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我們用的是裸片，在高倍顯微鏡下可以看到芯片有燒過的痕跡。

元器件沒有變化。波形在低壓的時(shí)候也沒有問題。昨天仔細(xì)觀察了一下，2110芯片（裸芯片）低端驅(qū)動(dòng)圖騰柱的一個(gè)晶體管上有不少元胞被燒掉了。就是紅圈中的那個(gè)管子。所有壞掉的產(chǎn)品都有這個(gè)現(xiàn)象，都是這個(gè)管子燒掉。而高端的兩個(gè)管子卻都沒有問題。怎么會(huì)就燒這個(gè)管子呢？是我的柵極電阻選太小，半橋下管因?yàn)槊桌招?yīng)瞬間回灌一個(gè)大電流？但那樣也應(yīng)該燒紅圈下面那個(gè)圖騰柱管子啊。[圖片]

VCE在驅(qū)動(dòng)電流超過一定值時(shí)也是基本不變的，也可以看成一個(gè)常量這句不對(duì)吧？當(dāng)三極管飽和后，進(jìn)入的是恒流區(qū)域，柵極驅(qū)動(dòng)電流與集電極電流無關(guān)，集電極電流也與集電極-發(fā)射極電壓無關(guān)，恒定的是集電極電流，而不是集電極-發(fā)射極電壓即飽和壓降吧？

[圖片][圖片]從圖像來說，在固定某個(gè)驅(qū)動(dòng)電壓值時(shí)，IGBT的伏安特性的線性度要比MOS管好啊。為何指標(biāo)上不規(guī)定某幾個(gè)常用驅(qū)動(dòng)電壓時(shí)的等效導(dǎo)通電阻呢？而且從圖像上看，MOS管也存在類似IGBT飽和區(qū)的恒流區(qū)

沒必要那么復(fù)雜，直接把MOS管當(dāng)一個(gè)二極管來測(cè)就可以了。MOS管的體二極管就是他本身，熱阻測(cè)試的時(shí)候也是測(cè)量二極管結(jié)壓降與溫度的關(guān)系。

增加關(guān)斷電阻，關(guān)斷延遲不就更大?

那么驅(qū)動(dòng)芯片上標(biāo)注的灌電流/拉電流就又有什么意義呢？比如我現(xiàn)在用IR2130驅(qū)動(dòng)IGBT，即便將驅(qū)動(dòng)電阻直接短路掉，IGBT的柵極驅(qū)動(dòng)信號(hào)開通時(shí)間依然要1.8us.這個(gè)時(shí)候顯然不能認(rèn)為驅(qū)動(dòng)是個(gè)無內(nèi)阻的恒壓源吧？

原方案是7個(gè)合金采樣電阻并聯(lián)，太占地方了。想把這個(gè)空間省出來放別的。

求教，啥叫正常有效的尖峰？測(cè)試條件是電壓56V，三相橋驅(qū)動(dòng)無刷電機(jī)，電流30A時(shí)，測(cè)量其中一個(gè)橋臂下管的Vds波形。

多謝指點(diǎn)，原來耐壓還是和時(shí)間有關(guān)的啊。原來一直以為超過了就一定損壞。