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反激變壓器計(jì)算其實(shí)是很簡(jiǎn)單的，復(fù)雜的是對(duì)磁芯材質(zhì)選擇，磁芯結(jié)構(gòu)的選擇，繞線方式的選擇，以及如何更好的通過變壓器解決EMI/EMC問題。計(jì)算方法很簡(jiǎn)單：先算出Lp。Lp的計(jì)算可完全參考BOOST架構(gòu)的計(jì)算。步驟如下：1.  DUTYMAX：在反激架構(gòu)中，最大DUTY出現(xiàn)在最低輸入電壓時(shí)，且不建議超過0.5，原因是大于0.5時(shí)，需增加電流斜波補(bǔ)償，使設(shè)計(jì)變得困難，所以我們?cè)O(shè)定DUTYMAX為0.45。 根據(jù)伏秒平衡，計(jì)算變壓器初次測(cè)反射電壓，并判斷其合理性。VIN-DCMIN*DMAX=Vf(1-DMAX)，算出Vf=103.9V，MOSFET的耐壓為600V,考慮到漏磁反向電壓，及一定的余量。通常設(shè)計(jì)時(shí)不超過80%的耐壓，所以MOSFET上的最大電壓為不超過480V；當(dāng)輸入電壓為264V時(shí)，整流后的直流電壓為264*1.414=373.296V，取一個(gè)較好算的值375V。480-375=105V，所以變壓器初次測(cè)反饋電壓不超過105V。計(jì)算Vf=103.9V，滿足要求。2.根據(jù)上面的計(jì)算，可知DUTY設(shè)計(jì)為0.45是可以的。  初次側(cè)電流變化率計(jì)算。設(shè)在最大占空比時(shí)，當(dāng)開關(guān)管開通時(shí)，原邊電流為IP1，當(dāng)開關(guān)管關(guān)斷時(shí)，原邊電流上升到IP2，若IP1為0，則說明變換器工作于斷續(xù)模式，否則工作于連續(xù)模式，由能量守恒，我們有下公式：1/2*(IP1+IP2)*DMAX*VINDCMIN=POUT/效率。。在連續(xù)模式下，通常設(shè)計(jì)為IP2=3*IP1；DIP=IP2-IP1。上兩式可計(jì)算出IP1和IP2，及DIP。L=DMAX*VINMIN/f*DIP。電感量被計(jì)算出來了。 變壓器的后續(xù)設(shè)計(jì)，下回分解。。

不是說100%的DUTY有沒有用,而是說不要一味的追求這個(gè)數(shù)字.特別是在支持較高輸入電壓時(shí),比如超過12V輸入電壓時(shí),通常100%的DUTY意味著更高的成本.而是說結(jié)合應(yīng)用情況,和對(duì)性價(jià)比的要求選擇合適的產(chǎn)品就可以了.比如,在12V轉(zhuǎn)5V時(shí),100%DUTY的情況不可能出現(xiàn),當(dāng)然也就不能成為評(píng)估的一個(gè)指標(biāo).但在鋰電池的便攜式產(chǎn)品中,通常要求鋰電降壓到3.3V或更高,這時(shí)候壓差要求非常小,100%DUTY就成了一個(gè)重要的指標(biāo)參數(shù).

交流和直流的電壓分別是多少?如果相差不大的話,可以考慮設(shè)計(jì)同時(shí)支持交流或直流的產(chǎn)品,根本無需去考慮輸過來的是交流還是直流.

如果電流不大,可以考慮使用升降壓回路..

LDO的性能未必比7805好,7805和LDO都是屬于線性穩(wěn)壓調(diào)整器類,不同的應(yīng)用場(chǎng)合對(duì)部分參數(shù)有特別的要求,于是就有了低噪聲、低靜態(tài)電流、低壓差、低漏電流等可以在不同場(chǎng)合應(yīng)用的LDO.至于你說的LDO比7805的性能要好,完全是潛意識(shí)的理解,你用在25V轉(zhuǎn)3.3V,壓差超過20V,所以低壓差對(duì)此應(yīng)用來講根本就是無意義的.當(dāng)然如果有其它參數(shù)的特別要求例外,比如需要低噪聲,或低漏電流等,此時(shí)要選擇能夠滿足要求的LDO.PD＝(25-5)X0.04=0.8W;SOT-89的封裝基本上是不行的,最少要保證超過SOT-223封裝.

輸入電壓5V;輸出電壓最高可達(dá)30V,SOT-23-5封裝.不過輸出電流能力不大,約在15mA左右.10491261112979.pdf

你所講的SOT-89應(yīng)該是僅能針對(duì)LDO來講.25V轉(zhuǎn)5V的DC/DC因需要外接電感,FB腳,COMP腳等,所以不太可能是SOT-89封裝.如果選擇LDO,你首先要確認(rèn)的就是功率損耗.(25V-5V)X0.15=3W;也就是說在LDO本體上有3W的功率損耗會(huì)轉(zhuǎn)化為熱.除非加散熱片,不然沒有任何封裝可以承受如此大的功率損耗.以TO-263的最大封裝,在沒有散熱片的情況下,理論功率損耗也只能達(dá)到2.1W,實(shí)際承受功率損耗約在1.5W.如果持續(xù)電流只有60mA,那么功率損耗為(25-5)x0.06＝1.2W,選擇的最小封裝要TO-252.所以說如果要用LDO的方式實(shí)現(xiàn),LDO的最小封裝不得小于TO-252.

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沒前景,為什么不考慮做電源管理IC呢..PMIC才是以后的發(fā)展主方向..以前手機(jī)上有多少顆電源IC,現(xiàn)在呢.只有三四顆就搞定了..

就是這樣的..但正常的充電電流請(qǐng)不要大于1C..