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IR2112s發(fā)熱嚴(yán)重(增加了實(shí)測(cè)驅(qū)動(dòng)波形)

高速電機(jī)控制,用IR2112s來(lái)驅(qū)動(dòng)MOS管,MOS管型號(hào)是75N75,IR2112s的供電電壓是15V(15V電壓是通過(guò)24V用Lm2575-15穩(wěn)壓得到,)轉(zhuǎn)速低的時(shí)候還好,但是當(dāng)電機(jī)轉(zhuǎn)速高于10000rpm時(shí),IR2112s芯片發(fā)熱嚴(yán)重,當(dāng)轉(zhuǎn)速再提高時(shí),驅(qū)動(dòng)無(wú)輸出,經(jīng)測(cè)試發(fā)現(xiàn)此時(shí)15V電壓已經(jīng)降到了5V左右。

后來(lái),換成恒流恒壓源來(lái)對(duì)電流進(jìn)行監(jiān)視,可以看到,當(dāng)轉(zhuǎn)速提高的時(shí)候,15V電源的輸出電流一直增加。當(dāng)轉(zhuǎn)速高于10000rpm時(shí),輸出電流已經(jīng)大于1A,而2575最大輸出電流才為1A,所以導(dǎo)致了15V電壓的下降。

PS:電路中用到15V電壓的地方出了驅(qū)動(dòng)以外,還有編碼器位置的檢測(cè),但是這部分我做了檢查,應(yīng)該沒(méi)問(wèn)題。而且在低速時(shí)驅(qū)動(dòng)芯片不燙,但是高速運(yùn)轉(zhuǎn)時(shí)驅(qū)動(dòng)芯片發(fā)熱很嚴(yán)重個(gè),所以我覺(jué)得是驅(qū)動(dòng)芯片索取的電流太大導(dǎo)致的。

驅(qū)動(dòng)電路如圖。其中驅(qū)動(dòng)電阻R401和R402用的是30歐姆。怎么解決這個(gè)問(wèn)題呢?

 

 

今天做實(shí)驗(yàn)實(shí)測(cè)了驅(qū)動(dòng)的波形,發(fā)現(xiàn)上管驅(qū)動(dòng)的上升沿有抖動(dòng),比較慢,這是由于自舉電容C403太小導(dǎo)致的嗎?C403選用的是鉭電容,4.7uF、50V。

 

 

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2012-07-19 08:51
外圍元件沒(méi)問(wèn)題的話個(gè)人建議用IR2110對(duì)比試試.
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seinority
LV.3
3
2012-07-19 09:13
有見(jiàn)過(guò)把VDD也接15V,驅(qū)動(dòng)電阻用470歐的。
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2012-07-19 09:19
@seinority
有見(jiàn)過(guò)把VDD也接15V,驅(qū)動(dòng)電阻用470歐的。
VDD是根據(jù)邏輯電平轉(zhuǎn)換需要定的,用5v是為了接5v邏輯電平輸入?
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Rabatbit
LV.1
5
2012-07-19 09:23
@ymyangyong
外圍元件沒(méi)問(wèn)題的話個(gè)人建議用IR2110對(duì)比試試.

看了一下,的確2110比2112s的驅(qū)動(dòng)性能要好,封裝也有一樣的,有機(jī)會(huì)換下試試。

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Rabatbit
LV.1
6
2012-07-19 09:26
@ymyangyong
VDD是根據(jù)邏輯電平轉(zhuǎn)換需要定的,用5v是為了接5v邏輯電平輸入?
恩,輸入的PWM是0/5V的邏輯。
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Rabatbit
LV.1
7
2012-07-19 15:53
@seinority
有見(jiàn)過(guò)把VDD也接15V,驅(qū)動(dòng)電阻用470歐的。
VDD接15V的話,前端PWM的邏輯電平也要升到15V了吧。
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seinority
LV.3
8
2012-07-19 16:18
@Rabatbit
VDD接15V的話,前端PWM的邏輯電平也要升到15V了吧。
不用呀,TTL電平就可以。
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