要求:
input:240V-300V
ouptut:100W@60V
過(guò)150%負(fù)載 120s
過(guò)200%負(fù)載 5s
拓?fù)洌弘p管反激
問(wèn)題:大家估計(jì)這個(gè)東西工作在DCM怎么樣?EI33磁芯是否可以滿足要求?
或者大家有什么更好的建議呢?
要求:
input:240V-300V
ouptut:100W@60V
過(guò)150%負(fù)載 120s
過(guò)200%負(fù)載 5s
拓?fù)洌弘p管反激
問(wèn)題:大家估計(jì)這個(gè)東西工作在DCM怎么樣?EI33磁芯是否可以滿足要求?
或者大家有什么更好的建議呢?
UC3844的占空比限制在48%,而UC3842和UC3843的占空比可以達(dá)到96%。
通常我們把反激的占空比最大設(shè)置在0.45左右,實(shí)際工作時(shí)的占空比是有差異的,
設(shè)置0.45的占空比,實(shí)際可能會(huì)在某些條件下超過(guò)0.5,
對(duì)UC3842或UC3843來(lái)講,占空比變大導(dǎo)致的問(wèn)題是MOS的VDS電壓應(yīng)力增加了,一般我們預(yù)留足夠的裕量就可以了;
但對(duì)于UC3844就不一樣了,因?yàn)檎伎毡缺幌拗撇荒艹^(guò)48%,結(jié)果可能就導(dǎo)致工作不穩(wěn)定了。。。。
CCM模式的好處是峰值電流相對(duì)較小,開(kāi)關(guān)損耗會(huì)小,MOS和DIODE的電壓電流應(yīng)力相對(duì)較小,成本相對(duì)低點(diǎn),紋波也相對(duì)小些,EMI也較好,只是增加了輸出DIODE的反向恢復(fù)損耗;
對(duì)于100W的電源綜合評(píng)估的話,還是用CCM模式比較好。
連續(xù)和不連續(xù)的區(qū)別
一:不連續(xù):
1:優(yōu)點(diǎn)
開(kāi)關(guān)器件轉(zhuǎn)向?qū)〞r(shí),初始電流為零。(輸出二極管完全恢復(fù),開(kāi)關(guān)器件不會(huì)瞬間轉(zhuǎn)為短路,二極管的恢復(fù)減少了電磁干擾輻射)。
變換器不出現(xiàn)右半平面的零點(diǎn),回路容易穩(wěn)定。
2:缺點(diǎn)
電感量小。
開(kāi)關(guān)晶體管有高的峰值電流(高的峰值電流導(dǎo)致了高的rms,有效值)。--繞組損失增加。
輸入,輸出電容紋波電流和紋波電壓增加,增加開(kāi)關(guān)晶體管應(yīng)力。
二:連續(xù):
1:優(yōu)點(diǎn):
一周期末的峰值電流比同樣輸出功率的不連續(xù)模式系統(tǒng)的峰值電流低。
2:缺點(diǎn):
電感量大。
開(kāi)關(guān)轉(zhuǎn)向?qū)ㄆ陂g需要流過(guò)開(kāi)關(guān)大電流,引起大的開(kāi)關(guān)損失。
變換器出現(xiàn)右半平面零點(diǎn),回路很難在寬范圍輸入電壓范圍內(nèi)穩(wěn)定。
直接單管反激就好了,用不了那么復(fù)雜,UC3844可以用
你再確認(rèn)一下是不是3844,還有就是驅(qū)動(dòng)波是它發(fā)出來(lái)的嗎?