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我算過(guò)3mH的△B，開(kāi)機(jī)時(shí)候很大已經(jīng)導(dǎo)致磁芯飽和了，穩(wěn)態(tài)△B為0.4，有點(diǎn)大了，所以我后面把電感改為1mH，穩(wěn)態(tài)時(shí)△B為0.15可以接受，但是開(kāi)機(jī)電流還是很大，我的這款開(kāi)關(guān)電源芯片太老了，是電壓型控制的，現(xiàn)在打算改變壓器把可靠性提高，后期打算把開(kāi)關(guān)電源方案換掉了，太難弄了，開(kāi)機(jī)電流根本不可控

我的工作頻率是50kHz，這樣的話會(huì)不會(huì)導(dǎo)致電源不穩(wěn)定

對(duì)，沒(méi)有開(kāi)氣隙，磁芯類型是東磁的DMR40。后來(lái)我把氣隙磨掉了一點(diǎn)（估計(jì)0.5mm的樣子），把電感降為1mH，在100HZ測(cè)量是為3mH，在1Khz測(cè)量時(shí)為1mH，變化量還是有點(diǎn)大，是不是氣隙開(kāi)的太小了

我的變壓器，在100HZ下測(cè)量原邊電感有24mH，1kHz下測(cè)量有3mH，10kHz下測(cè)量電感有2.8mH，是不是變壓器的磁芯選的有問(wèn)題

（1）軟起時(shí)間加長(zhǎng)，是不是指下面的這個(gè)軟起電阻加大，使開(kāi)關(guān)電源在啟動(dòng)的時(shí)候，母線電壓比原來(lái)低，原邊電感不容易飽和[圖片]（2）減小原邊電感，是不是可以理解為我如果把負(fù)載側(cè)負(fù)載加大也可以呢。

峰值電流是不會(huì)擊穿MOSFET，但是我們公司用的開(kāi)關(guān)電源芯片是KA5L0380R，一款很老的開(kāi)關(guān)電源芯片，沒(méi)有電流環(huán)控制的，這個(gè)芯片的電流保護(hù)是2.15A，我現(xiàn)在的起機(jī)電流折算下來(lái)是2.14A，剛好在這個(gè)臨界值上，就怕批量的時(shí)候有可能會(huì)誤觸發(fā)這個(gè)過(guò)流保護(hù)功能，開(kāi)關(guān)電源會(huì)工作不正常。而且我的穩(wěn)態(tài)電流波形為什么看起來(lái)也像CCM模式呢 

自己頂一個(gè)，因?yàn)樘永锩嬗袔讖垐D片，內(nèi)容會(huì)刷新比較慢，各位大俠們耐心等待

2樓正解，上面那個(gè)MOS肯定反了，這樣起不到MOS的開(kāi)關(guān)作用，下面那個(gè)防反接MOS這樣接是沒(méi)錯(cuò)的。樓主查查上面那個(gè)MOS管是否抄對(duì)了

我是做伺服的，目前來(lái)說(shuō)單管保護(hù)大部分都是用專用芯片來(lái)做的，效果很好也很穩(wěn)定。對(duì)于公司來(lái)說(shuō)，新研發(fā)的產(chǎn)品要的就是要快速和穩(wěn)定，也許是現(xiàn)在中國(guó)企業(yè)的通病，產(chǎn)品開(kāi)發(fā)的時(shí)間都比較短，沒(méi)有那么多時(shí)間去慢慢搞研究，一個(gè)專用芯片10塊，和采用其它方法可能只需要5塊錢，就成本來(lái)說(shuō)節(jié)省的不多，很少有人肯花時(shí)間去做這些研究

好吧，更大功率的，別人都是直接用接觸器，不用繼電器并聯(lián)了，我想也可能是基于這方面考慮吧