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在本專題的上一篇文章（http://www.15119.cn/eestar/article-1217.html）中，作為RCD電路專題的第一篇文章，實際上完全沒寫RCD電路。在本文中，將寫一

反激電源的RCD吸收，對電源研發(fā)行業(yè)從業(yè)者來說是非常常見的電路，一般認為為了處理反激電源變壓器漏感帶來的功率管電壓尖峰，需要通過RCD電路進行處理。盡管十分常見，但是我還是決定寫一個專題的系列文章，初

這個專題的前面幾篇文章簡單寫了一些做高頻開關電源的難點： 制約開關電源頻率提升的局限是什么（一） 概述 制約開關電源頻率提升的局限是什么（二）功率半導體 制約開關電源頻率提升的局限是什么（三） 無源元

高頻開關電源控制電路的時間精度除了功率元件和拓撲，控制電路也是開關電源的重要組成部分。電源工作頻率提高，即意味著電源控制部分對時間的控制精度也要提高——PWM類拓撲要更精確的控制占空比寬度，調頻類拓撲

高頻開關電源中的磁性元件讀過前面文章的讀者應該有印象，在系列文章的前言中提到了開關電源設計時會采用AP法來選擇磁性元件的磁芯尺寸，并借以說明隨工作頻率的上升，磁芯體積會隨之下降。實際上，這個結論十分粗

寫在前面上一節(jié)內容寫到了高頻開關電源的拓撲，這一節(jié)主要寫開關電源中的功率半導體元件（可控硅、三極管、IGBT、MOSFET等）。各種功率半導體開關的局限常規(guī)的各種電源變換拓撲都依賴功率半導體元件做功率

寫在前面在開關電源這個行業(yè)干了十年了，做過的、熟悉的、了解的東西還比較多。這篇文章的內容其實斷斷續(xù)續(xù)寫了很久，試著從多個角度寬泛而不深入的寫一下開關電源工作頻率受到的限制。結論性的內容更多，論據較少，