寬輸入范圍100W隔離DC-DC方案討論
準(zhǔn)備做個(gè)寬輸入范圍：DC 9~36v,輸出12v/7A的隔離DC-DC，現(xiàn)在準(zhǔn)備用3843+反激的方案，因?yàn)楣ぷ鳝h(huán)境是密封的，只能通過(guò)機(jī)器外殼散熱，擔(dān)心這個(gè)方案的效率低，可靠性有問(wèn)題，特請(qǐng)教做過(guò)類(lèi)似案子的大蝦討論一下。有更好的方案嗎？
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你的反激方案不是太好，只考慮了占空比的因素，那么9V輸入的時(shí)候，有十幾A電流，峰值就更大了，東西不是很好選?？梢韵蚰闾峁﹥煞N方案，你自已考慮一下。
1、有源嵌位正激，這個(gè)應(yīng)該是可以的，但我沒(méi)做過(guò)，主要問(wèn)題是變壓器復(fù)位和管子應(yīng)力，高端的時(shí)候占空比要設(shè)的很小才行，可能不太好使。還有很多問(wèn)題，最簡(jiǎn)單的一個(gè)例子就是，我用這種電路做雙倍輸入，在低端時(shí)就很難處理，那么四倍會(huì)更麻煩。
2、全橋，這是最合適的拓?fù)?，?yōu)點(diǎn)是電路不會(huì)有問(wèn)題，體積會(huì)比較小，如果你可以用多層板，那么這個(gè)是最合適得了，如果不能用多層板，100W可以用倍流，也可以解決一些問(wèn)題。缺點(diǎn)就是件太多，然后，如果用平板變壓器，不用倍流你沒(méi)法做，用倍流，件多。
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@化雪
你的反激方案不是太好，只考慮了占空比的因素，那么9V輸入的時(shí)候，有十幾A電流，峰值就更大了，東西不是很好選?？梢韵蚰闾峁﹥煞N方案，你自已考慮一下。 1、有源嵌位正激，這個(gè)應(yīng)該是可以的，但我沒(méi)做過(guò)，主要問(wèn)題是變壓器復(fù)位和管子應(yīng)力，高端的時(shí)候占空比要設(shè)的很小才行，可能不太好使。還有很多問(wèn)題，最簡(jiǎn)單的一個(gè)例子就是，我用這種電路做雙倍輸入，在低端時(shí)就很難處理，那么四倍會(huì)更麻煩。 2、全橋，這是最合適的拓?fù)?，?yōu)點(diǎn)是電路不會(huì)有問(wèn)題，體積會(huì)比較小，如果你可以用多層板，那么這個(gè)是最合適得了，如果不能用多層板，100W可以用倍流，也可以解決一些問(wèn)題。缺點(diǎn)就是件太多，然后，如果用平板變壓器，不用倍流你沒(méi)法做，用倍流，件多。
有源嵌位正激，后面的管子可以得用200v的，所以效率就一般了
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@化雪
你的反激方案不是太好，只考慮了占空比的因素，那么9V輸入的時(shí)候，有十幾A電流，峰值就更大了，東西不是很好選?？梢韵蚰闾峁﹥煞N方案，你自已考慮一下。 1、有源嵌位正激，這個(gè)應(yīng)該是可以的，但我沒(méi)做過(guò)，主要問(wèn)題是變壓器復(fù)位和管子應(yīng)力，高端的時(shí)候占空比要設(shè)的很小才行，可能不太好使。還有很多問(wèn)題，最簡(jiǎn)單的一個(gè)例子就是，我用這種電路做雙倍輸入，在低端時(shí)就很難處理，那么四倍會(huì)更麻煩。 2、全橋，這是最合適的拓?fù)洌瑑?yōu)點(diǎn)是電路不會(huì)有問(wèn)題，體積會(huì)比較小，如果你可以用多層板，那么這個(gè)是最合適得了，如果不能用多層板，100W可以用倍流，也可以解決一些問(wèn)題。缺點(diǎn)就是件太多，然后，如果用平板變壓器，不用倍流你沒(méi)法做，用倍流，件多。
謝謝你的回復(fù)，因?yàn)轶w積有限，使用環(huán)境也不好散熱也是個(gè)問(wèn)題，所以效率要比較高，如果用全橋的話，用Isl6742這顆怎么樣。還有就是忘了說(shuō)負(fù)載是調(diào)變的，每過(guò)10s左右出現(xiàn)一次重載，其他時(shí)候大概在25w左右。倍流沒(méi)做過(guò)，有什么要注意的能不能說(shuō)下。
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@化雪
你的反激方案不是太好，只考慮了占空比的因素，那么9V輸入的時(shí)候，有十幾A電流，峰值就更大了，東西不是很好選。可以向你提供兩種方案，你自已考慮一下。 1、有源嵌位正激，這個(gè)應(yīng)該是可以的，但我沒(méi)做過(guò)，主要問(wèn)題是變壓器復(fù)位和管子應(yīng)力，高端的時(shí)候占空比要設(shè)的很小才行，可能不太好使。還有很多問(wèn)題，最簡(jiǎn)單的一個(gè)例子就是，我用這種電路做雙倍輸入，在低端時(shí)就很難處理，那么四倍會(huì)更麻煩。 2、全橋，這是最合適的拓?fù)?，?yōu)點(diǎn)是電路不會(huì)有問(wèn)題，體積會(huì)比較小，如果你可以用多層板，那么這個(gè)是最合適得了，如果不能用多層板，100W可以用倍流，也可以解決一些問(wèn)題。缺點(diǎn)就是件太多，然后，如果用平板變壓器，不用倍流你沒(méi)法做，用倍流，件多。
輸出才7A啊,用倍流
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@qinzutaim
輸出才7A啊,用倍流[圖片]
isl6742沒(méi)用過(guò)，如果我用的話可能會(huì)用ucc2808之類(lèi)的。
倍流的話，我設(shè)計(jì)過(guò)兩次，好像變比不太好設(shè)計(jì)，這個(gè)是我自已的問(wèn)題，到現(xiàn)在也不搞懂，反正我當(dāng)時(shí)可以多試幾次，所以就沒(méi)太多深入學(xué)習(xí)，二極管上的應(yīng)力好像也不小。
時(shí)間比較久，記不清，你可以算一下，國(guó)外TI的網(wǎng)站上好像有一些資料，你可以看一下，
EFD15的磁芯是不是可以在全橋下出到50W，如果可以而不超高的話，那么不用倍流是可以的。
反正四倍輸入電壓，用什么拓?fù)涠疾惶糜茫绻苡梅醇な亲詈玫?，可惜我少做反激，所以不能提供更多的意?jiàn)。
15樓的兄弟，像樓主這種產(chǎn)品，是小模塊的可能性很大，那么就要用平面的器件，如果到100W，一般的平面磁芯就不行了，如果用銅帶的話，次級(jí)會(huì)很難出，用倍流可以解決這個(gè)問(wèn)題，但同樣電感要多用一個(gè)。
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@cdhzdz
現(xiàn)在用UC3846做效率才80%（24輸入時(shí)）。頻率100k，變壓器選EI30,初級(jí)雙線并繞5匝，次級(jí)雙線并繞11匝。輸出電感55uH。幫忙看看有什么辦法提高效率。沒(méi)有用同步整流。
你這個(gè)用同步整流應(yīng)該不錯(cuò)，不曉得你輸出電感用了多少Rds_on的，電感量還可以稍微小一點(diǎn)。副邊如果用同步整流，效率可以提高不少，簡(jiǎn)單算0.7V*7=4.9W.續(xù)流管用150V MOS,50mR的，兩顆并，或用一顆好的,forward一個(gè)用個(gè)80V足夠,簡(jiǎn)單算算也有至少3瓦好節(jié)約，效率可提高4個(gè)點(diǎn)。另外，你原邊有否用電流互感器采樣？明顯低端輸入電流很大，原邊應(yīng)該100V MOS足夠用了。效率應(yīng)該不止這么多的
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你這個(gè)用同步整流應(yīng)該不錯(cuò)，不曉得你輸出電感用了多少Rds_on的，電感量還可以稍微小一點(diǎn)。副邊如果用同步整流，效率可以提高不少，簡(jiǎn)單算0.7V*7=4.9W.續(xù)流管用150VMOS,50mR的，兩顆并，或用一顆好的,forward一個(gè)用個(gè)80V足夠,簡(jiǎn)單算算也有至少3瓦好節(jié)約，效率可提高4個(gè)點(diǎn)。另外，你原邊有否用電流互感器采樣？明顯低端輸入電流很大，原邊應(yīng)該100VMOS足夠用了。效率應(yīng)該不止這么多的
不確定你是否直接正激了，看匝比貌似是的
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不確定你是否直接正激了，看匝比貌似是的
電路是推挽電路。因?yàn)槌杀締?wèn)題沒(méi)用同步整流。二極管用的是MBR20100。原邊MOS用的是IRF640,因?yàn)樵诟叨溯斎霑r(shí)怕100V的耐壓不夠。現(xiàn)在輸出電感溫升較高。達(dá)到了40℃，試過(guò)用45uH的電感溫升還要高點(diǎn)?，F(xiàn)在在低端輸入時(shí)效率較低，只有74%（12V輸入時(shí)）。能不能幫我看看變壓器算的是不是合理，用過(guò)初級(jí)3T，次級(jí)7T的。效率和這個(gè)差不多，只是效率最高的時(shí)候是在17V輸入。因?yàn)榭蛻舻妮斎胍话闶窃?4V，所以就用了現(xiàn)在這個(gè)匝數(shù)。
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