共模抑制能力“CMR”，英文為Common Mode Rejection ，由于驅(qū)動(dòng)器另一側(cè)（副邊）是高壓并且存在不斷的開關(guān)動(dòng)作，那么它就和低壓側(cè)（原邊）構(gòu)成共模信號路徑，主要是高低壓兩側(cè)的寄生電容構(gòu)成的位移電流路徑，所以必須強(qiáng)調(diào)光耦要滿足一定的抗共模電壓能力，否則信號傳輸會(huì)出現(xiàn)錯(cuò)誤。

如下是來自安華高的光耦HCNW2611的共模抑制參數(shù)，參數(shù)說明是，在共模電壓VCM=1kV情況下，共模抑制能力可以達(dá)到15kV/us，這個(gè)值是電壓的變化率dv/dt，我們在測試雙脈沖測試時(shí)，高壓側(cè)的電壓變化率測試是必不可少的測試項(xiàng)，而通過這個(gè)參數(shù)我們也能進(jìn)一步評估驅(qū)動(dòng)的可靠性指標(biāo)。

< HCNW2611共 模 電 壓 參 數(shù) >

CMH是共模電壓的最大允許上升率“+dv/dt”，以確保輸出保持在高邏輯狀態(tài)。

CML是共模電壓的最大允許下降率“-dv/dt”，以確保輸出保持在低邏輯狀態(tài)。

以下是HCNW2211和HCNW2611對共模電壓的測試原理圖，圖中使用脈沖發(fā)生器模擬模擬電壓進(jìn)行測試。

< 光 耦 共 模 瞬 態(tài) 抗 擾 度 測 試 電 路 及 典 型 波 形 >

以下是依然是來自安華高的數(shù)據(jù)，可以看出各個(gè)型號的光耦具有的共模電壓承受值。

< 光 耦 共 模 瞬 態(tài) 抗 擾 度 舉 例 >