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MOS芯片規(guī)格選小了，磁芯復(fù)位續(xù)流電流估計(jì)是超二極管的電流能力了。

地址私信發(fā)給你了

600VMOS的VGS實(shí)際耐壓都在30V以上，這種情況并不一定就是GS燒壞，所以在GS上并聯(lián)穩(wěn)壓管或者TVS都不能完全解決上述出現(xiàn)的問(wèn)題。具體是不是由電壓造成VGS損壞的，最好提供壞品，讓芯片廠(chǎng)商進(jìn)行分析。也可以委托給我?guī)头治觥?

換IR的IRFP2907或 HPW080NE5SPA試一試，HY4306W雪崩能力不強(qiáng)。用在逆變上不是那么合適。把擊穿的管子給我個(gè)做個(gè)分析，看能探究損壞原因。

分享一張IRFP260N失效圖[圖片]

MOSFET失效分析還是需要點(diǎn)條件的分享兩張MOS失效圖片[圖片][圖片]需要分析失效元件，可以找我。IC除外。

如果是SOT-23的多顆MOSFET并聯(lián)可以選擇TO-252的MOS[圖片][圖片]

3400靜態(tài)參數(shù)[圖片]

這是2302靜態(tài)參數(shù)：[圖片]

MOS的型號(hào)沒(méi)有給出來(lái)，不好說(shuō)明參數(shù)選型。8050/8550Vce(sat)電壓是比較高的，0.5-0.6VMOS選用的如2302這類(lèi)產(chǎn)品。它的Vth是0.4-1.4的范圍。出現(xiàn)關(guān)不斷的情況并不奇怪。