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硬件筆記本
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刷到一個分離元器件搭建的電路,據(jù)說這個電路已經(jīng)量產(chǎn),成本低,電路簡單,且同時實現(xiàn)了三種功能

在網(wǎng)上刷到一個分離元器件搭建的電路,而且據(jù)說這個電路已經(jīng)量產(chǎn),電路本身不復雜,但是同時集成了三種功能:防反接,過壓保護和電源緩啟動。

廢話不多說,咱們一起來看它的工作原理。

01防反接

關于防反接,我之前已經(jīng)寫了很多文章了,防反接要么用二極管,要么用MOS管,這里的防反接主要靠的是Q2這顆MOS管。

當電源的正極從BAT+輸入時,通過R169再到D17穩(wěn)壓管,再通過MOS體二極管流回電源的負極,這之后,將NMOS管Q2的Vgs 鉗位到9.1V,管子被打開,地網(wǎng)絡可以正常接通輸出。

當電源接反后,電流路徑被NMOS管Q2的體二極管反向截止,MOS管的gs兩端沒有電壓,所以無法打開,整個電源的地網(wǎng)絡斷開,無法形成電源的一個回流路徑,所以電源不工作,無法輸出,從而實現(xiàn)防反接的功能。

02緩啟動

什么是電源的緩啟動?當外接電源上電后,電路板上的電不是立刻就有,而是要有一個慢慢上爬的過程,當然一般都是us或者ms級別。

一般我們會在電源的輸入端加上電源緩啟動電路,因為在上電熱插拔的過程中連接器的機械觸點在接觸瞬間會出現(xiàn)彈跳,導致電源振蕩,可能會引起打火,電源跌落,系統(tǒng)不穩(wěn)等問題。

有了緩啟電路,在連接器抖動的那十幾毫秒內(nèi)不給連接器通電,等插入穩(wěn)定后再通電,就可以避免這些問題的發(fā)生。

該電路的緩啟動,主要是靠PMOS管Q1,通過緩慢打開Q1實現(xiàn)電路的緩啟動能。

詳細分析:

①在上電瞬間, PNP三極管Q18導通,PMOS管Q1的柵極通過R172Q18迅速到達VBAT電壓,使得Q1的PMOS管的Vgs = 0;

②同時,VBAT會沿著另一個路徑,通過R170和R87到達PNP三極管Q18的基極,然后經(jīng)過電容C41再到R171流回電源的負極。

在這個回路中,電容C41兩端電壓不可突變,所以這也是在給電容C41充電的一個過程,在C41電容充電的過程中,可以將它等效為一個阻值不斷增大的內(nèi)阻;

③這個等效電阻與R171串聯(lián)分壓,此電阻上的分壓不斷增加,因此PMOS管Q1柵極電位分得的電壓逐漸降低,直到Vgs < Vgs(th),PMOS打開,從而實現(xiàn)緩啟動功能。

其實也可以理解為Q18由開啟到關閉的一個時間,在這個時間內(nèi),MOS由關斷到開啟。

03過壓保護

該電路中,對過壓保護起關鍵作用的是D94和Q18。

當正常輸入時:

穩(wěn)壓二極管D94截止,分析如上圖,有一個MOS管的緩啟動過程,電源正常輸出。

當輸入過壓時:

即輸入電壓>28V,一般會到30-32V,穩(wěn)壓管D94反向擊穿,然后將PNP三極管Q18的柵極電位鉗制在其穩(wěn)壓值28V,而PNP三極管Q18的發(fā)射極電壓接的是過壓的VBAT電壓

因此PNP三極管Q18的Vbe<-0.7,三極管導通,之后過壓的VBAT通過導通的Q18和R172到PMOS管Q1的柵極,由于管壓降很小,可以近似認為Q1的Vgs=0,PMOS關斷,無輸出電壓到后級電路,實現(xiàn)過壓關斷保護。

這個電路需要注意

  • 輸入輸出電容C194和C199的耐壓不夠,當輸入28V時,電容直接就掛了。

  • 值得注意的是,MOS管Q1型號為TPCA8122,規(guī)格書顯示VGS的安全電壓范圍在-20V/+10V以內(nèi)。

當輸入電壓超過20V時,Q1的Vgs會小于-20V,超過了其額定電壓范圍內(nèi)的最大值,按理說這顆MOS管會損壞,實際電路能正常工作,這是為什么呢?仔細看MOS管內(nèi)部的封裝,內(nèi)部在gs之間并了一顆雪崩二極管,它會將MOS管的gs電壓鉗位在一個比較安全的電壓范圍內(nèi),起到一個保護作用。

這顆雪崩二極管,一般的MOS管是沒有的,選型時也要注意一下。

雖然很多時候我們不需要重復造輪子,但只有理解了其每個元件的作用,才能更好的轉(zhuǎn)換為我們想要的電路,這個電路大體的框架挺好,實際使用過程中需要注意電路參數(shù)的選型。

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  • TH2010 05-29 07:57
    分析錯誤,上電的一瞬間,電壓沒達到28-32V時,三極管Q18是截止的!
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