C61F21 CPU：
? 49條指令，除部分跳轉(zhuǎn)指令外為單周期RISC實(shí)現(xiàn)
? 工作速度：
- 振蕩器/ 時(shí)鐘的輸入頻率為DC~20 MHz
- 指令周期最小為DC~200 ns
? 支持中斷處理，10個(gè)中斷源，8級(jí)硬件堆棧
特殊單片機(jī)特性：
? 高精度內(nèi)部振蕩器：
- 出廠時(shí)精度校準(zhǔn)為±1%
- 可用軟件選擇的頻率范圍為32 kHz 到8 MHz,可
用軟件調(diào)節(jié)
- 適用于關(guān)鍵應(yīng)用的晶振故障檢測(cè)
? 低功耗的電源休眠模式
? 工作電壓范圍（2.0V 到5V）
? 工業(yè)級(jí)溫度范圍: -40°C 至 85°C
? 上電復(fù)位（Power-on Reset， POR）
? 帶軟件控制選擇的欠壓檢測(cè)（Brown-out Detect，
BOD）
? 帶上拉的主復(fù)位，可復(fù)用為輸入引腳
存儲(chǔ)器
? 非易失性的程序存儲(chǔ)器和數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器
– 2K 字節(jié)的系統(tǒng)內(nèi)可編程Flash
– 256字節(jié)的EEPROM: 擦寫壽命: 1000,000 次
– EEPROM 可經(jīng)受100 萬次寫操作
? 可編程代碼保護(hù)
? 高耐用性閃存/EEPROM單元：
- 閃存可經(jīng)受10萬次寫操作
- 閃存/ 數(shù)據(jù)EEPROM保存時(shí)間：>40 年
? 128 字節(jié)的片內(nèi)SRAM
外設(shè)特性：
– 三個(gè)通用功能定時(shí)器/計(jì)數(shù)器
– 硬件PWM輸出
– 4路10 位ADC，最高速率達(dá)200K，積分誤差1LSB
– 一個(gè)片內(nèi)模擬比較器
– 內(nèi)部可編程的參考電壓（VDD成比例）
– 具有獨(dú)立片內(nèi)振蕩器的可編程看門狗定時(shí)器
– 引腳電平變化可引發(fā)中斷及喚醒MCU
ISP 功能
– 在線編程下載功能
I/O 口與封裝
? 6 個(gè)可編程的I/O 口線：
– 最大驅(qū)動(dòng)能力20mA，
– 獨(dú)立的可編程弱上拉，
– 超低功耗喚醒功能，
– I/O口具有鍵盤中斷功能
? 8 引腳封裝:DIP8/SOIC8/TSSOP-8封裝
功耗
? 正常模式：
- 4 MHz, 2V: 典型值200μA
- 32 kHz, 2V: 典型值11μA ( 包括振蕩器)
? 掉電模式:
- 2V， 0.5μA

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