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你好像是要Cool-MOSFET,這種價(jià)錢(qián)挺高的!

能否提供IEC61000-3-2:2005?

能否解釋一下模塊電源?

多大負(fù)載沒(méi)輸出,0.01A還是10A?沒(méi)輸出,電壓為0還是很低?你用了什麼線路,什麼PWMIC?看看你的OPP是不是太小了?你的次級(jí)整流管是超快恢復(fù)的還上肖特基的?你的回授穩(wěn)定嗎?麻煩你CHECK一下!!!

對(duì)EMI來(lái)講,當(dāng)然是Trr較大較好.EMI的產(chǎn)生源往往來(lái)自一些高頻開(kāi)關(guān)零件,線路上的寄生電感電容產(chǎn)生的瞬間電壓電流的孌化,即我們通常講的di/dt,dv/dt.你可以看到其它產(chǎn)品上,MOSFET,整流DIODES的PIN腳上常有人加上小的磁珠,就是用來(lái)抑制這些東西.你也可以試試,但注意要點(diǎn)一下thermal.

D2與D3都反過(guò)來(lái)便OK!

目前開(kāi)關(guān)電源多使用電流型回路控制,當(dāng)duty>50%時(shí)易出現(xiàn)不穩(wěn)定,但這可以加斜率補(bǔ)償來(lái)解決;另一個(gè)是為了讓變壓器能充分地復(fù)位,防它因未完全復(fù)位而經(jīng)多個(gè)周期后飽和.

如果開(kāi)機(jī)前一秒鐘不檢測(cè)MOSFET電流大小,要求作短路開(kāi)機(jī),你的產(chǎn)品可能會(huì)炸機(jī).我建議在次級(jí)側(cè)作開(kāi)機(jī)時(shí)OCP延時(shí)1S后啟動(dòng).

你這PDG檔用什么開(kāi)啟?

能否附上你的線路圖,最好有VALUE的!