我也有此問題,不知那位大俠可以幫幫忙?
我在這裡先謝謝!

你做的電源結(jié)構(gòu)有問題,變壓器和FET漏極的雜散電容太大,RCD吸收的快恢復恢復電荷高.雜散電容引起的損耗與FET漏極側(cè)電壓平方和電容量成正比.

您能不能說明白點,雜散電容以及RCD電路如何修改?

更改RCD參數(shù),可以解決這個問題嗎?還是要變更其他的?與線路佈局有關(guān)嗎?

請問RCD怎么樣選擇才知道是正確的?

變更D可以改變mos管的溫升,我有做過實驗!但RCD如何配置才合適呢?我設(shè)計的是23W SPS I/P85~264VAC,O/P3.3VDC/7A.R為39K,C為472/1KV.D為1N4937.電路用的是比較常見的那種!是否合理還請各位大師分析分析!(溫升現(xiàn)象)1093569396.doc

反激式電源輸出7A電流是比較難做,變壓器耦合差,漏抗太大,你用示波器測一下FET漏極電壓是否過了.

是過高還是過低?

我測試了,在高壓265VAC時為480VDC,我選的MOS管為600V的.波形我用CAD畫出來了.是否有問題?1093640930.doc

老大你量一下VDS看看有多少吧,我看是不少了

你的設(shè)計是不是在高電壓時,依然工作在CCM模式?應(yīng)該設(shè)計為高壓時工作在DCM模式,這樣可以有效減小MOS開通的容性損耗.

看一下峰直最高電壓.

如果在高壓時為DCM模式則MOS管上的關(guān)斷尖峰電壓會更低

請問怎樣設(shè)計變壓器才能在低壓是CCM,而在高壓是DCM,SPS可以正常工作?
謝謝

從CCM變化到DCM,有一個臨界點.在這個工作電壓下,工作于CRM模式,即電流臨界連續(xù)模式.工作電壓低于該點,則為CCM模式,工作電壓高于此點,則為DCM模式.當然,這都是在相同的負載條件下所說的.

你這等于沒說﹐上面的兄弟﹐是說從那里可直觀的看到﹐是何種模式﹐又是怎樣去看.

先看點電源基礎(chǔ)方面的書再做電源好不好,同志.