在張占松老師的開關(guān)原理及設(shè)計(jì)一書中，在講解RCD吸收時(shí)，有這樣寫道在反激作用時(shí)。嵌位電壓提供
一個(gè)附加強(qiáng)制電壓值來驅(qū)動(dòng)電能進(jìn)入副邊電感，有沒有大俠分析下MOS關(guān)斷后，勵(lì)磁電感電流和漏感電流
的作用在MOS輸出電容和RCD吸收電容上面的過程，以及吸收電容上的電壓如何對(duì)能量傳遞產(chǎn)生影響的？？