我之前用的是UC3842做的18W（12v/1.5A)適配器，用著沒問題，現(xiàn)在我把它換為UC3843了，VCC電壓是17V多一點，我就把限流電阻短接了，電壓升為19V，其它的參數(shù)都沒有變，然后帶載燒機(jī)測試（還是按1.5A輸出).不到一小時IC溫度升到83度就炸機(jī)了，MOSFET, Rsense電阻都燒掉了。
看這兩個IC差異也不大呀，
請問會是什么原因造成的呢？
【問】用UC3843做18W適配器炸機(jī)有哪些原因造成？
全部回復(fù)(17)
正序查看
倒序查看
@javike
可能是VCC太高導(dǎo)致驅(qū)動電壓太高，擊穿MOS的VGS了，導(dǎo)致炸機(jī)了，一般MOS的VGS最大只有20~25V，19V已經(jīng)很接近了。當(dāng)然，驅(qū)動電壓高也會導(dǎo)致驅(qū)動損耗增大，如果是IC直接驅(qū)動MOS，那么IC就會發(fā)熱，當(dāng)MOS的QG太大時，IC內(nèi)部的驅(qū)動可能會因為過功耗而燒壞，導(dǎo)致MOS的G極也懸空而炸掉MOS。
MOS的VG-S電壓一般都是+/-30V的呀，我的才到19V呀，另：驅(qū)動的電壓高了，效率不是會高一些嗎？
0
回復(fù)
至于為什么會這么燒，原因應(yīng)該是：
（1）FET爆炸后，其漏源極短路；
（2）由短路引起的大電流流過源極的檢測電阻，從而造成MOF（Rsense）電阻工作開路；
（3）此時流入漏極的電感電流仍需一個續(xù)流通路，于是轉(zhuǎn)向流經(jīng)門極，抬高門極電壓，流入控制IC；
（4）IC失靈。
代替后炸機(jī)原因：
用UC3843代替UC3842好像是有點問題，一般會造成開機(jī)時炸MOSFET Rsense。自己實驗所得。
原因：
增加點啟動電阻；
限流電阻不應(yīng)該去的吧；
要在MOSFET的gs邊并一個齊納二極管。
0
回復(fù)
@zhaojiahighaim
至于為什么會這么燒，原因應(yīng)該是：（1）FET爆炸后，其漏源極短路；（2）由短路引起的大電流流過源極的檢測電阻，從而造成MOF（Rsense）電阻工作開路；（3）此時流入漏極的電感電流仍需一個續(xù)流通路，于是轉(zhuǎn)向流經(jīng)門極，抬高門極電壓，流入控制IC；（4）IC失靈。代替后炸機(jī)原因：用UC3843代替UC3842好像是有點問題，一般會造成開機(jī)時炸MOSFETRsense。自己實驗所得。原因：增加點啟動電阻；限流電阻不應(yīng)該去的吧；要在MOSFET的gs邊并一個齊納二極管。
凡是不一定，你原來就已經(jīng)17V了，現(xiàn)在才多了2V，發(fā)熱肯定是VCC電壓高了，估計你原來溫度也不是很低。你是30V的VGS，19V肯定沒啥問題的，說不定你其他方面有問題，最好仔細(xì)查一查，免得批量后。。。。。。。。。。。
一切皆有可能呀
0
回復(fù)
@zhaojiahighaim
至于為什么會這么燒，原因應(yīng)該是：（1）FET爆炸后，其漏源極短路；（2）由短路引起的大電流流過源極的檢測電阻，從而造成MOF（Rsense）電阻工作開路；（3）此時流入漏極的電感電流仍需一個續(xù)流通路，于是轉(zhuǎn)向流經(jīng)門極，抬高門極電壓，流入控制IC；（4）IC失靈。代替后炸機(jī)原因：用UC3843代替UC3842好像是有點問題，一般會造成開機(jī)時炸MOSFETRsense。自己實驗所得。原因：增加點啟動電阻；限流電阻不應(yīng)該去的吧；要在MOSFET的gs邊并一個齊納二極管。
我用的是UTC的2N60，GS電壓是30V的，樓上說的對，3843的啟動電壓是8.4V吧，我不應(yīng)該再短接電阻了，那樣反爾不是更高了嘛，呵呵，對了輸出18W用2A的MOS，又沒加散熱片。我又換回UC3842測試，用了4A的MOS的溫度到103度了，所以問題就在這了，謝謝各位大師的熱心解答。
0
回復(fù)
