDS波形都沒(méi)有任變化

是不是因?yàn)殒?zhèn)流器沒(méi)有整流二極管原因，在Toff時(shí)還是可能釋放能量

其實(shí)，不需要磁復(fù)位，他是需要反激的。

其實(shí)，吸收回路是否需要，關(guān)鍵看Vds 的電壓。畢竟存在寄生參數(shù)，不會(huì)有很高的尖峰電壓（理論上的）。

Toff 的時(shí)候必須要釋放能量的。這樣燈管里面的波形才是正弦波。

不過(guò)占空比要適當(dāng)。最好能出現(xiàn)電流過(guò)零點(diǎn)。這樣MOS的應(yīng)力會(huì)小點(diǎn)。

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MOS并聯(lián)使用的要注意來(lái)料的一致性問(wèn)題，出現(xiàn)水桶效應(yīng)就不好說(shuō)了。

建議增加兩個(gè)RG電阻匹配MOS的差異性，或采用更高規(guī)格的IRF640。

有問(wèn)題可以隨時(shí)聯(lián)系我13516504750，我很喜歡用NE555

燈管兩端波形現(xiàn)在不完全成正弦波,是正負(fù)尖陡坡,峰值為430V左右

而如果調(diào)到剛好電流過(guò)零點(diǎn)時(shí),工作電流卻達(dá)不到2.2A

還有NE555用烙鐵焊著一直工作,應(yīng)該溫度差不多也有一兩百度了,工作還是一樣正常,只是頻率降了1KHz這樣,看來(lái)NE555還是很強(qiáng)的

謝謝各位高手的指點(diǎn)

差異是有的了,兩個(gè)管的溫度也有一點(diǎn)相差

如果MOS加RG電阻應(yīng)該加多大?

4.7Ω合適嗎,加大了會(huì)不會(huì)更加不均流

用IRF 640的話,單管不知能不能取代兩個(gè)管

也不知當(dāng)時(shí)為什么會(huì)用并管方式,而不是用更大電流的MOS

還請(qǐng)教各位并聯(lián)MOS除了能加大電流,還有沒(méi)有其它的好處

你選的MOS管是不是選擇的太浪費(fèi)了，才12V,選一個(gè)耐壓200V的，

我看過(guò)電魚(yú)機(jī)的mos管用75N75，像你這個(gè)電路選一個(gè)60N75試一下。耐壓75V電流60A

60n75的價(jià)格也不貴，才1塊多。

我是銷(xiāo)售半導(dǎo)體元件的，只懂參數(shù)，不懂技術(shù)，說(shuō)錯(cuò)了大家不要笑話