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MOSFET和IGBT單管的截流方式為什么不同，左圖是MOSFE電路，右圖是IGBT單管電路，二者的截流方式為什么不一樣？請(qǐng)教大家

沒錯(cuò)!正解.但是這個(gè)電流要多大,我一直搞不清楚我現(xiàn)在在末端加一個(gè)66歐的電阻.這個(gè)電阻是受輸出端的濾波電容的影響的,而且在開始必須給它加個(gè)大電流這樣才能穩(wěn)壓,,我看的峰峰值是200-400MA,是正常的范圍.但是這個(gè)電流是18.8/66＝280MA我的振蕩頻率是f=1/(10k*2200PF)=45K.

奇怪的說.輸出極是個(gè)MOS管,加電的一瞬間是19.2V,然后電壓慢慢跌落到8V.電壓采樣端是2.多V,但是它不復(fù)位.奇怪了

今天又看了下波形,空載是鋸齒波,波動(dòng)較大,壓差4V左右在輸出端再追加一個(gè)4700U的濾波電容,電壓波形好多了但是還是只有16V,加負(fù)載上去.電壓升至18.8V,是需要的電壓.但是問題還是沒有解決,望高人出手相救

知道這個(gè)問題的大哥們,支持一下我啊,查了好久,不知道是哪的問題啊