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關(guān)于驅(qū)動(dòng)電阻

驅(qū)動(dòng)阻的選取與MOS管結(jié)電容大小、開關(guān)頻率等參數(shù)有關(guān),具體什么設(shè)計(jì)呢?
比如在全橋拓?fù)?spwm控制,磁環(huán)驅(qū)動(dòng)條件下
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liyihang
LV.4
2
2004-08-14 16:12
書上講一般Rg都在20歐姆以內(nèi),隨開關(guān)管的容量增大而減小;但我們用時(shí)都分情況,如果驅(qū)動(dòng)脈沖上升沿或下降沿有毛刺,就略微加大電阻,直到消除為止,其阻值于書上所述相差不大.不知dx們是怎么應(yīng)用的.
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蘭波
LV.8
3
2004-08-14 21:29
test
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莫等閑
LV.5
4
2005-10-14 16:11
驅(qū)動(dòng)電阻的具體作用是什么呢?雖說是為了消除驅(qū)動(dòng)脈沖上升沿的尖峰,但消除尖峰的根本目的又是什么呢? 我只知道大概是避免開關(guān)管開啟太迅速而產(chǎn)生諧波干擾.但是,開關(guān)管開啟快速點(diǎn)不是可以減少開啟損耗嗎?
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xiaodong
LV.9
5
2005-10-14 18:14
DIGN
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hippy128
LV.5
6
2005-10-14 18:27
關(guān)注中
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passanger
LV.2
7
2005-10-14 19:56
@莫等閑
驅(qū)動(dòng)電阻的具體作用是什么呢?雖說是為了消除驅(qū)動(dòng)脈沖上升沿的尖峰,但消除尖峰的根本目的又是什么呢?我只知道大概是避免開關(guān)管開啟太迅速而產(chǎn)生諧波干擾.但是,開關(guān)管開啟快速點(diǎn)不是可以減少開啟損耗嗎?
同時(shí)限制驅(qū)動(dòng)時(shí)的電流,尤其是采用芯片輸出直接驅(qū)動(dòng)的,驅(qū)動(dòng)電流不能超過芯片允許的驅(qū)動(dòng)輸出電流
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passanger
LV.2
8
2005-10-14 19:56
@莫等閑
驅(qū)動(dòng)電阻的具體作用是什么呢?雖說是為了消除驅(qū)動(dòng)脈沖上升沿的尖峰,但消除尖峰的根本目的又是什么呢?我只知道大概是避免開關(guān)管開啟太迅速而產(chǎn)生諧波干擾.但是,開關(guān)管開啟快速點(diǎn)不是可以減少開啟損耗嗎?
同時(shí)限制驅(qū)動(dòng)時(shí)的電流,尤其是采用芯片輸出直接驅(qū)動(dòng)的,驅(qū)動(dòng)電流不能超過芯片允許的驅(qū)動(dòng)輸出電流
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power_sz
LV.7
9
2005-10-14 20:18
可以改變上升和下降的斜率.
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coolwater
LV.5
10
2005-10-16 13:14
@power_sz
可以改變上升和下降的斜率.
驅(qū)動(dòng)電阻太大了會(huì)壞MOS的!
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hvic
LV.4
11
2005-10-17 16:19
@coolwater
驅(qū)動(dòng)電阻太大了會(huì)壞MOS的!
為什么?
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coolwater
LV.5
12
2005-10-17 19:00
@coolwater
驅(qū)動(dòng)電阻太大了會(huì)壞MOS的!
太大了
影響COSS的充電!!
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hvic
LV.4
13
2005-10-18 08:58
@coolwater
太大了影響COSS的充電!!
哪為什么會(huì)壞,比如我加一個(gè)10M的電阻,會(huì)壞嗎?
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莫等閑
LV.5
14
2005-10-19 10:06
@hvic
哪為什么會(huì)壞,比如我加一個(gè)10M的電阻,會(huì)壞嗎?
老弟(兄),這還用問為什么,你試一試便知.
10M的電阻,什么概念!我想用10M的電阻倒不會(huì)壞MOS了,你用約幾十mA的驅(qū)動(dòng)電流*10M的電阻的阻值,電阻上壓降多少?還有電壓到MOS 的G極么?哈哈.
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hvic
LV.4
15
2005-10-19 10:48
@莫等閑
老弟(兄),這還用問為什么,你試一試便知.10M的電阻,什么概念!我想用10M的電阻倒不會(huì)壞MOS了,你用約幾十mA的驅(qū)動(dòng)電流*10M的電阻的阻值,電阻上壓降多少?還有電壓到MOS的G極么?哈哈.
但是誰會(huì)用幾十mA的定電流源去驅(qū)動(dòng)MOS呢,一般都是電壓源的吧,而且驅(qū)動(dòng)的時(shí)候,相當(dāng)于一個(gè)RC電路,終歸會(huì)到達(dá)電源電壓值,電流會(huì)隨著電壓的上升而減少到零,如果不是這樣,電路設(shè)計(jì)中的上拉電阻怎么能工作呢,呵呵.你說的可能是個(gè)現(xiàn)象,但是沒有合理的解釋.
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hvic
LV.4
16
2005-10-19 10:56
@莫等閑
老弟(兄),這還用問為什么,你試一試便知.10M的電阻,什么概念!我想用10M的電阻倒不會(huì)壞MOS了,你用約幾十mA的驅(qū)動(dòng)電流*10M的電阻的阻值,電阻上壓降多少?還有電壓到MOS的G極么?哈哈.
你大概是指放電電阻吧,半橋驅(qū)動(dòng)時(shí)最好是分開驅(qū)動(dòng)的,放電電阻越小好,因?yàn)闀?huì)因?yàn)镸ILLER EFFECT電流產(chǎn)生,通過放電電阻產(chǎn)生電壓,使原來導(dǎo)通的MOS self turn-on,損壞MOS.而充電電阻大了是壞不了MOS德的,你說的是這個(gè)意思吧.
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2005-10-19 11:09
@liyihang
書上講一般Rg都在20歐姆以內(nèi),隨開關(guān)管的容量增大而減小;但我們用時(shí)都分情況,如果驅(qū)動(dòng)脈沖上升沿或下降沿有毛刺,就略微加大電阻,直到消除為止,其阻值于書上所述相差不大.不知dx們是怎么應(yīng)用的.
我都用100R
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power_sz
LV.7
18
2005-10-19 11:31
@hvic
哪為什么會(huì)壞,比如我加一個(gè)10M的電阻,會(huì)壞嗎?
那你試一試不久知道了.如果太的話﹐導(dǎo)通不完全﹐會(huì)承受很大功率﹐就會(huì)炸掉.用10M的沒炸掉是因?yàn)镸OS根本就沒導(dǎo)同通﹐沒有一點(diǎn)驅(qū)動(dòng).
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hvic
LV.4
19
2005-10-19 12:21
@power_sz
那你試一試不久知道了.如果太的話﹐導(dǎo)通不完全﹐會(huì)承受很大功率﹐就會(huì)炸掉.用10M的沒炸掉是因?yàn)镸OS根本就沒導(dǎo)同通﹐沒有一點(diǎn)驅(qū)動(dòng).
這才是合理的解釋,不錯(cuò),我是不會(huì)去試的,呵呵
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2005-10-19 14:53
@斯文敗類
我都用100R
?
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2005-10-19 14:57
@一切隨風(fēng)
?
???
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2005-10-19 19:04
@斯文敗類
???
斯文兄,

不好意思,看錯(cuò)了!
我把R看成K了,汗!!!
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2005-10-20 08:10
@一切隨風(fēng)
斯文兄,不好意思,看錯(cuò)了!我把R看成K了,汗!!!
沒事.我昨個(gè)還納悶?zāi)?我還以為自己是另類呢!
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suile97
LV.6
24
2005-10-20 09:33
@hvic
這才是合理的解釋,不錯(cuò),我是不會(huì)去試的,呵呵
在反激的應(yīng)用中,比如對(duì)3842的啟動(dòng)電阻是很大的,幾百K的,
不明白你們所說的驅(qū)動(dòng)電阻是?
小弟剛進(jìn)入這個(gè)層面?請(qǐng)不吝賜教!
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suile97
LV.6
25
2005-10-20 09:40
@hvic
這才是合理的解釋,不錯(cuò),我是不會(huì)去試的,呵呵
小弟想了想,比如在反激中(3842+MOS),是不是3842的輸出級(jí)與MOS的柵極之間的電阻?
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earthkid
LV.2
26
2005-10-20 11:09
@suile97
在反激的應(yīng)用中,比如對(duì)3842的啟動(dòng)電阻是很大的,幾百K的,不明白你們所說的驅(qū)動(dòng)電阻是?小弟剛進(jìn)入這個(gè)層面?請(qǐng)不吝賜教!
我想就是接在串接在g短的電阻吧
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earthkid
LV.2
27
2005-10-20 11:14
@莫等閑
驅(qū)動(dòng)電阻的具體作用是什么呢?雖說是為了消除驅(qū)動(dòng)脈沖上升沿的尖峰,但消除尖峰的根本目的又是什么呢?我只知道大概是避免開關(guān)管開啟太迅速而產(chǎn)生諧波干擾.但是,開關(guān)管開啟快速點(diǎn)不是可以減少開啟損耗嗎?
好像是抑制寄生震蕩吧
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icelgb
LV.4
28
2005-10-22 14:31
@莫等閑
驅(qū)動(dòng)電阻的具體作用是什么呢?雖說是為了消除驅(qū)動(dòng)脈沖上升沿的尖峰,但消除尖峰的根本目的又是什么呢?我只知道大概是避免開關(guān)管開啟太迅速而產(chǎn)生諧波干擾.但是,開關(guān)管開啟快速點(diǎn)不是可以減少開啟損耗嗎?
是防止在上升沿時(shí)L與極間電容產(chǎn)生的寄生振蕩!
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samy
LV.5
29
2005-10-22 16:53
@suile97
小弟想了想,比如在反激中(3842+MOS),是不是3842的輸出級(jí)與MOS的柵極之間的電阻?
是的,與啟動(dòng)電阻是兩個(gè)概念.
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jinli_dash
LV.5
30
2007-05-29 09:36
@samy
是的,與啟動(dòng)電阻是兩個(gè)概念.
驅(qū)動(dòng)電阻加了以后驅(qū)動(dòng)信號(hào)變得不規(guī)整,加以前是比較好的方波的.
是不是很正常呢?
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hysman
LV.6
31
2007-06-05 14:59
@jinli_dash
驅(qū)動(dòng)電阻加了以后驅(qū)動(dòng)信號(hào)變得不規(guī)整,加以前是比較好的方波的.是不是很正常呢?
看看書上的說法:

從降低開關(guān)損耗的觀點(diǎn)要求驅(qū)動(dòng)波形前后沿越陡越好,驅(qū)動(dòng)源是理想電壓源.但是,除了帶有驅(qū)動(dòng)電路的功率模塊以外,柵極驅(qū)動(dòng)電路不可能與柵極連線最短,連線電感是不可避免的.線路電感與輸入電容在驅(qū)動(dòng)電壓激勵(lì)下引起嚴(yán)重的振蕩,使驅(qū)動(dòng)無法正常工作.為此,一般總在MOSFET柵極串聯(lián)一個(gè)電阻,對(duì)振蕩阻尼在可接受范圍內(nèi).但是,電阻的加入破壞了驅(qū)動(dòng)的電源壓特性,限制了驅(qū)動(dòng)電流,降低了前后沿陡度,驅(qū)動(dòng)波形前沿出現(xiàn)明顯指數(shù)上升特性,并在驅(qū)動(dòng)達(dá)到MOSFET開啟電壓UT時(shí),由于漏-柵電容放電的密勒效應(yīng)造成柵極電壓“打折”,加大導(dǎo)通損耗.在關(guān)斷時(shí),密勒電容的放電效應(yīng),使得關(guān)斷延緩或誤導(dǎo)通,增加了關(guān)斷損耗.因此,柵極電阻不能太大,只要抑制振蕩就行.從根本上應(yīng)當(dāng)盡量縮短?hào)艠O與驅(qū)動(dòng)連接距離.
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