ledpower05：
不是IC問(wèn)題,請(qǐng)問(wèn)一下哥們做的是什么參數(shù)啊.如MOS發(fā)熱有幾重原因,1,你做的日光燈的輸出電流比較大,使用的MOS管的導(dǎo)通電阻也大導(dǎo)致管的損耗大發(fā)熱比較明顯.建議換RD比較小的MOS管,還有電感的尺寸也會(huì)影響效率,MOS管發(fā)熱,建議用尺寸大一點(diǎn)EFD15.2,功率管的功耗分成兩部分,開(kāi)關(guān)損耗和導(dǎo)通損耗.要注意,大多數(shù)場(chǎng)合特別是LED市電驅(qū)動(dòng)應(yīng)用,開(kāi)關(guān)損害要遠(yuǎn)大于導(dǎo)通損耗.開(kāi)關(guān)損耗與功率管的cgd和cgs以及芯片的驅(qū)動(dòng)能力和工作頻率有關(guān),所以要解決功率管的發(fā)熱可以可以從以下幾個(gè)方面解決:a:不能片面根據(jù)導(dǎo)通電阻大小來(lái)選擇MOS功率管,因?yàn)閮?nèi)阻越小,cgs和cgd電容越大.如1N60的cgs為250pF左右,2N60的cgs為350pF左右,5N60的cgs為1200pF左右,差別太大了,選擇功率管時(shí),夠用就可以了.b:剩下的就是頻率和芯片驅(qū)動(dòng)能力了,這里只談?lì)l率的影響.頻率與導(dǎo)通損耗也成正比,所以功率管發(fā)熱時(shí),首先要想想是不是頻率選擇的有點(diǎn)高.想辦法降低頻率吧!不過(guò)要注意,當(dāng)頻率降低時(shí),為了得到相同的負(fù)載能力,峰值電流必然要變大或者電感也變大,這都有可能導(dǎo)致電感進(jìn)入飽和區(qū)域.如果電感飽和電流夠大,可以考慮將CCM(連續(xù)電流模式)改變成DCM(非連續(xù)電流模式),這樣就需要增加一個(gè)負(fù)載電容了.如有請(qǐng)聯(lián)系我,13651711805可以提供支持,并可提供PT4107芯片