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“室溫是10度左右。。老化時(shí)產(chǎn)品的溫度是80度左右?！睖厣?0度,有點(diǎn)高。是不是MOS的品質(zhì)差些？換個(gè)8N80試試吧。MOS在高溫時(shí)的實(shí)際承受電流會(huì)變小。

功率地一般是指有大流流過的地，要就近接到大電解的地上。模擬地是芯片的地，電流很小，為防止功率地的干擾，不能直接相連，和功率地分別接在大電解的地上。