我也有此問(wèn)題,不知那位大俠可以幫幫忙?
我在這裡先謝謝!

你做的電源結(jié)構(gòu)有問(wèn)題,變壓器和FET漏極的雜散電容太大,RCD吸收的快恢復(fù)恢復(fù)電荷高.雜散電容引起的損耗與FET漏極側(cè)電壓平方和電容量成正比.

您能不能說(shuō)明白點(diǎn),雜散電容以及RCD電路如何修改?

更改RCD參數(shù),可以解決這個(gè)問(wèn)題嗎?還是要變更其他的?與線路佈局有關(guān)嗎?

請(qǐng)問(wèn)RCD怎么樣選擇才知道是正確的?

變更D可以改變mos管的溫升,我有做過(guò)實(shí)驗(yàn)!但RCD如何配置才合適呢?我設(shè)計(jì)的是23W SPS I/P85~264VAC,O/P3.3VDC/7A.R為39K,C為472/1KV.D為1N4937.電路用的是比較常見(jiàn)的那種!是否合理還請(qǐng)各位大師分析分析!(溫升現(xiàn)象)1093569396.doc

反激式電源輸出7A電流是比較難做,變壓器耦合差,漏抗太大,你用示波器測(cè)一下FET漏極電壓是否過(guò)了.

是過(guò)高還是過(guò)低?

我測(cè)試了,在高壓265VAC時(shí)為480VDC,我選的MOS管為600V的.波形我用CAD畫(huà)出來(lái)了.是否有問(wèn)題?1093640930.doc

老大你量一下VDS看看有多少吧,我看是不少了

你的設(shè)計(jì)是不是在高電壓時(shí),依然工作在CCM模式?應(yīng)該設(shè)計(jì)為高壓時(shí)工作在DCM模式,這樣可以有效減小MOS開(kāi)通的容性損耗.

看一下峰直最高電壓.

如果在高壓時(shí)為DCM模式則MOS管上的關(guān)斷尖峰電壓會(huì)更低

請(qǐng)問(wèn)怎樣設(shè)計(jì)變壓器才能在低壓是CCM,而在高壓是DCM,SPS可以正常工作?
謝謝

從CCM變化到DCM,有一個(gè)臨界點(diǎn).在這個(gè)工作電壓下,工作于CRM模式,即電流臨界連續(xù)模式.工作電壓低于該點(diǎn),則為CCM模式,工作電壓高于此點(diǎn),則為DCM模式.當(dāng)然,這都是在相同的負(fù)載條件下所說(shuō)的.

你這等于沒(méi)說(shuō)﹐上面的兄弟﹐是說(shuō)從那里可直觀的看到﹐是何種模式﹐又是怎樣去看.

先看點(diǎn)電源基礎(chǔ)方面的書(shū)再做電源好不好,同志.