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電源漫談
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MCU的最小系統(tǒng)那些事

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使用MCU進(jìn)行開(kāi)發(fā)項(xiàng)目,首先要明確最小系統(tǒng)的電路是否正確,然后再進(jìn)行復(fù)雜電路的設(shè)計(jì),本文就針對(duì)MCU的最小電路連接做一個(gè)討論,此處以dsPIC33CK系列芯片為例說(shuō)明。

最小系統(tǒng)電路主要考慮哪些方面的因素?

最小電路主要包含如下方面,首先,如電源部分所有的數(shù)字邏輯及I/O的供電VDD,VSS等,以及所有的AVDD和AVSS部分,其中AVDD和AVSS一般作為ADC的參考電源及其它模擬信號(hào)電路供電,即使項(xiàng)目中不使用ADC功能,也要連接這兩個(gè)pin到外部電容。

其次,是涉及到復(fù)位和編程功能的MCLR pin,及在線編程ICSP用到的PGCx,PGDx的pin。

另外,就是其中也非常重要的外部振蕩器的pin,OSCI,OSCO,當(dāng)需要外部晶振源時(shí),需要連接這兩個(gè)pin。

 

圖1 MCU的最小系統(tǒng)外圍連接圖

MCU最小系統(tǒng)的電源部分

推薦的最小系統(tǒng)電路如圖1所示。說(shuō)到電源部分的pin,設(shè)計(jì)者需要在每一組VDD(數(shù)字電路及I/O部分供電),VSS,及AVDD(模擬模塊供電)和AVSS pin上都使用去耦電容,當(dāng)使用去耦電容時(shí),一般會(huì)考慮一些標(biāo)準(zhǔn),比如電容類型,耐壓,及電容值。這里我們推薦0.1u的10-20V耐壓的電容,需要它具有較低的ESR, 且諧振頻率達(dá)到20M或者更高,一般選擇陶瓷容。

板上不可避免地會(huì)有高頻噪聲,尤其MCU用在開(kāi)關(guān)電源中時(shí),當(dāng)高頻噪聲超過(guò)幾十M時(shí),推薦增加另一個(gè)陶瓷電容并聯(lián)在上述去耦電容上,這個(gè)電容地值一般選擇1n-10n之間,這在高速電路中也很常見(jiàn)。

在電源電路的Layout中,一般先將走線從電源連接到去耦電容,再連接到器件pin上,這樣可以確保去耦電容是電源走線上第一個(gè)器件,另外一件事情也很重要,那就是確保電容和器件電源pin之間盡可能的短距離,以便減小寄生走線電感。

作為一個(gè)可行的選擇,不要直接連接VDD和AVDD pin,在二者之間連接一個(gè)電感或者磁珠,目的是去改善AVDD的噪聲抑制性能,電感阻抗需要小于1ohm且大于10mA的額定電流。

這里有一個(gè)較為常見(jiàn)的情況,電源部分和MCU器件間距較大,例如超過(guò)了15cm以上,那么推薦一個(gè)BULK電容給到MCU,作為局部的電源,BULK電容的值取決于連接電源和MCU之間的走線阻抗,以及器件消耗的最大電流。通過(guò)BULK電容,就可以避免走線太長(zhǎng)而導(dǎo)致器件pin上有較大的紋波,一般推薦的值是4.7u-47uF。

MCU的最小系統(tǒng)中的MCLR pin

一般來(lái)說(shuō),MCLR pin主要有兩個(gè)功能,一個(gè)是外部復(fù)位功能,可以通過(guò)拉低這個(gè)pin讓器件復(fù)位。另外一個(gè)功能就是編程和調(diào)試功能,值得注意的是當(dāng)在編程和調(diào)試時(shí),必須要考慮到加在這個(gè)pin上的電容和電阻,因?yàn)槠骷幊毯驼{(diào)試器需要驅(qū)動(dòng)這個(gè)pin。所以,需要滿足的要求是,MCLR pin上的電壓電平VIH,VIL不能受影響,其電平快速切換也不能受影響,所以需要注意外部電路連接。

圖2 MCLR pin的典型連接

MCLR pin的典型的連接,如圖2所示,這個(gè)pin對(duì)應(yīng)的上拉電阻需要小于10k,以確保MCLR pin的電平等級(jí)VIH,VIL等,注意這個(gè)pin是作為輸入pin功能的。

圖3 典型器件pin的功能描述

假設(shè)由于ESD或者EOS擊穿MCLR pin的話,需要限制從外部電容流進(jìn)MCLR pin的電流,那么需要一個(gè)串聯(lián)電阻限制這個(gè)電流,一般建議小于470ohm即可。

MCU的最小系統(tǒng)中的編程及調(diào)試pin

PGDx和PGCx的pin是用于ICSP在線編程和調(diào)試的功能,一般的推薦是,在ICSP的連接器和MCU器件的PGDx 和PGCx pin之間的距離盡可能的小,如果ICSP 端會(huì)面臨ESD事件的話,可以在連線上串聯(lián)電阻,具體取值幾十ohm即可,不要超過(guò)100ohm,正確的連接如圖5所示。

在外部電路連接上,一般來(lái)說(shuō),在PGDx和PGCx上對(duì)于上拉電阻,及串聯(lián)二極管,放置電容等都是不推薦的,因?yàn)樗麄儠?huì)影響編程器和器件之間的通信的功能。如果在實(shí)際電路中,由于電路功能復(fù)用,在PGDx和PGCx上連接了上述器件,那么確保在編程和調(diào)試時(shí)將其移除,如圖4所示這些錯(cuò)誤連接示意。

圖4 ICSP編程器和器件編程pin之間不正確的連接示意圖

具體來(lái)說(shuō),在PGDx,PGCx的上拉電阻會(huì)破壞pin的電壓電平值,因?yàn)榫幊唐髦斜旧碛邢吕娮琛?/p>

在MCLR ,PGDx,PGCx上都不允許放置對(duì)地電容,這會(huì)減緩數(shù)據(jù)和時(shí)鐘信號(hào)的速度而影響通信,或者減緩編程時(shí)間。

同時(shí)也不能在PGDx,PGCx上串聯(lián)二極管,這會(huì)阻止編程器和器件之間的雙向通信。

另外,可以在器件的FLASH編程規(guī)格書(shū)中,其參考其特性及相關(guān)的時(shí)間需求,電容負(fù)載限制,及電壓VIH,VIL的要求等。

最后一點(diǎn),需要注意,在編程通道選擇上,由于dsPIC33具有多組PGDx和PGCx的pin供選擇,編程進(jìn)器件的PGDx,PGCx的pin需要和外部連接ICSP編程器的pin一致。

圖5 ICSP編程器和器件編程pin之間的正確連接

圖6 編程器內(nèi)部電路及運(yùn)行方式

在編程時(shí),目標(biāo)器件不需要提供時(shí)鐘,只需要有供電即可,當(dāng)編程時(shí),編程器將編程電壓放置在MCLR pin上,通過(guò)PGCx pin發(fā)送時(shí)鐘信號(hào),通過(guò)PGDx向MCU傳遞數(shù)據(jù),為了驗(yàn)證是否進(jìn)行了正確的編程,從PGDx中讀回?cái)?shù)據(jù),這樣一個(gè)時(shí)序就可以確保編程器和器件之間正確的通信。

MCU最小系統(tǒng)中外部振蕩器的pin

當(dāng)使用芯片內(nèi)部的POSC電路用于和外部晶體振蕩器電路連接時(shí),需要特別小心設(shè)計(jì),需要讓POSC電路在終端使用環(huán)境中去測(cè)試以滿足運(yùn)行條件。

在晶體振蕩器的規(guī)格書(shū)中的負(fù)載電容是一個(gè)初始選擇的值,但是,由于電路上的寄生參數(shù)會(huì)影響連接到晶振pin上的電容,那么需要去調(diào)整這個(gè)初始電容值,去滿足最終的啟動(dòng)和穩(wěn)定運(yùn)行。

一般來(lái)說(shuō),晶振電路較長(zhǎng)的走線及其它物理干涉,會(huì)導(dǎo)致信號(hào)完整性問(wèn)題。比如,信號(hào)頻率變化,振蕩信號(hào)幅度減小,波形畸變,較長(zhǎng)的啟動(dòng)時(shí)間,這會(huì)在軟件執(zhí)行上產(chǎn)生不良后,如錯(cuò)誤指令執(zhí)行,或者非法指令獲取等。

在實(shí)際運(yùn)行中,需要等到振蕩頻率在幅度上,在頻率上完全正確和穩(wěn)定時(shí),再開(kāi)始執(zhí)行軟件代碼。

在實(shí)際的PCB布局或者原理圖繪制時(shí),需要注意MCU的外部振蕩器連接pin腳相鄰的端口,或者臨近的電路或者M(jìn)CU pin上是否有高頻信號(hào)及高頻噪聲對(duì)晶振電路的影響。

MCU最小系統(tǒng)電路中外部振蕩器的Layout建議

盡可能地對(duì)外部晶振電路進(jìn)行優(yōu)化,以確保穩(wěn)定地運(yùn)行,一般來(lái)說(shuō),振蕩器電路應(yīng)該MCU器件放在同一面地PCB上,盡可能地將振蕩器電路靠近MCU地振蕩器連接pin。對(duì)于晶振電路的負(fù)載電容,應(yīng)該盡可能靠近晶振本身,也和振蕩器放在同一個(gè)PCB面。最終,使用一個(gè)接地銅皮去環(huán)繞振蕩器電路和pin,以便和周邊電路進(jìn)行隔離。

對(duì)于接地銅皮的要求是,使得它接MCU的地,對(duì)于普通的PCB走線來(lái)說(shuō),不要在銅皮鋪地電路中走任何信號(hào)線及功率線,參考示意圖如圖7所示。

圖7 普通的外部晶振PCB layout建議

當(dāng)使用兩層板時(shí),避免PCB走線在放置晶振電路的位置的背面去走線,如果不能完整的環(huán)繞MCU的振蕩器pin和晶振電路,建議連接這些局部的地鋪銅到另一面的地層,最終這些底線防護(hù)部分必須要回到MCU的地,如圖8所示。

圖8 小封裝器件外部晶振PCB layout建議

未使用的MCU的pin

對(duì)于MCU上的未經(jīng)使用的pin一般有兩種選擇,一種選擇是軟件配置為輸出,且設(shè)為低電平,這種方式需要使用軟件配置。另外一種方式,在MCU的不使用的pin上連接一個(gè)電阻到地,一般取值為1k-10kohm.

總結(jié),以上基于dsPIC33C的MCU對(duì)其外部最小系統(tǒng)電路連接做了一個(gè)梳理和說(shuō)明,特別是外部晶振電路部分的連接及PCB建議,希望能有一定的參考。

參考文獻(xiàn)

  1. dsPIC33CK256MP508 FAMILY datasheet
  2. MPLAB® PICkit™ 4 In-Circuit Debugger User's Guide

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  • dy-eBMrkIta 2022-10-25 12:54
    說(shuō)的很好,Vcap電容呢,沒(méi)有他dsPIC單片機(jī)不工作。。。
    回復(fù) 2條回復(fù)