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工欲善其事,必先利其器。泰克的產(chǎn)品確實(shí)不錯(cuò)，值得擁有。對于研發(fā)工作而言在測試設(shè)備上的投入是很有必要的。

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個(gè)人認(rèn)為損耗應(yīng)該分為IGBT的導(dǎo)通損耗和開關(guān)損耗，以及二極管的導(dǎo)通損耗和開關(guān)損耗四大類。二極管的導(dǎo)通損耗除了和自身特性相關(guān)外最大的因素就是溫度了，而開關(guān)損耗除這兩點(diǎn)之外也和關(guān)斷的速率（反向恢復(fù)階段的電流大?。┲g存在一些關(guān)系。至于IGBT的導(dǎo)通損耗除了與溫度相關(guān)和門極電壓也相關(guān)。開關(guān)損耗就復(fù)雜一些了，和工作電流，工作電壓，密勒電容（門極與集電極之間的等效電容與集射電壓相關(guān)），驅(qū)動(dòng)電流，門極穩(wěn)態(tài)電壓，溫度等因素都有關(guān)系。有一點(diǎn)容易忽略的是和關(guān)斷震蕩波形也有關(guān)系。也就是說和外圍電路的雜散參量，尤其是吸收電路也是有關(guān)系的。當(dāng)然了，最主要的還是IGBT自身特性決定的開關(guān)硬度。

IGBT的特點(diǎn)是大功率，高電壓。（電源的功率大了，電壓就不能太低，否則大電流會(huì)導(dǎo)致高損耗，關(guān)斷尖峰等問題。）而且抗過載沖擊能力強(qiáng)。而MOS的特點(diǎn)則是開關(guān)速度快。所以在大功率應(yīng)用，尤其是高壓應(yīng)用中IGBT使用較多。而高頻應(yīng)用則MOS較多。在開關(guān)電源里，IGBT主要還是用在頻率較低的有源功率因數(shù)校正等部分。在其他場合，像民用的電磁爐等千瓦級(jí)的產(chǎn)品上使用份額較大。而隨著伺服電機(jī)等電力產(chǎn)品越來越多的替代傳統(tǒng)的氣動(dòng)，液壓等動(dòng)力機(jī)構(gòu)。乃至電力汽車，新能源等產(chǎn)業(yè)的崛起。IGBT，尤其是高壓大功率的IGBT的使用會(huì)越來越多。個(gè)人淺見，電源產(chǎn)業(yè)未來高附加值的增長點(diǎn)，主要會(huì)集中在低壓直流大電流和高動(dòng)態(tài)性能的逆變兩大方向。前者在強(qiáng)調(diào)高效和高功率密度的基礎(chǔ)上，會(huì)越來越看重動(dòng)態(tài)響應(yīng)能力。而后者則會(huì)越來越看重與伺服控制技術(shù)相結(jié)合的寬動(dòng)態(tài)范圍的輸出頻率和電壓。

你好！我的意思是，如果驅(qū)動(dòng)器的輸出速率不足。就會(huì)導(dǎo)致IGBT的集電極電位在進(jìn)入上升或下降階段時(shí)，驅(qū)動(dòng)器的輸出還沒有達(dá)到最終穩(wěn)定的電壓值。這個(gè)現(xiàn)象是會(huì)導(dǎo)致問題的。原因是這種情況下，驅(qū)動(dòng)器輸出在這個(gè)時(shí)間節(jié)點(diǎn)上的電壓值每一次都可能有較大差異。這就導(dǎo)致了工作狀態(tài)的不穩(wěn)定，很容易超出實(shí)際的安全工作區(qū)間，從而導(dǎo)致?lián)p壞。并不是我們平時(shí)所說的功率超過額定值而導(dǎo)致的器件燒壞。不知道我說清楚沒有？

你好，前幾天靜靜團(tuán)長也說到了這個(gè)問題。我第一次發(fā)帖，經(jīng)驗(yàn)不足。以后一定會(huì)逐步把這些問題進(jìn)一步解說清楚，力爭圖文并茂。只是最近趕上一個(gè)比較大的項(xiàng)目，差不多夜以繼日。時(shí)間實(shí)在緊張。上論壇已經(jīng)顯得是很奢侈的休息了?？赡芤鹊絻扇齻€(gè)月以后才能有大塊的時(shí)間更新補(bǔ)充了。因此還望你能見諒。

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綜上所述，驅(qū)動(dòng)器與控制板之間的線纜不能過長，否則就存在引入干擾，導(dǎo)致誤觸發(fā)的風(fēng)險(xiǎn)。鑒于驅(qū)動(dòng)器輸出與功率器件之間的距離也不能太遠(yuǎn)，建議采用光纖隔離驅(qū)動(dòng)器的那種一分為二，中間通過不怕干擾的光纖進(jìn)行連接的方式。另外，建議按照上述方法補(bǔ)充一個(gè)接地，以便旁路耦合電流對控制板的影響。

還有一個(gè)問題就是干擾電流的引導(dǎo)問題。通過合理的接地處理是可以優(yōu)化耦合電流對控制板相關(guān)電路的干擾的。也是將該干擾電流引走，使它不經(jīng)過控制板電路。具體來說就是把它引回到它的源頭去。由于電場的建立需要等量的異種電荷。因此對驅(qū)動(dòng)器的電荷補(bǔ)充必然導(dǎo)致電源側(cè)的電荷缺失。實(shí)際中，這個(gè)電荷的缺失是要通過各種雜散參量組成的電荷路徑從周邊環(huán)境（包括地）中汲取回來的。而不同途徑提供電荷量的比例，自然是決定于各路徑阻抗的大小。如果我們?nèi)藶榻ㄔO(shè)一條低阻抗的電荷路徑連接在，害怕受到干擾的敏感電路入口與干擾源的源頭之間。那么干擾電流就會(huì)抄近道回到干擾源而不對敏感設(shè)備造成影響。很明顯，這個(gè)通路應(yīng)該是驅(qū)動(dòng)器與控制板連接處的地到它所驅(qū)動(dòng)的IGBT（MOSFET）周邊最近的接地屏蔽體處。但是這里一定要注意，不要把其他干擾從這個(gè)屏蔽體引到控制板。所以，常用的對策就是在這兩點(diǎn)之間串接一個(gè)并聯(lián)了電阻的高頻瓷片電容。具體的阻值和容值就要根據(jù)具體情況設(shè)定了。另外注意線材一定使用盡量短的多股軟線，以便進(jìn)一步降低阻抗。需要注意的一點(diǎn)是，由于控制板的電源一般是隔離的開關(guān)電源。所以有些系統(tǒng)的主控板往往是懸浮地。這在高壓大功率場合不太合適。很可能累積靜電，導(dǎo)致故障。但是貿(mào)然接地又有可能引入干擾。所以，推薦對主控板以上述的方式，接地于功率電路的接地屏蔽體。并且保持一個(gè)接地點(diǎn)。