劉劉牛牛：
我有限的針對參與討論幾點：1：Y電容高壓側(cè)最常見的接法是單獨連接至電容負極，也有見連接正極的，也有因為PCB布線空間限制就近連接至高壓側(cè)負極網(wǎng)絡(luò)上。我估計最佳的連接方法應(yīng)該是單獨連接至電容負極，其它都是折中方案。經(jīng)驗有限，我不清楚實際對于EMI有多少微妙的差異。2：一般電阻靠近IC，因為CS腳是弱信號易受干擾。3：應(yīng)該只是指驅(qū)動電阻？個人感覺應(yīng)該靠近MOSG極，從而減小G電容對EMI的不利影響？4：初級RCD是為吸收初級線圈漏感產(chǎn)生的尖峰，所以布局上貼近變壓器初級線圈，盡量縮小環(huán)路面積；次級是為吸收整流管的振鈴，布局上應(yīng)該貼近整流管并盡量縮小環(huán)路面積。至于電容位置有無特別講究，這個我也沒有一點點概念，坐等大師分解。