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TI快充.pdf放血了，樓主珍藏的TI方案都出來了，你還不來，我都老了，各位大俠上料啊。

樓上的是代理商資料吧，的確高通目前在移動沖上做了很多符合其QC2.0標(biāo)準(zhǔn)的DC-DC控制器。大家在設(shè)計移動電源時可以參考下。

再傳個PItestreport供大家參考。1404271140-63850.pdf 

PI作為全球PWM Controler  與功率MOSFET  combin做的比較好的企業(yè)，其產(chǎn)品在小功率電源中有一定的影響力，查了相關(guān)資料和客戶，發(fā)現(xiàn)目前智能充電器采用PI方案的比較多，PI宣傳為第一款符合QC2.0的IC，因此將其DATASHEET傳上來，供大家參考。CHY100.pdf 

很久沒登陸了，發(fā)現(xiàn)有效的技術(shù)討論挺多的，多謝大家的支持，歡迎大家將COOLMOS的更多技術(shù)以及采購信息貼在論壇里。做成一個COOLMOS的綜合帖子。供大家再使用及選型的時候參考。

樓上的，你好。COOLMOS推廣初期在EAS.反向恢復(fù)，等特性上面不及普通的VDMOS。同時由于COOLMOS速度過快，造成的的尖峰問題也是引起失效的一個緣由。據(jù)說，歐美系的COOLMOS在推廣初期在艾默生等大的電源企業(yè)出現(xiàn)了不少的問題，但隨著技術(shù)的改進(jìn)，COOLMOS應(yīng)用已經(jīng)比較普及，由于它的導(dǎo)通速度及RDSON等優(yōu)勢，已經(jīng)在高端電源中開始廣泛的應(yīng)用。至于你說的SURGER測試不通過，那就要根據(jù)當(dāng)時的情況查找具體的原因了。使用COOLMOS必然要對板子進(jìn)行一些調(diào)整。

肯定不是集成的肖特基，肖特基一般電壓都比較低，200V以上就比較困難了，據(jù)說英飛凌采用了一種特殊的工藝，增強(qiáng)了CFD系列的反向恢復(fù)能力，具體緣由，就不得而知，因為我也是做電源的。

目前市場上COOLMOS應(yīng)用及廠家相關(guān)信息收集1>       目前COOLMOS主要應(yīng)用范圍為高端LED電源、通信電源、個人電腦、筆記本電腦、上網(wǎng)本、手機(jī)、高壓氣體放電燈以及電視機(jī)（液晶或等離子電視機(jī)）和游戲機(jī)等消費(fèi)電子產(chǎn)品的電源或適配器等等。其主要應(yīng)用范圍為高壓段，在低壓段應(yīng)用不太明顯，但也有相應(yīng)的廠家在做中壓段，如AO公司。2>    目前COOLMOS類產(chǎn)品主要以Infineon一家獨大，占據(jù)市場比例比較多。當(dāng)然，除了Infineon以外，Toshiba、ST、NCE等廠家也都有COOLMOS產(chǎn)品在推廣應(yīng)用，但市場份額相對占的比較小。3>       由于InfineonTechnologies的COOLMOS目前占據(jù)的市場份額比較大，我們就著重介紹一下InfineonTechnologies的COOLMOS系統(tǒng)。Infineon的COOLMOS主要有C3、CP、C6、CFD、 CFD2等系列。C3系列是Infineon早期應(yīng)用非常廣泛的COOLMOS系列CP系列與C3系列相比其主要區(qū)別為其在開關(guān)速度及導(dǎo)通電阻上更有優(yōu)勢。CP系列Infineon推薦在PFC方面的PWM應(yīng)用。C6系列為Infineon的第五代產(chǎn)品，網(wǎng)絡(luò)論壇中部分工程師認(rèn)為C3的COSTDOWN版本。CFD、 CFD2系列RDSON比C3系列稍大，但其在TRR特性較好，同時對其體二級管特性進(jìn)行了提高，這也是其FAE推薦客戶使用CFD2系列在LLC電路或橋式電路中（如HID燈）的緣由。

COOLMOS系統(tǒng)應(yīng)用可能會出現(xiàn)的問題1>           EMI可能超標(biāo)。由于SJ-MOS擁有較小的寄生電容，造就了超級結(jié)MOSFET具有極快的開關(guān)特性。因為這種快速開關(guān)特性伴有極高的dv/dt和di/dt，會通過器件和印刷電路板中的寄生元件而影響開關(guān)性能。對于在現(xiàn)代高頻開關(guān)電源來說，使用了超級結(jié)MOSFET，EMI干擾肯定會變大，對于本身設(shè)計余量比較小的電源板，在SJ-MOS在替換VDMOS的過程中肯定會出現(xiàn)EMI超標(biāo)的情況。2>           柵極震蕩。功率MOSFET的引線電感和寄生電容引起的柵極振鈴，由于超級結(jié)MOSFET具有較高的開關(guān)dv/dt。其震蕩現(xiàn)象會更加突出。這種震蕩在啟動狀態(tài)、過載狀況和MOSFET并聯(lián)工作時，會發(fā)生嚴(yán)重問題，導(dǎo)致MOSFET失效的可能。 3>           抗浪涌及耐壓能力差。   由于SJ-MOS的結(jié)構(gòu)原因，很多廠商的SJ-MOS在實際應(yīng)用推廣替代VDMOS的過程中，基本都出現(xiàn)過浪涌及耐壓測試不合格的情況。這種情況在通信電源及雷擊要求較高的電源產(chǎn)品上，表現(xiàn)的更為突出。這點必須引起我們的注意。 4>           漏源極電壓尖峰比較大。       我司MOSFET目前使用的客戶主要是反激的電路拓?fù)?，由于本身電路的原因，變壓器的漏感、散熱器接地、以及電源地線的處理等問題，不可避免的要在MOSFET上產(chǎn)生相應(yīng)的電壓尖峰。針對這樣的問題，反激電源大多選用RCDSUNBER電路進(jìn)行吸收。由于SJ-MOS擁有較快的開關(guān)速度，勢必會造成更高的VDS尖峰。如果反壓設(shè)計余量太小及漏感過大，更換SJ-MOS后，極有可能出現(xiàn)VD尖峰失效問題。 5>           紋波噪音差。由于SJ-MOS擁有較高的dv/dt和di/dt，必然會將MOSFET的尖峰通過變壓器耦合到次級，直接造成輸出的電壓及電流的紋波增加。甚至造成電容的溫升失效問題的產(chǎn)生。

COOLMOS在電源上應(yīng)用的優(yōu)點總結(jié)1>   通態(tài)阻抗小，通態(tài)損耗小。 由于SJ-MOS的Rdson遠(yuǎn)遠(yuǎn)低于VDMOS，在系統(tǒng)電源類產(chǎn)品中SJ-MOS的導(dǎo)通損耗必然較之VDMOS要減少的多。其大大提高了系統(tǒng)產(chǎn)品上面的單體MOSFET的導(dǎo)通損耗，提高了系統(tǒng)產(chǎn)品的效率，SJ-MOS的這個優(yōu)點在大功率、大電流類的電源產(chǎn)品產(chǎn)品上，優(yōu)勢表現(xiàn)的尤為突出。 2>   同等功率規(guī)格下封裝小，有利于功率密度的提高。      首先，同等電流以及電壓規(guī)格條件下，SJ-MOS的晶源面積要小于VDMOS工藝的晶源面積，這樣作為MOS的廠家，對于同一規(guī)格的產(chǎn)品，可以封裝出來體積相對較小的產(chǎn)品，有利于電源系統(tǒng)功率密度的提高。其次，由于SJ-MOS的導(dǎo)通損耗的降低從而降低了電源類產(chǎn)品的損耗，因為這些損耗都是以熱量的形式散發(fā)出去，我們在實際中往往會增加散熱器來降低MOS單體的溫升，使其保證在合適的溫度范圍內(nèi)。由于SJ-MOS可以有效的減少發(fā)熱量，減小了散熱器的體積，對于一些功率稍低的電源，甚至使用SJ-MOS后可以將散熱器徹底拿掉。有效的提高了系統(tǒng)電源類產(chǎn)品的功率密度。 3>   柵電荷小，對電路的驅(qū)動能力要求降低。 傳統(tǒng)VDMOS的柵電荷相對較大，我們在實際應(yīng)用中經(jīng)常會遇到由于IC的驅(qū)動能力不足造成的溫升問題，部分產(chǎn)品在電路設(shè)計中為了增加IC的驅(qū)動能力，確保MOSFET的快速導(dǎo)通，我們不得不增加推挽或其它類型的驅(qū)動電路，從而增加了電路的復(fù)雜性。SJ-MOS的柵電容相對比較小，這樣就可以降低其對驅(qū)動能力的要求，提高了系統(tǒng)產(chǎn)品的可靠性。 4>   節(jié)電容小，開關(guān)速度加快，開關(guān)損耗小。 由于SJ-MOS結(jié)構(gòu)的改變，其輸出的節(jié)電容也有較大的降低，從而降低了其導(dǎo)通及關(guān)斷過程中的損耗。同時由于SJ-MOS柵電容也有了響應(yīng)的減小，電容充電時間變短，大大的提高了SJ-MOS的開關(guān)速度。對于頻率固定的電源來說，可以有效的降低其開通及關(guān)斷損耗。提高整個電源系統(tǒng)的效率。這一點尤其在頻率相對較高的電源上，效果更加明顯。