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集電極電流上升很快的話，會(huì)通過(guò)米勒電容造成IGBT門(mén)極電壓的升高

IGBT工作頻率跟mos比起來(lái)還是比較低的。一般20KHz對(duì)于IGBT來(lái)說(shuō)就已經(jīng)算高頻了。就拿infineonigbt第四代芯片來(lái)說(shuō)，T4E4P4芯片，T4適合高頻工作，一般15-20KHz，E4大概10KHz左右，P4則幾KHz。IGBT開(kāi)關(guān)頻率還是和它本身的開(kāi)關(guān)損耗等有關(guān)系

雙脈沖，顧名思義就是兩個(gè)脈沖。主要是測(cè)試IGBT在不同工況條件下的一個(gè)動(dòng)態(tài)特性，比如不同驅(qū)動(dòng)電路以及主回路的影響等。