驅(qū)動(dòng)阻的選取與MOS管結(jié)電容大小、開關(guān)頻率等參數(shù)有關(guān),具體什么設(shè)計(jì)呢?
比如在全橋拓?fù)?spwm控制,磁環(huán)驅(qū)動(dòng)條件下
關(guān)于驅(qū)動(dòng)電阻
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@莫等閑
老弟(兄),這還用問為什么,你試一試便知.10M的電阻,什么概念!我想用10M的電阻倒不會(huì)壞MOS了,你用約幾十mA的驅(qū)動(dòng)電流*10M的電阻的阻值,電阻上壓降多少?還有電壓到MOS的G極么?哈哈.
但是誰會(huì)用幾十mA的定電流源去驅(qū)動(dòng)MOS呢,一般都是電壓源的吧,而且驅(qū)動(dòng)的時(shí)候,相當(dāng)于一個(gè)RC電路,終歸會(huì)到達(dá)電源電壓值,電流會(huì)隨著電壓的上升而減少到零,如果不是這樣,電路設(shè)計(jì)中的上拉電阻怎么能工作呢,呵呵.你說的可能是個(gè)現(xiàn)象,但是沒有合理的解釋.
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@莫等閑
老弟(兄),這還用問為什么,你試一試便知.10M的電阻,什么概念!我想用10M的電阻倒不會(huì)壞MOS了,你用約幾十mA的驅(qū)動(dòng)電流*10M的電阻的阻值,電阻上壓降多少?還有電壓到MOS的G極么?哈哈.
你大概是指放電電阻吧,半橋驅(qū)動(dòng)時(shí)最好是分開驅(qū)動(dòng)的,放電電阻越小好,因?yàn)闀?huì)因?yàn)镸ILLER EFFECT電流產(chǎn)生,通過放電電阻產(chǎn)生電壓,使原來導(dǎo)通的MOS self turn-on,損壞MOS.而充電電阻大了是壞不了MOS德的,你說的是這個(gè)意思吧.
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@jinli_dash
驅(qū)動(dòng)電阻加了以后驅(qū)動(dòng)信號(hào)變得不規(guī)整,加以前是比較好的方波的.是不是很正常呢?
看看書上的說法:
從降低開關(guān)損耗的觀點(diǎn)要求驅(qū)動(dòng)波形前后沿越陡越好,驅(qū)動(dòng)源是理想電壓源.但是,除了帶有驅(qū)動(dòng)電路的功率模塊以外,柵極驅(qū)動(dòng)電路不可能與柵極連線最短,連線電感是不可避免的.線路電感與輸入電容在驅(qū)動(dòng)電壓激勵(lì)下引起嚴(yán)重的振蕩,使驅(qū)動(dòng)無法正常工作.為此,一般總在MOSFET柵極串聯(lián)一個(gè)電阻,對(duì)振蕩阻尼在可接受范圍內(nèi).但是,電阻的加入破壞了驅(qū)動(dòng)的電源壓特性,限制了驅(qū)動(dòng)電流,降低了前后沿陡度,驅(qū)動(dòng)波形前沿出現(xiàn)明顯指數(shù)上升特性,并在驅(qū)動(dòng)達(dá)到MOSFET開啟電壓UT時(shí),由于漏-柵電容放電的密勒效應(yīng)造成柵極電壓“打折”,加大導(dǎo)通損耗.在關(guān)斷時(shí),密勒電容的放電效應(yīng),使得關(guān)斷延緩或誤導(dǎo)通,增加了關(guān)斷損耗.因此,柵極電阻不能太大,只要抑制振蕩就行.從根本上應(yīng)當(dāng)盡量縮短?hào)艠O與驅(qū)動(dòng)連接距離.
從降低開關(guān)損耗的觀點(diǎn)要求驅(qū)動(dòng)波形前后沿越陡越好,驅(qū)動(dòng)源是理想電壓源.但是,除了帶有驅(qū)動(dòng)電路的功率模塊以外,柵極驅(qū)動(dòng)電路不可能與柵極連線最短,連線電感是不可避免的.線路電感與輸入電容在驅(qū)動(dòng)電壓激勵(lì)下引起嚴(yán)重的振蕩,使驅(qū)動(dòng)無法正常工作.為此,一般總在MOSFET柵極串聯(lián)一個(gè)電阻,對(duì)振蕩阻尼在可接受范圍內(nèi).但是,電阻的加入破壞了驅(qū)動(dòng)的電源壓特性,限制了驅(qū)動(dòng)電流,降低了前后沿陡度,驅(qū)動(dòng)波形前沿出現(xiàn)明顯指數(shù)上升特性,并在驅(qū)動(dòng)達(dá)到MOSFET開啟電壓UT時(shí),由于漏-柵電容放電的密勒效應(yīng)造成柵極電壓“打折”,加大導(dǎo)通損耗.在關(guān)斷時(shí),密勒電容的放電效應(yīng),使得關(guān)斷延緩或誤導(dǎo)通,增加了關(guān)斷損耗.因此,柵極電阻不能太大,只要抑制振蕩就行.從根本上應(yīng)當(dāng)盡量縮短?hào)艠O與驅(qū)動(dòng)連接距離.
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