伈佑：
這個公式可以說是單個開關(guān)周期內(nèi)建立電場Qg，一：個人不覺得這個是損耗，因為這個能力并沒有產(chǎn)生熱，只是通過GS電容存儲起來了，電子在Gate處聚集形成電場，在Doff時，能量是要通過偏置電阻泄放的，只能說MOS在驅(qū)動時需要這個功率； 二、P=UI,i=Q/t=Q*f，所以P=U*Q*f，這個式子可否理解為我需要在一整個周期內(nèi)才建立Qg的電荷，必然造成相當(dāng)大的誤差，因為這個t此時不能用1/f來替代了，甚至可以根據(jù)設(shè)計者希望在多少時間內(nèi)（us）建立使MOS完全導(dǎo)通的電場。