這個一直沒有具體的要求，一般保護要到退飽和后才能關斷，而退飽和后電壓就很高了，所以一般不怎么考慮門限。一般選擇比正常導通壓降高一些就行了，沒有人說一定是多少，還要就是要防止誤報過流，所以還是要留余量的。
你可以參考英飛凌或concept驅動器手冊。

IGBT 飽和壓降Vsat實測值和官方參數(shù)對比

在國內電子市場上，魚目混珠的產品太多，特別是大功率的IGBT，全新的和翻新的很難分辨出真假，標稱的飽和壓降參數(shù)和實際的參數(shù)相差較大。工程師容易測試IGBT是否順壞，但是難測試大電流情況下IGBT的表現(xiàn)情況。如果采用多個IGBT并聯(lián)工作，即使是同一批次的產品，由于個體差異，大電流情況下的Vce壓降千差萬別，無法很好實現(xiàn)均流。如果能夠真實測量大電流情況下，IGBT的實際壓降，使用IGBT到實際產品時，能夠大大的提高產品的可靠性。當然，本產品可以再采購時使用，準確分辨IGBT真?zhèn)危乐官I到次品。

廠家給定的參數(shù)為400A時，對應輸出電壓為2.5V@ Vgs=15.0V，對應的管子熱量損耗為1000W。如果工程師安裝這個特性曲線進行散熱設計，選擇多大的散熱片，選擇多大的風速都是可以計算出來的。這些當然是理想的情況了，實際上，廠家給出的管子特性曲線都是真實的IGBT的實際測試曲線，但是那些IGBT是經過挑選的，一批里面最好的管子，這樣在銷售的時候才有競爭力，你會去買一個同樣電流，壓降更大的管子嗎？當然不會，選擇性能好的才是最佳選擇呀！本人也是工程師，在此深受其害。記的在做一個30V1200A的36kW恒流恒壓電源的時候，本人采用了移向全橋結構，如下圖。

圖1 移向全橋結構

使用uc3875作為主控芯片，當滿功率測試時，器件都工作在了軟開關階段了，扇熱片發(fā)熱厲害，分析一下，這個時候只有剩下導通損耗了呀。多次懷疑自己的開通時序問題，但是都沒有發(fā)現(xiàn)問題，經過長時間的折騰，測試IGBT的特性，發(fā)現(xiàn)問題是IGBT的管壓降比官方參數(shù)高，官方2.0V，實測2.8V,時間高0.8V，多么可怕。

這里使用艾克思科技的IGBT-1200A型測試儀來測試，CM400HA-24HA型IGBT來說明問題，器件參數(shù)如下圖所示。

圖2 IGBT外形圖和參數(shù)圖

測試器件為CM400HA-24H@Vgs=15.0V，得到的曲線如下圖：

下表將測試數(shù)據(jù)和官方數(shù)據(jù)進行比較，

通過比較發(fā)現(xiàn)：官方數(shù)據(jù)僅供參考，數(shù)據(jù)優(yōu)化后非常美，實際上達不到標定參數(shù)，如果按照官方給定的參數(shù)設計散熱量的話，你就相差50%，后果嚴重，模電工程師不但需要具備看英文參數(shù)手冊的能力，還需要具有準確的判斷手頭上的IGBT真實參數(shù)的能力，哈哈哈模電工程師就是一個需要資歷、經驗的崗位。

回想我的一個朋友曾經使用IGBT做并聯(lián)，獲得更大的電流容量，在實際的操作中，損失傷亡較大。后來我去幫忙解決問題，發(fā)現(xiàn)主要問題是IGBT的Vsat問題，當使用儀器測試好器件的Vsat后，然后使用相同批次，相同Vsat的IGBT并聯(lián)后，一切都工作正常了。結論是：同一批產品，igbt不像mos管的參數(shù)那么標準，差別較大，并聯(lián)更需謹慎。

IGBT 飽和壓降Vsat實測值和官方參數(shù)對比

 IGBT并聯(lián)技術分析 

好帖子，怎么沒人頂啊

IGBT的飽和壓降Vce（sat）對使用影響很大，除了影響損耗外還對飽和有影響

并聯(lián)影響更大

好貼