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【問】DC/DC 升壓拓撲中怎樣使損耗降到最低？

輸入12V,輸出16V1.2A，UC3843做的，滿載整機損耗是1.5W，效率92%，如果想再降低損耗，還能從哪里去做呢？

高手路過請指點！

 

D1、D1A已經(jīng)用跳線短路掉了，電感L1B短路，輸出整流管壓降0.7V

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javike
LV.12
2
2012-06-07 15:10
92%已經(jīng)差不多了，可以把MOS加個圖騰或者加個加速關(guān)斷，輸出整流管可以用SBR10U45，VF=0.31V的，再看看MOS能不能選擇RDS和Qg較小的。
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2012-06-07 15:24
@javike
92%已經(jīng)差不多了，可以把MOS加個圖騰或者加個加速關(guān)斷，輸出整流管可以用SBR10U45，VF=0.31V的，再看看MOS能不能選擇RDS和Qg較小的。

mosfet RDS已經(jīng)是0.018R的了，加個圖騰或者加個加速關(guān)斷，具體怎樣做呢，輸出整流管是應(yīng)該換一下

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zvszcs
LV.12
4
2012-06-07 15:34
@YH半導(dǎo)體
mosfetRDS已經(jīng)是0.018R的了，加個圖騰或者加個加速關(guān)斷，具體怎樣做呢，輸出整流管是應(yīng)該換一下

這個效率不錯了哇，MOS 和二極管換個更加好的，估計會再提高點

你MOS耐壓多少？


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javike
LV.12
5
2012-06-07 15:34
@YH半導(dǎo)體
mosfetRDS已經(jīng)是0.018R的了，加個圖騰或者加個加速關(guān)斷，具體怎樣做呢，輸出整流管是應(yīng)該換一下
0.018R不算低哦，加個圖騰使用一對NPN和PNP進去驅(qū)動，簡單的加速就是在R17上反并個1N4148，如果再價格PNP的三極管加速更好。
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2012-06-07 15:41

我認為你能做到這個效率已經(jīng)非常不錯了，如果還想要提升效率，降低孫紅啊的話就要下點功夫了

首先，你要把幾個關(guān)鍵點的波形抓出來，看是否有尖峰與振蕩

其次，功率器件需要跟得上，也就是說余量越大越好，MOSFET,diode,升壓電感的磁芯跟線徑等等，不過這會大幅度的讓成本上升

再次，布線看是否有優(yōu)化的空間

高效率的電源都是一點一點效率的摳出來的

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bdzn
LV.9
7
2012-06-07 16:08
@YH半導(dǎo)體
mosfetRDS已經(jīng)是0.018R的了，加個圖騰或者加個加速關(guān)斷，具體怎樣做呢，輸出整流管是應(yīng)該換一下
純友情的幫頂。
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Mr.chen
LV.2
8
2012-06-07 17:38
@心中有冰
我認為你能做到這個效率已經(jīng)非常不錯了，如果還想要提升效率，降低孫紅啊的話就要下點功夫了首先，你要把幾個關(guān)鍵點的波形抓出來，看是否有尖峰與振蕩其次，功率器件需要跟得上，也就是說余量越大越好，MOSFET,diode,升壓電感的磁芯跟線徑等等，不過這會大幅度的讓成本上升再次，布線看是否有優(yōu)化的空間高效率的電源都是一點一點效率的摳出來的
測試時 輸入輸出線加粗縮短
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higel
LV.8
9
2012-06-07 18:45
@YH半導(dǎo)體
mosfetRDS已經(jīng)是0.018R的了，加個圖騰或者加個加速關(guān)斷，具體怎樣做呢，輸出整流管是應(yīng)該換一下
0.018R的Rds不低了，低壓MOSFET都有<1mΩ的了...
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2012-06-08 11:16
@zvszcs
這個效率不錯了哇，MOS和二極管換個更加好的，估計會再提高點你MOS耐壓多少？

mosfet耐壓是60V的

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javike
LV.12
11
2012-06-08 11:17
@YH半導(dǎo)體
mosfet耐壓是60V的
60V的比較合適了
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2012-06-08 11:18
@javike
0.018R不算低哦，加個圖騰使用一對NPN和PNP進去驅(qū)動，簡單的加速就是在R17上反并個1N4148，如果再價格PNP的三極管加速更好。
謝謝司令指導(dǎo)，如果老板覺得還不夠時就加上去看看
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2012-06-08 11:33
@心中有冰
我認為你能做到這個效率已經(jīng)非常不錯了，如果還想要提升效率，降低孫紅啊的話就要下點功夫了首先，你要把幾個關(guān)鍵點的波形抓出來，看是否有尖峰與振蕩其次，功率器件需要跟得上，也就是說余量越大越好，MOSFET,diode,升壓電感的磁芯跟線徑等等，不過這會大幅度的讓成本上升再次，布線看是否有優(yōu)化的空間高效率的電源都是一點一點效率的摳出來的

謝謝，現(xiàn)在效率摳到93.5了，呵呵

波形都不錯，尖峰在控制范圍內(nèi)，沒有頻率振蕩

板因為兼容性較大，不太好優(yōu)化了

 

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心中有冰
LV.11
14
2012-06-08 11:43
@YH半導(dǎo)體
謝謝，現(xiàn)在效率摳到93.5了，呵呵波形都不錯，尖峰在控制范圍內(nèi)，沒有頻率振蕩板因為兼容性較大，不太好優(yōu)化了[圖片] 

除了地線走得有些長之外，其余的已經(jīng)非常好了

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javike
LV.12
15
2012-06-08 13:01
@YH半導(dǎo)體
謝謝，現(xiàn)在效率摳到93.5了，呵呵波形都不錯，尖峰在控制范圍內(nèi)，沒有頻率振蕩板因為兼容性較大，不太好優(yōu)化了[圖片] 
IC的地線從右邊連接到輸入地比較好，你現(xiàn)在是連接的輸出地那邊，雖然是相通的，但可能會送負載干擾，另外，你這個是不隔離的，完全可以不用光耦反饋，直接反饋就可以，響應(yīng)還更快些
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2012-06-12 16:35
@javike
IC的地線從右邊連接到輸入地比較好，你現(xiàn)在是連接的輸出地那邊，雖然是相通的，但可能會送負載干擾，另外，你這個是不隔離的，完全可以不用光耦反饋，直接反饋就可以，響應(yīng)還更快些
謝謝，接輸出地是考慮到兼容性，如果需要降壓的時候也可以這個板搞定，只要割一條線。地線過長也有另外加一根跳線過去的
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2012-06-12 17:02
這個效率很不錯了
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2012-06-13 07:42
問一個問題，不明白的是你的電流采樣為什么這么復(fù)雜？
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2012-06-13 17:42
@zhaojiahighaim
問一個問題，不明白的是你的電流采樣為什么這么復(fù)雜？
采樣復(fù)雜？輸出電流可調(diào)，所以電流環(huán)多了幾個元件而已
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