SIC二極管的正向壓降不小呢，只是反向回復(fù)時(shí)間理論上位0

上點(diǎn)資料學(xué)習(xí)一下碳化硅二極管特性研究 

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SIC用在頻率較高電路中的損耗主要是反向恢復(fù)時(shí)間問題。

SiC的電子遷移率低，所以，正向?qū)娊M較大，但肖特基二極管已經(jīng)做到1.5V以下了，這和器件設(shè)計(jì)有關(guān)，可以改進(jìn)的。其他參數(shù)都有很大的改善。

關(guān)于MOSFET，同樣的問題，但是，任何器件都有應(yīng)用范圍，能提供你的要求嗎？

SiC MOSFET的應(yīng)用優(yōu)勢(shì)是在高溫下，高頻率，高電壓的場(chǎng)合。并且，現(xiàn)在的SiC MOSFET在大電流方面還有一些技術(shù)問題。

另外，建議大家去嘗試一下，里面還有很多問題需要解決，我們共同努力吧。

其實(shí)你應(yīng)該這樣理解，sic能級(jí)比較高，所以低壓時(shí)損耗反而大。

但是對(duì)于高壓，他就不需要那么厚的層來耐壓。

所以高耐壓的產(chǎn)品中，其導(dǎo)通損耗反而低。

至于開關(guān)損耗，也是由于高能級(jí)帶來的好處

SiC MOS降低的主要是開關(guān)損耗而不是導(dǎo)通損耗。

SiC MOS的開關(guān)頻率比IGBT高，同時(shí)在關(guān)斷時(shí)，IGBT有拖尾現(xiàn)象，關(guān)斷很慢，從而導(dǎo)致IGBT的開關(guān)速度上不去，基本在10K左右，不超過20K，損耗很高。而SiC mos的關(guān)斷速度比較快。

相比普通MOS的優(yōu)勢(shì)是高壓情況下。SIC MOS的導(dǎo)通電阻會(huì)低很多。

請(qǐng)dx們指正。