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看起來高手都看不上我的這個小項目,我自己頂一下吧,看還有什么好心人幫助我我準備用IR2110試試看了,然后選擇英飛凌的MOSFET,做一個H橋,突發(fā)奇想功率可以不是很大,我可以用多個相同的電路做發(fā)射源,最后將磁場疊加,電壓和電流減小后估計可以取得非常小的關斷延時,希望能控制在1微秒以內,大家等我的消息哦剛得到的MAXIM的回復,我向他們詢問了高速驅動電路的有關問題,回復如下,看來這個產品參數(shù)很誘人哦.MAX15012/MAX15013是高頻、175V半橋、n溝道MOSFET驅動器,在高壓應用中驅動高側和低側MOSFET.這些驅動器可以獨立控制,輸入到輸出的傳輸延時典型值為35ns,匹配在2ns(典型值)以內.這些高壓工作器件具備極低的傳輸延時和較高的源出或吸入電流能力,非常適合大功率、高頻、電信電源轉換器.在VDD與BST之間具有可靠的自舉二極管連接,省去了外部分立二極管.剛才已經(jīng)申請了樣片,一個工作日后寄出