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芯小二的下午茶
認(rèn)證:優(yōu)質(zhì)創(chuàng)作者
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大功率充電樁,系統(tǒng)設(shè)計及芯片選型的考慮(1)

前面介紹了6.6KW的模擬PFC+移相全橋,7KW的交錯圖騰柱PFC+全橋LLC,15KW的交錯圖騰柱PFC+全橋LLC,也在這篇文章 為什么是高壓,為什么800V? 中介紹了提升電壓等級及功率的考慮;

目前,150KW,360KW,500KW的更大功率的充電樁也越來越多;

小二研究了下大功率充電樁的系統(tǒng)設(shè)計,打算分3篇文章做個分享,歡迎大家交流;

第一篇:介紹系統(tǒng)考慮及拓?fù)洌?/span>

第二篇:介紹SiC的優(yōu)勢及SiC在充電樁的應(yīng)用;

第三篇:分析實際充電樁的電氣圖和電路圖

1、大功率系統(tǒng)中國標(biāo)準(zhǔn)及系統(tǒng)組成

國家大功率充電標(biāo)準(zhǔn)“Chaoji”的發(fā)展旅程如下

面向未來大功率充電需求,“Chaoji”技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)主要設(shè)計參數(shù)如下:

-最大電壓:目前1000V (可擴(kuò)展到1500V);

-最大電流:帶冷卻系統(tǒng) 500A(可擴(kuò)展到600A);不帶冷卻系統(tǒng) 150-200A;

-最大功率:900KW

“Chaoji”技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)設(shè)計目標(biāo)是未來可實現(xiàn)電動汽車充電5分鐘行駛400公里。

首先,說明一下,類似150KW的充電樁,一般不是一個單體的充電樁模塊功率是360KW,它一般是9個40KW的充電樁模塊,經(jīng)過并聯(lián)組成,示意圖如下

如下2/3/4章節(jié),整理自O(shè)nsemi官網(wǎng) (國外大廠在知識&產(chǎn)品聯(lián)合布道方面,確實做的太好了)

2、大功率充電系統(tǒng)架構(gòu)考慮 

如下充電樁框圖,針對不同功率的充電樁,在設(shè)計時候需要考慮的維度比較多,包括:

- 功率拓?fù)?,包括PFC和DCDC的

- 調(diào)制模式 (控制)

- 開關(guān)頻率及損耗 (十KHz~百KHz)

- 熱管理

- 單相還是雙向

圖片來自羅姆官網(wǎng)

3、前級三相PFC的主流拓?fù)?/strong>

提到PFC拓?fù)?,詳?xì)大家肯定聽過鼎鼎大名的維也納整流 (Vienna),因此具體介紹前,有必要先對維也納拓?fù)渥鰝€介紹:

維也納整流是Johnnn W.Kolar在1993年發(fā)明的一種脈寬調(diào)制整流器,目前,Vienna已經(jīng)作為三相AC-DC變換器的通用代名詞,有時候DC-AC或者逆變器也會被稱作Vienna;

目前三相維也納的常用拓?fù)溆腥缦聨追N:

三相Boost PFC維也納架構(gòu):

開關(guān)管承受母線電壓一半,一般600V/650V的耐壓足夠,因為導(dǎo)通回路有兩個二極管串聯(lián),功耗會略高;二極管也是600V耐壓;

T-NPC(T-Neutral Point Clamp) Boost PFC維也納架構(gòu):

開關(guān)管背靠背連接,分別承受母線電壓一半,一般600V/650V的耐壓足夠,因為導(dǎo)通回路少了一個二極管,功耗會更好;二極管的耐壓是1200V

NPC(Neutral Point Clamp) Boost PFC維也納架構(gòu):

開關(guān)管背靠背連接,分別承受母線電壓一半,一般600V/650V的耐壓足夠,二極管用開關(guān)管替換,耐壓也是600V,因此開通回路里面是兩個開關(guān)管串聯(lián),因此功耗也會略高;

4、后級隔離DC-DC的主流拓?fù)?/strong>

DC-DC拓?fù)?,目前主流的有全橋LLC振蕩器,全橋移相雙有源整流橋零電壓開關(guān),全橋移相零電壓開關(guān)三種拓?fù)洌?/span>

全橋LLC諧振:

源級側(cè)工作在ZVS,次級工作在ZCS,整個拓?fù)湫蕰芨撸?/span>

全橋移相雙有源整流橋變換器:

FB ZAB ZVT拓?fù)淇梢灾С謱拤狠敵?,EMI特性也更好,漏電感在初級側(cè),減小了次級側(cè)的電壓耐壓范圍;這個拓?fù)淇梢詫崿F(xiàn)雙向變換;

全橋移相零電壓變換器:

和FB ZAB ZVS拓?fù)洳煌氖?,漏電感在副邊,這會給次級的整流管帶來非常大的電壓應(yīng)力要求;

可以看到,不同的拓?fù)?,能量流動方向,開關(guān)管耐壓,二極管耐壓,控制策略及對應(yīng)的EMI影響,都不一樣;

第三代半導(dǎo)體技術(shù)(碳化硅/SiC),解決了高壓及快速開關(guān)的問題,使得其在OBC和Offline Board Charger下大量應(yīng)用,下章再介紹;

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  • bake_ql 2023-10-20 22:01
    很全面很深入
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