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近年來，汽車電子產(chǎn)品的功能安全話題越來越熱，功能安全的需求需要在產(chǎn)品的概念設(shè)計(jì)，系統(tǒng)設(shè)計(jì)，硬件開發(fā)及軟件開發(fā)中來實(shí)現(xiàn)。那么在硬件設(shè)計(jì)中就需要針對(duì)于產(chǎn)品中所用到的所有的所有的電子元件進(jìn)行FMEDA分析，

當(dāng)面對(duì)客戶返回的失效產(chǎn)品時(shí)，往往被要求給出失效的根本原因，是否產(chǎn)品存在潛在的設(shè)計(jì)或質(zhì)量問題等，這就要求我們要針對(duì)于失效產(chǎn)品進(jìn)行細(xì)節(jié)縝密的分析。我一直認(rèn)為一個(gè)好的售后產(chǎn)品分析工程師都可以成為一位接觸的偵

MOSFET的失效很多都是由于過熱導(dǎo)致的，那么在選件選型，電路設(shè)計(jì)及PCB布局時(shí)就要格外注意應(yīng)用情況和設(shè)計(jì)余量，確保MOSFET的Tj不會(huì)超過其最大值。本文將會(huì)講述MOSFET散熱設(shè)計(jì)一定要注意的幾個(gè)

RC snubber即為電阻和電容組成的緩沖電路，它是Mosfet開關(guān)電路中極為常見的過沖和振鈴的解決方案。本文將按照下面的思路來探討下RC snubber的相關(guān)話題。Mosfet開關(guān)電路中的過沖和振

MOSFET元件在理論上是可以并聯(lián)使用的，目的是來增強(qiáng)電路的電流驅(qū)動(dòng)能力。但在實(shí)際應(yīng)用過程中，有很多問題是值得我們高度注意的，核心問題就是并不是所有的MOSFET性能參數(shù)都是完全一致的，設(shè)計(jì)時(shí)要充分考

一. 熱阻抗的定義：我們今天要談及的MOSFET的熱阻模型其實(shí)是指熱阻抗Zth，它包含了兩部分：熱阻和熱容，即Zth=Rth+Cth。他們都是MOSFET固有的物理屬性。熱阻Rth：是指當(dāng)有熱量在物體

在本專輯第2篇文章的彌勒平臺(tái)中，談到了MOSFET的開啟與關(guān)閉過程就是對(duì)其中的電荷進(jìn)行充電和放電的過程，電荷量的多少直接影響了MOSFET開關(guān)速度。電容的值一般會(huì)取決于測(cè)量時(shí)所設(shè)置的電壓和頻率，所以相